|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. Н. Николаев, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, М. И. Кандратов, И. Н. Гордеев, А. Е. Гришин, А. Е. Казакова, П. С. Гаврина, К. В. Бахвалов, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин, “Мощные многомодовые полупроводниковые лазеры (λ = 976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью излучения в перпендикулярной плоскости”, Квантовая электроника, 53:5 (2023), 374–378  [S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, D. N. Nikolaev, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, M. Kandratov, I. Gordeev, A. E. Grishin, A. E. Kazakova, P. S. Gavrina, K. Bakhvalov, P. S. Kop'ev, N. A. Pikhtin, “High-power multimode semiconductor lasers (976 nm) based on asymmetric heterostructures with a broadened waveguide and reduced vertical divergence”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 9 (2023), S976–S983] |
| 2. |
А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, В. В. Шамахов, А. Э. Ризаев, М. И. Кондратов, А. А. Климов, С. В. Зазулин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Лазерные диоды (850 нм) на основе асимметричной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с объемной активной областью для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов”, Квантовая электроника, 53:1 (2023), 1–5 [A. A. Podoskin, I. Shushkanov, V. V. Shamakhov, A. Rizaev, M. Kondratov, A. A. Klimov, S. V. Zazulin, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Laser diodes (850nm) based on an asymmetric AlGaAs/GaAs heterostructure with a bulk active region for generating high-power subnanosecond optical pulses”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 5 (2023), S513–S519] |
|
2022 |
| 3. |
С. О. Слипченко, Д. А. Веселов, В. В. Золотарев, А. В. Лютецкий, А. А. Подоскин, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин, “Мощные лазерные диоды на основе InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs-гетероструктур с низкими внутренними оптическими потерями”, Квантовая электроника, 52:12 (2022), 1152–1165 [S. O. Slipchenko, D. A. Veselov, V. V. Zolotarev, A. V. Lyutetskiy, A. A. Podoskin, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, P. S. Kop'ev, N. A. Pikhtin, “High-power laser diodes based on InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs heterostructures with low internal optical losses”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 4 (2023), S494–S512] |
7
|
|
2021 |
| 4. |
И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, В. В. Шамахов, Н. В. Воронкова, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Мощные непрерывные лазеры InGaAs/AlGaAs (1070 нм) с расширенным латеральным волноводом мезаполосковой конструкции”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 344–348  ; I. S. Shashkin, A. Yu. Leshko, V. V. Shamakhov, N. V. Voronkova, V. A. Kapitonov, K. V. Bakhvalov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “High-power CW InGaAs/AlGaAs (1070 nm) lasers with a broadened lateral waveguide of a mesa-stripe structure”, Semiconductors, 55:4 (2021), 455–459 |
6
|
| 5. |
И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, В. В. Шамахов, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, К. В. Бахвалов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Исследование динамики выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров (1070 nm) с маломодовым латеральным волноводом мезаполосковой конструкции при сверхвысоких токах накачки”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021), 42–45 ; I. S. Shashkin, A. Yu. Leshko, V. V. Shamakhov, D. N. Romanovich, V. A. Kapitonov, K. V. Bakhvalov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “Output optical power dynamics of semiconductor lasers (1070 nm) with a few-mode lateral waveguide of mesa-stripe design at ultrahigh drive currents”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 368–371 |
1
|
| 6. |
Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, К. В. Бахвалов, В. В. Шамахов, С. О. Слипченко, В. В. Андрюшкин, Н. А. Пихтин, “Оптическое поглощение в волноводе AlGaAs-гетероструктуры n-типа”, Квантовая электроника, 51:11 (2021), 987–991 [Yu. K. Bobretsova, D. A. Veselov, A. A. Klimov, K. V. Bakhvalov, V. V. Shamakhov, S. O. Slipchenko, V. V. Andryushkin, N. A. Pikhtin, “Optical absorption in a waveguide based on an n-type AlGaAs heterostructure”, Quantum Electron., 51:11 (2021), 987–991   ] |
2
|
| 7. |
П. С. Гаврина, А. А. Подоскин, Е. В. Фомин, Д. А. Веселов, В. В. Шамахов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Ватт-амперные характеристики мощных импульсных полупроводниковых лазеров (1060 нм), работающих при повышенных (до 90 °С) температурах”, Квантовая электроника, 51:2 (2021), 129–132 [P. S. Gavrina, A. A. Podoskin, E. V. Fomin, D. A. Veselov, V. V. Shamakhov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “Light–current characteristics of high-power pulsed semiconductor lasers (1060 nm) operating at increased (up to 90 °C) temperatures”, Quantum Electron., 51:2 (2021), 129–132 ] |
6
|
|
2020 |
| 8. |
И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, Д. Н. Николаев, В. В. Шамахов, Д. А. Веселов, Н. А. Рудова, К. В. Бахвалов, В. В. Золотарев, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Одномодовые лазеры (1050 нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 414–419 ; I. S. Shashkin, A. Yu. Leshko, D. N. Nikolaev, V. V. Shamakhov, D. A. Veselov, N. A. Rudova, K. V. Bakhvalov, V. V. Zolotarev, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “Single-mode lasers (1050 nm) of mesa-stripe design based on an AlGaAs/GaAs heterostructure with an ultra-narrow waveguide”, Semiconductors, 54:4 (2020), 489–494 |
5
|
| 9. |
И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, Д. Н. Николаев, В. В. Шамахов, Н. А. Рудова, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, В. А. Капитонов, В. В. Золотарев, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 408–413 |
1
|
|
2019 |
| 10. |
В. В. Шамахов, Д. Н. Николаев, В. С. Головин, Д. А. Веселов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Исследование многомодовых полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры типа зарощенная меза”, Квантовая электроника, 49:12 (2019), 1172–1174 [V. V. Shamakhov, D. N. Nikolaev, V. S. Golovin, D. A. Veselov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Study of multimode semiconductor lasers with buried mesas”, Quantum Electron., 49:12 (2019), 1172–1174 ] |
1
|
| 11. |
Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, Л. С. Вавилова, В. В. Шамахов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “AlGaAs/GaAs/InGaAs-лазеры со сверхузким волноводом”, Квантовая электроника, 49:7 (2019), 661–665 [Yu. K. Bobretsova, D. A. Veselov, A. A. Klimov, L. S. Vavilova, V. V. Shamakhov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Ultranarrow-waveguide AlGaAs/GaAs/InGaAs lasers”, Quantum Electron., 49:7 (2019), 661–665 ] |
5
|
|
2017 |
| 12. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, И. С. Тарасов, В. В. Шамахов, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 124–132 ; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, I. S. Tarasov, V. V. Shamakhov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Epitaxial Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg alloys with different conductivity types”, Semiconductors, 51:1 (2017), 122–130 |
|
2016 |
| 13. |
Д. А. Веселов, И. С. Шашкин, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, М. Г. Растегаева, С. О. Слипченко, Е. А. Бечвай, В. А. Стрелец, В. В. Шамахов, И. С. Тарасов, “К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1247–1252 ; D. A. Veselov, I. S. Shashkin, K. V. Bakhvalov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, M. G. Rastegaeva, S. O. Slipchenko, E. A. Bechvay, V. A. Strelets, V. V. Shamakhov, I. S. Tarasov, “On the problem of internal optical loss and current leakage in laser heterostructures based on AlGaInAs/InP solid solutions”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1225–1230 |
8
|
|
2015 |
| 14. |
Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, Н. В. Воронкова, И. С. Тарасов, “Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера”, Квантовая электроника, 45:7 (2015), 604–606 [D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, N. V. Voronkova, I. S. Tarasov, “Study of the absorption coefficient in layers of a semiconductor laser heterostructure”, Quantum Electron., 45:7 (2015), 604–606 ] |
15
|
| 15. |
Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, В. А. Капитонов, И. С. Тарасов, “Влияние параметров лазерного резонатора на насыщение ватт-амперных характеристик мощных импульсных лазеров”, Квантовая электроника, 45:7 (2015), 597–600 [D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, V. A. Kapitonov, I. S. Tarasov, “Effect of laser cavity parameters on saturation of light – current characteristics of high-power pulsed lasers”, Quantum Electron., 45:7 (2015), 597–600 ] |
20
|
|
2014 |
| 16. |
Д. А. Веселов, В. А. Капитонов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, И. С. Тарасов, “Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (λ = 1.0 – 1.1 мкм) в импульсном режиме генерации”, Квантовая электроника, 44:11 (2014), 993–996 [D. A. Veselov, V. A. Kapitonov, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, I. S. Tarasov, “Saturation of light – current characteristics of high-power lasers (λ = 1.0 – 1.1 mm) in pulsed regime”, Quantum Electron., 44:11 (2014), 993–996 ] |
40
|
|
Обратная связь: