Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Шастин Валерий Николаевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 31
Научных статей: 31

Статистика просмотров:
Эта страница:169
Страницы публикаций:2350
Полные тексты:679
Списки литературы:149
профессор
доктор физико-математических наук
E-mail:

https://www.mathnet.ru/rus/person90717
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2023
1. Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Механизм вынужденного комбинационного рассеяния света в кремнии, легированном гелиеподобными донорами”, Квантовая электроника, 53:5 (2023),  401–405  mathnet [R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “The mechanism of stimulated Raman scattering of light in silicon doped with helium-like donors”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 9 (2023), S1015–S1021]
2022
2. Р. Х. Жукавин, П. А. Бушуйкин, В. Д. Кукотенко, Ю. Ю. Чопорова, Н. Дессманн, К. А. Ковалевский, В. В. Цыпленков, В. В. Герасимов, Б. А. Князев, Н. В. Абросимов, В. Н. Шастин, “Обнаружение осцилляций Рамсея в германии, легированном мелкими донорами, при возбуждении перехода $1s\to2p_0$”, Письма в ЖЭТФ, 116:3 (2022),  139–145  mathnet; R. Kh. Zhukavin, P. A. Bushuikin, V. D. Kukotenko, Yu. Yu. Choporova, N. Deßmann, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. V. Gerasimov, B. A. Knyazev, N. V. Abrosimov, V. N. Shastin, “Detection of Ramsey oscillations in germanium doped with shallow donors upon the excitation of the $1s\to2p_0$ transition”, JETP Letters, 116:3 (2022), 137–143 1
2021
3. А. А. Ревин, А. М. Михайлова, А. А. Конаков, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Долинно-орбитальное взаимодействие в германии, легированном донорами V группы: количественный анализ”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  901–907  mathnet  elib; A. A. Revin, A. M. Mikhaylova, A. A. Konakov, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “Quantitative analysis of valley–orbit coupling in germanium doped with group-V donors”, Semiconductors, 55:12 (2021), 879–884
4. В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Междолинные процессы релаксации состояний мелких доноров в германии”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  807–812  mathnet  elib; V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “Intervalley relaxation processes of shallow donor states in germanium”, Semiconductors, 55:10 (2021), 799–803
2020
5. К. А. Ковалевский, Ю. Ю. Чопорова, Р. Х. Жукавин, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, H.-W. Hübers, В. В. Цыпленков, В. Д. Кукотенко, Б. А. Князев, В. Н. Шастин, “Релаксация возбужденных состояний мышьяка в деформированном германии”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1145–1149  mathnet  elib; K. A. Kovalevsky, Yu. Yu. Choporova, R. Kh. Zhukavin, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, V. V. Tsyplenkov, V. D. Kukotenko, B. A. Knyazev, V. N. Shastin, “Relaxation of the excited states of arsenic in strained germanium”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1347–1351 1
6. А. А. Ревин, А. М. Михайлова, А. А. Конаков, В. Н. Шастин, “Электронные состояния доноров V группы в германии: вариационный расчет с учетом короткодействующего потенциала”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  938–944  mathnet  elib; A. A. Revin, A. M. Mikhaylova, A. A. Konakov, V. N. Shastin, “Electronic states of group V donors in germanium: variational calculation taking into account the short-range potential”, Semiconductors, 54:9 (2022), 1127–1133 1
7. В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Влияние одноосной деформации в направлении [110] на релаксацию состояний мелких доноров мышьяка в германии”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  918–921  mathnet  elib; V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “Influence of uniaxial stress along [110] direction on relaxation of arsenic shallow donor states in germanium”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1108–1111
8. Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, С. Г. Павлов, N. Deßmann, A. Pohl, В. В. Цыпленков, Н. В. Абросимов, H. Riemann, H.-W. Hübers, В. Н. Шастин, “Перестройка спектра терагерцового стимулированного излучения при внутрицентровом оптическом возбуждении одноосно-деформированного Si : Bi”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  816–821  mathnet  elib; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, S. G. Pavlov, N. Deßmann, A. Pohl, V. V. Tsyplenkov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Frequency tuning of terahertz stimulated emission under the intracenter optical excitation of uniaxially stressed Si:Bi”, Semiconductors, 54:8 (2020), 969–974 1
9. В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “О возможности интерференции Рамсея в германии, легированном мелкими примесями”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  807–811  mathnet  elib; V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “On the possibility of Ramsey interference in germanium doped with shallow impurities”, Semiconductors, 54:8 (2020), 961–965
2019
10. Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, Ю. Ю. Чопорова, В. В. Цыпленков, В. В. Герасимов, П. А. Бушуйкин, Б. А. Князев, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, Г.-В. Хьюберс, В. Н. Шастин, “Времена релаксации и инверсия населенностей возбужденных состояний доноров As в германии”, Письма в ЖЭТФ, 110:10 (2019),  677–682  mathnet  elib; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevskii, Yu. Yu. Choporova, V. V. Tsyplenkov, V. V. Gerasimov, P. A. Bushuikin, B. A. Knyazev, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Relaxation times and population inversion of excited states of arsenic donors in germanium”, JETP Letters, 110:10 (2019), 677–682  isi  scopus 13
11. В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Внутрицентровая релаксация мелких доноров сурьмы в деформированном германии”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1372–1377  mathnet  elib; V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “On the intracenter relaxation of shallow antimony donors in strained germanium”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1334–1339 3
12. Р. Х. Жукавин, С. Г. Павлов, A. Pohl, Н. В. Абросимов, H. Riemann, B. Redlich, H.-W. Hübers, В. Н. Шастин, “Стимулированное терагерцовое излучение доноров висмута в одноосно-деформированном кремнии при внутрицентровом оптическом возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1285–1288  mathnet  elib; R. Kh. Zhukavin, S. G. Pavlov, A. Pohl, N. V. Abrosimov, H. Riemann, B. Redlich, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Stimulated terahertz emission of bismuth donors in uniaxially strained silicon under optical intracenter excitation”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1255–1257
13. В. Н. Шастин, Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, В. В. Цыпленков, В. В. Румянцев, Д. В. Шенгуров, С. Г. Павлов, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. Н. Лодыгин, Ю. А. Астров, Н. В. Абросимов, J. M. Klopf, H.-W. Hübers, “Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1263–1266  mathnet  elib; V. N. Shastin, R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. V. Rumyantsev, D. V. Shengurov, S. G. Pavlov, V. B. Shuman, L. M. Portsel', A. N. Lodygin, Yu. A. Astrov, N. V. Abrosimov, J. M. Klopf, H.-W. Hübers, “Chemical shift and exchange interaction energy of the $1s$ states of magnesium donors in silicon. The possibility of stimulated emission”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1234–1237 7
2018
14. В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Внутрицентровая релаксация мелких доноров мышьяка в деформированном германии. Инверсия населенностей при оптическом возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1469–1476  mathnet  elib; V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “On the intracenter relaxation of shallow arsenic donors in stressed germanium. Population inversion under optical excitation”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1573–1580 11
2017
15. Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, С. М. Сергеев, Ю. Ю. Чопорова, В. В. Герасимов, В. В. Цыпленков, Б. А. Князев, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, В. Н. Шастин, Г. Шнайдер, Н. Дессманн, О. А. Шевченко, Н. А. Винокуров, Г. Н. Кулипанов, Г.-В. Хьюберс, “Времена низкотемпературной внутрицентровой релаксации мелких доноров в Ge”, Письма в ЖЭТФ, 106:9 (2017),  555–560  mathnet  elib; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevskii, S. M. Sergeev, Yu. Yu. Choporova, V. V. Gerasimov, V. V. Tsyplenkov, B. A. Knyazev, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, V. N. Shastin, H. Schneider, N. Deßmann, O. A. Shevchenko, N. A. Vinokurov, G. N. Kulipanov, H.-W. Hübers, “Low-temperature intracenter relaxation times of shallow donors in germanium”, JETP Letters, 106:9 (2017), 571–575  isi  scopus 15
2016
16. К. А. Ковалевский, Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, С. Г. Павлов, Г.-В. Хьюберс, Н. В. Абросимов, В. Н. Шастин, “Поляризация терагерцового стимулированного излучения доноров в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1701–1705  mathnet  elib; K. A. Kovalevsky, R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, N. V. Abrosimov, V. N. Shastin, “Polarization of the induced THz emission of donors in silicon”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1673–1677
17. Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, М. Л. Орлов, В. В. Цыпленков, H.-W. Hübers, N. Dessmann, Д. В. Козлов, В. Н. Шастин, “Поглощение и излучение в терагерцовом диапазоне частот при фотоионизации акцепторов в одноосно-деформированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1479–1483  mathnet  elib; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, M. L. Orlov, V. V. Tsyplenkov, H.-W. Hübers, N. Dessmann, D. V. Kozlov, V. N. Shastin, “Terahertz absorption and emission upon the photoionization of acceptors in uniaxially stressed silicon”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1458–1462
18. А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин, Д. В. Шенгуров, Н. В. Абросимов, “Терагерцовое излучение при примесном пробое в Si(Li)”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  18–23  mathnet  elib; A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, D. V. Shengurov, N. V. Abrosimov, “Terahertz emission at impurity electrical breakdown in Si(Li)”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1031–1033
2015
19. К. А. Ковалевский, Н. В. Абросимов, Р. Х. Жукавин, С. Г. Павлов, Г. -В. Хьюберс, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Терагерцевые лазеры на внутрицентровых переходах доноров V группы в одноосно деформированном кремнии”, Квантовая электроника, 45:2 (2015),  113–120  mathnet  elib [K. A. Kovalevsky, N. V. Abrosimov, R. Kh. Zhukavin, S. G. Pavlov, H. -W. Hübers, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “Terahertz lasers based on intracentre transitions of group V donors in uniaxially deformed silicon”, Quantum Electron., 45:2 (2015), 113–120  isi  scopus] 6
20. Н. А. Бекин, В. Н. Шастин, “Стимулированное излучение на примесно-зонных оптических переходах в полупроводниках”, Квантовая электроника, 45:2 (2015),  105–112  mathnet  elib [N. A. Bekin, V. N. Shastin, “Stimulated emission on impurity – band optical transitions in semiconductors”, Quantum Electron., 45:2 (2015), 105–112  isi  scopus] 1
2014
21. А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин, Н. В. Абросимов, А. В. Бобылев, “Терагерцовая внутрицентровая фотолюминесценция кремния с литием при межзонном возбуждении”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  876–880  mathnet  elib; A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, N. V. Abrosimov, A. V. Bobylev, “Terahertz intracenter photoluminescence of silicon with lithium at interband excitation”, JETP Letters, 100:12 (2014), 771–775  isi  elib  scopus 6
1993
22. А. В. Муравьев, И. М. Нефедов, С. Г. Павлов, В. Н. Шастин, “Перестраиваемый узкополосный лазер на межподзонных переходах горячих дырок германия”, Квантовая электроника, 20:2 (1993),  142–148  mathnet [A. V. Murav'ev, I. M. Nefedov, S. G. Pavlov, V. N. Shastin, “Tunable narrowband laser that operates on interband transitions of hot holes in germanium”, Quantum Electron., 23:2 (1993), 119–124  isi] 27
1990
23. С. В. Демиховский, А. В. Муравьев, С. Г. Павлов, В. Н. Шастин, “Перестройка спектра излучения лазера на $p$-Ge при одноосной деформации”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2151–2154  mathnet
24. Г. М. Генкин, Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, В. Н. Шастин, “Исследование $n$-HgTe в сильных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1616–1617  mathnet
1989
25. А. В. Муравьев, И. М. Нефедов, Ю. Н. Ноздрин, В. Н. Шастин, “Анизотропия валентной зоны и стимулированное излучение горячих дырок $p$-Ge в скрещенных электрическом и магнитном полях”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1728–1736  mathnet
1987
26. Ю. А. Митягин, А. В. Муравьев, В. Н. Мурзин, Ю. Н. Ноздрин, С. А. Павлов, С. А. Стоклицкий, И. Е. Трофимов, А. П. Чеботарев, В. Н. Шастин, “Тонкая структура спектра стимулированного длинноволнового ИК излучения $p$-Ge в сильных $\mathbf{E}$ и $\mathbf{H}$ полях”, ЖТФ, 57:9 (1987),  1847–1850  mathnet  isi
27. А. В. Муравьев, Ю. Н. Ноздрин, С. А. Павлов, В. Н. Шастин, “Направленное стимулированное излучение лазера на горячих дырках $Ge$”, Письма в ЖТФ, 13:2 (1987),  65–68  mathnet  isi
28. А. А. Андронов, Ю. А. Митягин, А. В. Муравьев, В. Н. Мурзин, Ю. Н. Ноздрин, С. А. Павлов, С. А. Стоклицкий, И. Е. Трофимов, А. П. Чеботарев, В. Н. Шастин, “Длинноволновый ИК лазер на горячих дырках в германии”, Квантовая электроника, 14:4 (1987),  702–704  mathnet [A. A. Andronov, Yu. A. Mityagin, A. V. Murav'ev, V. N. Murzin, Yu. N. Nozdrin, S. A. Pavlov, S. A. Stoklitskiǐ, I. E. Trofimov, A. P. Chebotarev, V. N. Shastin, “Long-wavelength infrared laser utilizing hot holes in germanium”, Sov J Quantum Electron, 17:4 (1987), 442–443  isi] 1
1985
29. А. А. Андронов, В. А. Валов, В. А. Козлов, Ю. Н. Ноздрин, С. А. Павлов, В. Н. Шастин, “Перестраиваемый лазер длинноволнового ИК излучения на горячих дырках германия”, Письма в ЖТФ, 11:16 (1985),  1000–1004  mathnet  isi
1983
30. Г. М. Генкин, Ю. Н. Ноздрин, П. С. Разенштейн, В. Н. Шастин, “Фотонамагничивание магнитного полупроводника CdCr$_{2}$Se$_{4}$”, Физика твердого тела, 25:12 (1983),  3706–3708  mathnet  isi
1982
31. А. А. Андронов, В. И. Гавриленко, О. Ф. Гришин, В. Н. Мурзин, Ю. Н. Ноздрин, С. А. Стоклицкий, А. П. Чеботарев, В. Н. Шастин, “Наблюдение инверсии дырок в $\mathrm{G}$ в скрещенных $E$- и $H$-полях по спонтанному длинноволновому ИК излучению”, Докл. АН СССР, 267:2 (1982),  339–343  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024