Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 10, страницы 1349–1353
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48288.34 (Mi phts5377) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Взаимодействие таммовского плазмона и экситона в органическом материале в режиме сильной связи

К. М. Морозовa, А. В. Белоновскийa, К. А. Ивановb, Е. И. Гиршоваac, М. А. Калитеевскийabc

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (432 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48288.34
Аннотация: Проведено теоретическое исследование взаимодействия таммовского плазмона с экситоном в органическом материале в режиме сильной связи. Структура представляла собой брэгговский отражатель из 5 пар слоев оксида кремния и оксида тантала, органического светоизлучающего слоя материала 4'-Bis($N$-carbazolyl)-1,1'-biphenyl и слоя серебра. Показано, что в такой структуре имеет место расщепление поляритонных мод (расщепление Раби) величиной $>$ 400 мэВ, что может сопровождаться увеличением ширины полосы люминесценции до 700 мэВ.
Ключевые слова: таммовский плазмон, органический светодиод, экситон, режим сильной связи.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-10503
Авторы выражают благодарность Российскому научному фонду (проект № 16-12-10503).
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 10, Pages 1314–1317
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619100142
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. М. Морозов, А. В. Белоновский, К. А. Иванов, Е. И. Гиршова, М. А. Калитеевский, “Взаимодействие таммовского плазмона и экситона в органическом материале в режиме сильной связи”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1349–1353; Semiconductors, 53:10 (2019), 1314–1317
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MorBelIva19}
\by К.~М.~Морозов, А.~В.~Белоновский, К.~А.~Иванов, Е.~И.~Гиршова, М.~А.~Калитеевский
\paper Взаимодействие таммовского плазмона и экситона в органическом материале в режиме сильной связи
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1349--1353
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5377}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48288.34}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41174856}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1314--1317
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619100142}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5377
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i10/p1349
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024