Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Tetelbaum, David Isaakovich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 32
Scientific articles: 32

Number of views:
This page:140
Abstract pages:1803
Full texts:802
Professor
Doctor of physico-mathematical sciences
E-mail:

https://www.mathnet.ru/eng/person136445
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
2020
1. A. V. Antonov, A. I. Elkina, V. K. Vasil'ev, M. A. Galin, D. V. Masterov, A. N. Mikhaylov, S. V. Morozov, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, D. I. Tetelbaum, S. S. Ustavshchikov, P. A. Yunin, D. A. Savinov, “Experimental observation of $s$-component of superconducting pairing in thin disordered HTSC films based on YBCO”, Fizika Tverdogo Tela, 62:9 (2020),  1434–1439  mathnet  elib; Phys. Solid State, 62:9 (2020), 1598–1603 3
2. S. V. Tikhov, A. I. Belov, D. S. Korolev, I. N. Antonov, A. A. Sushkov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, O. N. Gorshkov, A. N. Mikhaylov, “Electrophysical characteristics of multilayer memristive nanostructures based on yttria-stabilized zirconia and tantalum oxide”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 90:2 (2020),  298–304  mathnet  elib; Tech. Phys., 65:2 (2020), 284–290 4
3. E. V. Okulich, V. I. Okulich, D. I. Tetelbaum, “Calculating silicon-amorphization doses under medium-energy light-ion irradiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:8 (2020),  771–777  mathnet  elib; Semiconductors, 54:8 (2020), 916–922 3
4. E. V. Okulich, V. I. Okulich, D. I. Tetelbaum, “Impact of oxygen vacancies on the formation and structure of filaments in SiO$_2$-based memristors”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:1 (2020),  24–27  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 19–22 9
2019
5. A. V. Antonov, A. V. Ikonnikov, D. V. Masterov, A. N. Mikhaylov, S. V. Morozov, Yu. N. Nozdrin, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, D. I. Tetelbaum, S. S. Ustavshchikov, P. A. Yunin, D. A. Savinov, “Phase diagrams of thin disordered films based on HTSC YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ in external magnetic fields”, Fizika Tverdogo Tela, 61:9 (2019),  1573–1578  mathnet  elib; Phys. Solid State, 61:9 (2019), 1523–1528 4
6. D. I. Tetelbaum, V. S. Tulovchikov, Yu. A. Mendeleva, E. V. Kuril'chik, A. A. Nikolskaya, A. V. Stepanov, “Role of the solid–aqueous medium interface in transferring light-induced excitation of silicon”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 89:9 (2019),  1427–1433  mathnet  elib; Tech. Phys., 64:9 (2019), 1350–1356 1
7. I. E. Tyschenko, M. Voelskow, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, “Diffusion and interaction of In and As implanted into SiO$_2$ films”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:8 (2019),  1023–1029  mathnet  elib; Semiconductors, 53:8 (2019), 1004–1010 3
8. E. V. Okulich, M. N. Koryazhkina, D. S. Korolev, A. I. Belov, M. E. Shenina, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, I. N. Antonov, Yu. A. Dudin, “The effect of irradiation with Si$^{+}$ ions on the resistive switching of memristive structures based on yttria stabilized zirconia”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:14 (2019),  3–6  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 690–693 2
2018
9. S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, I. N. Antonov, D. I. Tetelbaum, A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, A. I. Morozov, P. Karakolis, P. Dimitrakis, “Behavioral features of MIS memristors with a Si$_{3}$N$_{4}$ nanolayer fabricated on a conductive Si substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1436–1442  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1540–1546 13
10. E. V. Okulich, V. I. Okulich, D. I. Tetelbaum, “Calculation of the influence of the ion current density and temperature on the accumulation kinetics of point defects under the irradiation of Si with light ions”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:9 (2018),  967–972  mathnet  elib; Semiconductors, 52:9 (2018), 1091–1096 2
11. A. N. Tereshchenko, D. S. Korolev, A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, A. A. Nikolskaya, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, E. A. Steinman, “Effect of boron impurity on the light-emitting properties of dislocation structures formed in silicon by Si$^{+}$ ion implantation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:7 (2018),  702–707  mathnet  elib; Semiconductors, 52:7 (2018), 843–848 7
2017
12. D. S. Korolev, A. A. Nikolskaya, N. O. Krivulin, A. I. Belov, A. N. Mikhaylov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, N. A. Sobolev, M. Kumar, “Formation of hexagonal 9$R$ silicon polytype by ion implantation”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 43:16 (2017),  87–92  mathnet; Tech. Phys. Lett., 43:8 (2017), 767–769 9
2016
13. S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, I. N. Antonov, A. P. Kasatkin, D. S. Korolev, A. I. Belov, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, “Change of immitance during electroforming and resistive switching in the metal-insulator-metal memristive structures based on SiO$_{x}$”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 86:5 (2016),  107–111  mathnet  elib; Tech. Phys., 61:5 (2016), 745–749 16
14. D. S. Korolev, A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, V. K. Vasil'ev, D. V. Guseinov, E. V. Okulich, A. A. Shemukhin, S. I. Surodin, D. E. Nikolichev, A. V. Nezhdanov, A. V. Pirogov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, “Layer-by-layer composition and structure of silicon subjected to combined gallium and nitrogen ion implantation for the ion synthesis of gallium nitride”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:2 (2016),  274–278  mathnet  elib; Semiconductors, 50:2 (2016), 271–275 7
15. N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, M. V. Konovalov, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, E. I. Shek, K. F. Shtel'makh, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, “Si:Si LEDs with room-temperature dislocation-related luminescence”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:2 (2016),  241–244  mathnet  elib; Semiconductors, 50:2 (2016), 240–243 11
16. A. I. Belov, A. N. Mikhaylov, D. S. Korolev, V. A. Sergeev, I. N. Antonov, O. N. Gorshkov, D. I. Tetelbaum, “Resistive switching in Au/SiO$_{x}$/TiN/Ti memristive structures with varied geometric parameters and stoichiometry of dielectric film”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:10 (2016),  17–24  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 505–508 4
1992
17. N. E. Lobanova, V. V. Karzanov, D. I. Tetelbaum, “Об аномальной дозовой зависимости концентрации $VV$-центров в кремнии при ионной имплантации азота”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:8 (1992),  1514–1516  mathnet
1990
18. A. P. Pavlov, D. I. Tetelbaum, E. V. Kuril'chik, I. G. Romanov, “On the mechanism of property modification in metals with strong structural imperfections at low ion irradiation doses”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 311:3 (1990),  606–608  mathnet
1989
19. N. E. Lobanova, P. V. Pavlov, D. I. Tetelbaum, L. V. Potapova, “Немонотонный характер дозовой зависимости электрических свойств и химической стойкости азотированного ионной имплантацией кремния”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989),  2149–2152  mathnet
20. V. D. Skupov, D. I. Tetelbaum, G. V. Shengurov, “INFLUENCE OF EXTENDED DEFECTS IN ORIGINAL CRYSTALS ON THE REMOTE-CONTROL EFFECT UNDER IONIC IMPLANTATION”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:22 (1989),  44–47  mathnet
1988
21. Yu. A. Semin, V. D. Skupov, D. I. Tetelbaum, “INTENSIFICATION OF ELASTIC-WAVES GENERATED BY ION BOMBARDING DURING DISTRIBUTION IN CRYSTALS WITH CLUSTER DEFECTS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:3 (1988),  273–276  mathnet
1987
22. V. D. Skupov, D. I. Tetelbaum, “On the Effect of Elastic Stresses on the Transformation of Defect Accumulations in Semiconductors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:8 (1987),  1495–1497  mathnet
23. E. I. Zorin, N. V. Lisenkova, P. V. Pavlov, E. A. Pitirimova, D. I. Tetelbaum, “Effect of Long-Distant Action under Ionic Irradiation of «Oxygenless» Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:5 (1987),  904–910  mathnet
1986
24. Yu. V. Pavlov, Yu. A. Semin, V. D. Skupov, D. I. Tetelbaum, “Effect of Elastic Waves Arising under Ionic Bombardment on Structure Perfection of Semiconductor Crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:3 (1986),  503–507  mathnet
1985
25. A. S. Vasin, V. I. Okulich, V. A. Panteleev, D. I. Tetelbaum, “Pressure effect on recrystallization rate of amorphous silicon layer at postimplantation annealing”, Fizika Tverdogo Tela, 27:1 (1985),  274–277  mathnet
26. N. P. Morozov, V. D. Skupov, D. I. Tetelbaum, “Defect Formation in Silicon under Ion Bombardment beyond the Limits of Ion-Parth Range”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:3 (1985),  464–468  mathnet
1983
27. D. I. Tetelbaum, “Связь аморфизуемости алмазоподобных полупроводников с их механическими свойствами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:6 (1983),  1045–1048  mathnet
28. N. P. Morozov, D. I. Tetelbaum, “Глубокое проникновение радиационных дефектов из ионно-имплантированного слоя в объем полупроводника”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:5 (1983),  838–842  mathnet
1979
29. P. V. Pavlov, D. I. Tetelbaum, A. I. Gerasimov, “The short-range order in $\mathrm{InSb}$, arriorphized by the ion bombardment”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 248:6 (1979),  1335–1337  mathnet
1974
30. P. V. Pavlov, D. I. Tetelbaum, A. V. Pavlov, E. I. Zorin, “Structural transformations during the bombardment of iron, nickel, and molybdenum with $\mathrm{Ar}^+$, $\mathrm{N}^+$ and $\mathrm{C}^+$ ions”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 217:2 (1974),  330–332  mathnet
1970
31. A. I. Gerasimov, E. I. Zorin, P. V. Pavlov, D. I. Tetelbaum, “Relationship between the amorphization and the point defect formation during ionic bombardment of germanium and silicon”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 192:2 (1970),  324–326  mathnet
1967
32. P. V. Pavlov, D. I. Tetelbaum, “Structure of amorphous germanium obtained from crystalline germanium by bombardment with argon ions”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 175:4 (1967),  823–825  mathnet

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024