Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 4, страницы 547–550
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44350.8419 (Mi phts6192) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Оптимизация вертикально-излучающего лазера с внутрирезонаторными металлическими слоями

А. А. Лазаренкоab, К. А. Ивановabc, А. Р. Губайдуллинab, М. А. Калитеевскийabd

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Санкт-Петербургский научный центр РАН
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (271 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44350.8419
Аннотация: Исследована зависимость затухания собственной оптической моды вертикально-излучающего лазера с внутрирезонаторными металлическими контактами от геометрических параметров системы. Показано, что наименьшее затухание имеет место для частоты собственной моды резонатора, отличной от брэгговской частоты зеркал. Методом $S$-квантования рассчитана вероятность спонтанной эмиссии, и показано, что для высокоэнергетической нечетной моды вероятность спонтанной эмиссии увеличивается на 2 порядка по сравнению с вероятностью эмиссии в свободном пространстве.
Поступила в редакцию: 28.09.2016
Принята в печать: 07.10.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 4, Pages 520–523
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617040121
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Лазаренко, К. А. Иванов, А. Р. Губайдуллин, М. А. Калитеевский, “Оптимизация вертикально-излучающего лазера с внутрирезонаторными металлическими слоями”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 547–550; Semiconductors, 51:4 (2017), 520–523
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LazIvaGub17}
\by А.~А.~Лазаренко, К.~А.~Иванов, А.~Р.~Губайдуллин, М.~А.~Калитеевский
\paper Оптимизация вертикально-излучающего лазера с внутрирезонаторными металлическими слоями
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 4
\pages 547--550
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6192}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44350.8419}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404899}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 4
\pages 520--523
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617040121}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6192
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i4/p547
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:27
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024