Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 4, страница 467 (Mi phts5863)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Optoelectronics, optical properties

Purcell effect in Tamm plasmon structures with QD emitter

A. R. Gubaidullinab, C. Symondsb, J. Bellessab, K. A. Ivanovac, E. D. Kolykhalovaade, M. E. Sasine, G. Pozinaf, M. A. Kaliteevskiacd

a St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia
b Univ Lyon, Université Claude Bernard Lyon 1, CNRS, Institut Lumière Matière, F-69622, LYON, France
c ITMO University, 197101 St. Petersburg, Russia
d St. Petersburg Scientific Center, 199034 St. Petersburg, Russia
e Ioffe Institute, 194021 St. Petersburg, Russia
f Department of Physics, Chemistry and Biology, Linköping University, 58183 Linköping, Sweden
PDF полного текста (30 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: We study Tamm plasmon structure based on GaAs/Al$_{0.95}$GaAs distributed Bragg reflector covered by thin silver layer, with active area formed by InAs quantum dots. We have measured the spectral and angular characteristics of photoluminescence and performed theoretical calculation of the spontaneous emission rate (modal Purcell factor) in the structure by using $S$-quantization formalism. We show that for Tamm plasmon mode the spontaneous emission can be enhanced by more than an order of magnitude, despite absorption in metallic layer.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-10503
Agence Nationale de la Recherche
Swedish Research Council
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 1.1.4.6
The work was supported by Russian Science Foundation grant N 16-12-10503. CS and JB acknowledge financial support from Agence Nationale de la Recherche (ANR) on ANR project NEHMESIS and FP7 project HyMeCav. GP acknowledge the Swedish Research Council (VR). KI acknowledge support Presidium of RAS grant 1.1.4.6 “Optoelectronic devices based on Tamm plasmons”.
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 4, Pages 452–457
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618040164
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. R. Gubaidullin, C. Symonds, J. Bellessa, K. A. Ivanov, E. D. Kolykhalova, M. E. Sasin, G. Pozina, M. A. Kaliteevski, “Purcell effect in Tamm plasmon structures with QD emitter”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 467; Semiconductors, 52:4 (2018), 452–457
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GubSymBel18}
\by A.~R.~Gubaidullin, C.~Symonds, J.~Bellessa, K.~A.~Ivanov, E.~D.~Kolykhalova, M.~E.~Sasin, G.~Pozina, M.~A.~Kaliteevski
\paper Purcell effect in Tamm plasmon structures with QD emitter
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 4
\pages 467
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5863}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740462}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 4
\pages 452--457
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618040164}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5863
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i4/p467
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:29
    PDF полного текста:5
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024