|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
V. V. Nikolaev, E. I. Girshova, M. A. Kaliteevskii, “Modeling of spontaneous emission in presence of cylindrical nanoobjects: the scattering matrix approach”, Компьютерная оптика, 47:1 (2023), 16–26  |
|
2022 |
| 2. |
E. I. Girshova, A. V. Ogurtcov, A. V. Belonovskii, K. M. Morozov, M. A. Kaliteevskii, “Genetic algorithm for optimizing Bragg and hybrid metal-dielectric reflectors”, Компьютерная оптика, 46:4 (2022), 561–566 |
1
|
| 3. |
E. I. Girshova, G. Pozina, A. V. Belonovskii, M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, G. V. Voznyuk, V. P. Evtikhiev, S. N. Rodin, M. A. Kaliteevskii, “Enhancement of the basal-plane stacking fault emission in GaN planar nanowire microcavity”, Письма в ЖЭТФ, 115:10 (2022), 611–612  ; JETP Letters, 115:10 (2022), 574–580 |
1
|
|
2021 |
| 4. |
К. А. Иванов, Е. И. Гиршова, М. А. Калитеевский, “Моделирование ангармонических блоховских осцилляций: численные проблемы и нелинейные эффекты”, Письма в ЖТФ, 47:1 (2021), 42–46  ; K. A. Ivanov, E. I. Girshova, M. A. Kaliteevskii, “Simulation of anharmonic Bloch oscillations: numerical problems and nonlinear effects”, Tech. Phys. Lett., 47:1 (2021), 38–41 |
|
2020 |
| 5. |
А. Р. Губайдуллин, К. М. Морозов, М. А. Калитеевский, “Таммовские плазмоны в структурах с квазипериодическими металлическими решетками”, Письма в ЖЭТФ, 111:11 (2020), 763–766 ; A. R. Gubaydullin, K. M. Morozov, M. A. Kaliteevski, “Tamm plasmons in structures with quasiperiodic metal gratings”, JETP Letters, 111:11 (2020), 639–642  |
| 6. |
M. I. Mitrofanov, G. V. Voznyuk, S. N. Rodin, W. V. Lundin, V. P. Evtikhiev, A. F. Tsatsulnikov, M. A. Kaliteevski, “Calculation of the Ga+ FIB ion dose distribution by SEM image”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1390 ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1682–1684 |
4
|
| 7. |
К. М. Морозов, А. В. Белоновский, Е. И. Гиршова, К. А. Иванов, М. А. Калитеевский, “Свойства микрорезонатора на основе таммовского плазмона с внутрирезонаторными металлическими слоями и органической активной областью”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 280–284 ; K. M. Morozov, A. V. Belonovski, E. I. Girshova, K. A. Ivanov, M. A. Kaliteevskii, “Properties of a Tamm-plasmon-based microcavity with metal intracavity layers and an organic active region”, Semiconductors, 54:3 (2020), 350–354 |
| 8. |
А. В. Белоновский, Г. Р. Позина, Я. В. Левитский, К. М. Морозов, М. И. Митрофанов, Е. И. Гиршова, К. А. Иванов, С. Н. Родин, В. П. Евтихиев, М. А. Калитеевский, “Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 85–88 ; A. V. Belonovski, G. R. Pozina, Ya. V. Levitskii, K. M. Morozov, M. I. Mitrofanov, E. I. Girshova, K. A. Ivanov, S. N. Rodin, V. P. Evtikhiev, M. A. Kaliteevskii, “Strong coupling of excitons in hexagonal GaN microcavities”, Semiconductors, 54:1 (2020), 127–130 |
|
2019 |
| 9. |
S. N. Rodin, V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, A. V. Sakharov, S. O. Usov, M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, V. P. Evtikhiev, M. A. Kaliteevski, “GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2333 ; Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2335–2337 |
| 10. |
К. А. Иванов, А. Р. Губайдуллин, К. М. Морозов, М. Э. Сасин, М. А. Калитеевский, “Поправка к статье: “Анализ эффекта Парселла в волноводном режиме методом S-квантования” (том 122. N 5. 2017)”, Оптика и спектроскопия, 126:6 (2019), 862 ; K. A. Ivanov, A. R. Gubaidullin, K. M. Morozov, M. È. Sasin, M. A. Kaliteevskii, “Erratum to: “Analysis of the Purcell effect in the waveguide mode by S-quantization” [optics and spectroscopy 122(5), 835–842 (2017)]”, Optics and Spectroscopy, 126:6 (2019), 787 |
| 11. |
К. М. Морозов, А. В. Белоновский, К. А. Иванов, Е. И. Гиршова, М. А. Калитеевский, “Взаимодействие таммовского плазмона и экситона в органическом материале в режиме сильной связи”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1349–1353 ; K. M. Morozov, A. V. Belonovskii, K. A. Ivanov, E. I. Girshova, M. A. Kaliteevskii, “Interaction of a Tamm plasmon and exciton in an organic material in the strong coupling mode”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1314–1317 |
2
|
|
2018 |
| 12. |
К. М. Морозов, К. А. Иванов, N. Selenin, S. Mikhrin, D. De Sa Pereira, C. Menelaou, A. P. Monkman, М. А. Калитеевский, “Экспериментальное исследование усиления спонтанной эмиссии в микрорезонаторах на основе таммовских плазмонов с органической активной областью”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1308–1312 ; K. M. Morozov, K. A. Ivanov, N. Selenin, S. Mikhrin, D. De Sa Pereira, C. Menelaou, A. P. Monkman, M. A. Kaliteevskii, “Experimental study of spontaneous-emission enhancement in Tamm plasmon structures with an organic active region”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1420–1423 |
2
|
| 13. |
К. А. Иванов, А. Р. Губайдуллин, М. А. Калитеевский, “Квантование электромагнитного поля в трехмерных фотонных структурах на основе формализма матрицы рассеяния ($S$-квантование)”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1023–1027 ; K. A. Ivanov, A. R. Gubaidullin, M. A. Kaliteevskii, “Quantization of the electromagnetic field in three-dimensional photonic structures on the basis of the scattering matrix formalism ($S$ quantization)”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1145–1149 |
| 14. |
М. И. Митрофанов, Я. В. Левицкий, Г. В. Вознюк, Е. Е. Татаринов, С. Н. Родин, М. А. Калитеевский, В. П. Евтихиев, “Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 816–818 ; M. I. Mitrofanov, Ya. V. Levitskii, G. V. Voznyuk, E. E. Tatarinov, S. N. Rodin, M. A. Kaliteevskii, V. P. Evtikhiev, “Concentric hexagonal GaN structures for nanophotonics, fabricated by selective vapor-phase epitaxy with ion-beam etching”, Semiconductors, 52:7 (2018), 954–956 |
2
|
| 15. |
Г. Позина, М. А. Калитеевский, Е. В. Никитина, А. Р. Губайдуллин, К. А. Иванов, А. Ю. Егоров, “Исследование спонтанной эмиссии в брэгговских монослойных квантовых ямах InAs”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 736–740 ; G. Pozina, M. A. Kaliteevskii, E. V. Nikitina, A. R. Gubaidullin, K. A. Ivanov, A. Yu. Egorov, “Experimental study of spontaneous emission in Bragg multiple- quantum-well structures with InAs single-layer quantum wells”, Semiconductors, 52:7 (2018), 877–880 |
| 16. |
A. R. Gubaidullin, C. Symonds, J. Bellessa, K. A. Ivanov, E. D. Kolykhalova, M. E. Sasin, G. Pozina, M. A. Kaliteevski, “Purcell effect in Tamm plasmon structures with QD emitter”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 467 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 452–457 |
2
|
|
2017 |
| 17. |
А. Р. Губайдуллин, К. А. Иванов, В. В. Николаев, М. А. Калитеевский, “Эффект Парселла в одномерных разупорядоченных фотонных кристаллах”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 986–991 ; A. R. Gubaidullin, K. A. Ivanov, V. V. Nikolaev, M. A. Kaliteevskii, “Purcell effect in disordered one-dimensional photonic crystals”, Semiconductors, 51:7 (2017), 947–952 |
2
|
| 18. |
А. А. Лазаренко, К. А. Иванов, А. Р. Губайдуллин, М. А. Калитеевский, “Оптимизация вертикально-излучающего лазера с внутрирезонаторными металлическими слоями”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 547–550 ; A. Lazarenko, K. A. Ivanov, A. R. Gubaidullin, M. A. Kaliteevskii, “Optimization of vertical cavity lasers with intracavity metal layers”, Semiconductors, 51:4 (2017), 520–523 |
1
|
|
2016 |
| 19. |
К. А. Иванов, Е. И. Гиршова, М. А. Калитеевский, S. J. Clark, A. J. Gallant, “Ангармонические блоховские осцилляции электронов в электрически смещенных сверхрешетках”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1484–1489 ; K. A. Ivanov, E. I. Girshova, M. A. Kaliteevskii, S. J. Clark, A. J. Gallant, “Anharmonic Bloch oscillations of electrons in electrically biased superlattices”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1463–1468 |
| 20. |
А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, М. А. Калитеевский, К. А. Иванов, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, Ж. И. Алфёров, “Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 674–678 ; A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, M. A. Kaliteevskii, K. A. Ivanov, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, Zh. I. Alferov, “Multilayer heterostructures for quantum-cascade lasers operating in the terahertz frequency range”, Semiconductors, 50:5 (2016), 662–666 |
8
|
|
2015 |
| 21. |
K. A. Ivanov, A. G. Petrov, M. A. Kaliteevski, A. J. Gallant, “Anharmonic Bloch oscillation of electrons in biased superlattices”, Письма в ЖЭТФ, 102:12 (2015), 911–918 ; JETP Letters, 102:12 (2015), 796–802 |
5
|
| 22. |
V. N. Trukhin, A. S. Buyskih, A. D. Bouravlev, I. A. Mustafin, Yu. B. Samsonenko, A. V. Trukhin, G. E. Cirlin, M. A. Kaliteevski, D. A. Zeze, A. J. Gallant, “Generation of THz radiation by AlGaAs nanowires”, Письма в ЖЭТФ, 102:5 (2015), 348–353 ; JETP Letters, 102:5 (2015), 316–320 |
3
|
|
Обратная связь: