|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
1. |
Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Механизм вынужденного комбинационного рассеяния света в кремнии, легированном гелиеподобными донорами”, Квантовая электроника, 53:5 (2023), 401–405 [R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “The mechanism of stimulated Raman scattering of light in silicon doped with helium-like donors”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 9 (2023), S1015–S1021] |
|
2022 |
2. |
Р. Х. Жукавин, П. А. Бушуйкин, В. Д. Кукотенко, Ю. Ю. Чопорова, Н. Дессманн, К. А. Ковалевский, В. В. Цыпленков, В. В. Герасимов, Б. А. Князев, Н. В. Абросимов, В. Н. Шастин, “Обнаружение осцилляций Рамсея в германии, легированном мелкими донорами, при возбуждении перехода $1s\to2p_0$”, Письма в ЖЭТФ, 116:3 (2022), 139–145 ; R. Kh. Zhukavin, P. A. Bushuikin, V. D. Kukotenko, Yu. Yu. Choporova, N. Deßmann, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. V. Gerasimov, B. A. Knyazev, N. V. Abrosimov, V. N. Shastin, “Detection of Ramsey oscillations in germanium doped with shallow donors upon the excitation of the $1s\to2p_0$ transition”, JETP Letters, 116:3 (2022), 137–143 |
1
|
|
2021 |
3. |
А. А. Ревин, А. М. Михайлова, А. А. Конаков, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Долинно-орбитальное взаимодействие в германии, легированном донорами V группы: количественный анализ”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 901–907 ; A. A. Revin, A. M. Mikhaylova, A. A. Konakov, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “Quantitative analysis of valley–orbit coupling in germanium doped with group-V donors”, Semiconductors, 55:12 (2021), 879–884 |
4. |
В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Междолинные процессы релаксации состояний мелких доноров в германии”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 807–812 ; V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “Intervalley relaxation processes of shallow donor states in germanium”, Semiconductors, 55:10 (2021), 799–803 |
|
2020 |
5. |
К. А. Ковалевский, Ю. Ю. Чопорова, Р. Х. Жукавин, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, H.-W. Hübers, В. В. Цыпленков, В. Д. Кукотенко, Б. А. Князев, В. Н. Шастин, “Релаксация возбужденных состояний мышьяка в деформированном германии”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1145–1149 ; K. A. Kovalevsky, Yu. Yu. Choporova, R. Kh. Zhukavin, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, V. V. Tsyplenkov, V. D. Kukotenko, B. A. Knyazev, V. N. Shastin, “Relaxation of the excited states of arsenic in strained germanium”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1347–1351 |
1
|
6. |
А. А. Ревин, А. М. Михайлова, А. А. Конаков, В. Н. Шастин, “Электронные состояния доноров V группы в германии: вариационный расчет с учетом короткодействующего потенциала”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 938–944 ; A. A. Revin, A. M. Mikhaylova, A. A. Konakov, V. N. Shastin, “Electronic states of group V donors in germanium: variational calculation taking into account the short-range potential”, Semiconductors, 54:9 (2022), 1127–1133 |
1
|
7. |
В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Влияние одноосной деформации в направлении [110] на релаксацию состояний мелких доноров мышьяка в германии”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 918–921 ; V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “Influence of uniaxial stress along [110] direction on relaxation of arsenic shallow donor states in germanium”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1108–1111 |
8. |
Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, С. Г. Павлов, N. Deßmann, A. Pohl, В. В. Цыпленков, Н. В. Абросимов, H. Riemann, H.-W. Hübers, В. Н. Шастин, “Перестройка спектра терагерцового стимулированного излучения при внутрицентровом оптическом возбуждении
одноосно-деформированного Si : Bi”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 816–821 ; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, S. G. Pavlov, N. Deßmann, A. Pohl, V. V. Tsyplenkov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Frequency tuning of terahertz stimulated emission under the intracenter optical excitation of uniaxially stressed Si:Bi”, Semiconductors, 54:8 (2020), 969–974 |
1
|
9. |
В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “О возможности интерференции Рамсея в германии, легированном мелкими примесями”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 807–811 ; V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “On the possibility of Ramsey interference in germanium doped with shallow impurities”, Semiconductors, 54:8 (2020), 961–965 |
|
2019 |
10. |
Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, Ю. Ю. Чопорова, В. В. Цыпленков, В. В. Герасимов, П. А. Бушуйкин, Б. А. Князев, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, Г.-В. Хьюберс, В. Н. Шастин, “Времена релаксации и инверсия населенностей возбужденных состояний доноров As в германии”, Письма в ЖЭТФ, 110:10 (2019), 677–682 ; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevskii, Yu. Yu. Choporova, V. V. Tsyplenkov, V. V. Gerasimov, P. A. Bushuikin, B. A. Knyazev, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Relaxation times and population inversion of excited states of arsenic donors in germanium”, JETP Letters, 110:10 (2019), 677–682 |
13
|
11. |
В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Внутрицентровая релаксация мелких доноров сурьмы в деформированном германии”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1372–1377 ; V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “On the intracenter relaxation of shallow antimony donors in strained germanium”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1334–1339 |
3
|
12. |
Р. Х. Жукавин, С. Г. Павлов, A. Pohl, Н. В. Абросимов, H. Riemann, B. Redlich, H.-W. Hübers, В. Н. Шастин, “Стимулированное терагерцовое излучение доноров висмута в одноосно-деформированном кремнии при внутрицентровом оптическом возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1285–1288 ; R. Kh. Zhukavin, S. G. Pavlov, A. Pohl, N. V. Abrosimov, H. Riemann, B. Redlich, H.-W. Hübers, V. N. Shastin, “Stimulated terahertz emission of bismuth donors in uniaxially strained silicon under optical intracenter excitation”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1255–1257 |
13. |
В. Н. Шастин, Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, В. В. Цыпленков, В. В. Румянцев, Д. В. Шенгуров, С. Г. Павлов, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. Н. Лодыгин, Ю. А. Астров, Н. В. Абросимов, J. M. Klopf, H.-W. Hübers, “Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1263–1266 ; V. N. Shastin, R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. V. Rumyantsev, D. V. Shengurov, S. G. Pavlov, V. B. Shuman, L. M. Portsel', A. N. Lodygin, Yu. A. Astrov, N. V. Abrosimov, J. M. Klopf, H.-W. Hübers, “Chemical shift and exchange interaction energy of the $1s$ states of magnesium donors in silicon. The possibility of stimulated emission”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1234–1237 |
7
|
|
2018 |
14. |
В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Внутрицентровая релаксация мелких доноров мышьяка в деформированном германии. Инверсия населенностей при оптическом возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1469–1476 ; V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “On the intracenter relaxation of shallow arsenic donors in stressed germanium. Population inversion under optical excitation”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1573–1580 |
11
|
|
2017 |
15. |
Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, С. М. Сергеев, Ю. Ю. Чопорова, В. В. Герасимов, В. В. Цыпленков, Б. А. Князев, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, В. Н. Шастин, Г. Шнайдер, Н. Дессманн, О. А. Шевченко, Н. А. Винокуров, Г. Н. Кулипанов, Г.-В. Хьюберс, “Времена низкотемпературной внутрицентровой релаксации мелких доноров в Ge”, Письма в ЖЭТФ, 106:9 (2017), 555–560 ; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevskii, S. M. Sergeev, Yu. Yu. Choporova, V. V. Gerasimov, V. V. Tsyplenkov, B. A. Knyazev, N. V. Abrosimov, S. G. Pavlov, V. N. Shastin, H. Schneider, N. Deßmann, O. A. Shevchenko, N. A. Vinokurov, G. N. Kulipanov, H.-W. Hübers, “Low-temperature intracenter relaxation times of shallow donors in germanium”, JETP Letters, 106:9 (2017), 571–575 |
15
|
|
2016 |
16. |
К. А. Ковалевский, Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, С. Г. Павлов, Г.-В. Хьюберс, Н. В. Абросимов, В. Н. Шастин, “Поляризация терагерцового стимулированного излучения доноров в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1701–1705 ; K. A. Kovalevsky, R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, N. V. Abrosimov, V. N. Shastin, “Polarization of the induced THz emission of donors in silicon”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1673–1677 |
17. |
Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, М. Л. Орлов, В. В. Цыпленков, H.-W. Hübers, N. Dessmann, Д. В. Козлов, В. Н. Шастин, “Поглощение и излучение в терагерцовом диапазоне частот при фотоионизации акцепторов в одноосно-деформированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1479–1483 ; R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, M. L. Orlov, V. V. Tsyplenkov, H.-W. Hübers, N. Dessmann, D. V. Kozlov, V. N. Shastin, “Terahertz absorption and emission upon the photoionization of acceptors in uniaxially stressed silicon”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1458–1462 |
18. |
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин, Д. В. Шенгуров, Н. В. Абросимов, “Терагерцовое излучение при примесном пробое в Si(Li)”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 18–23 ; A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, D. V. Shengurov, N. V. Abrosimov, “Terahertz emission at impurity electrical breakdown in Si(Li)”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1031–1033 |
|
2015 |
19. |
К. А. Ковалевский, Н. В. Абросимов, Р. Х. Жукавин, С. Г. Павлов, Г. -В. Хьюберс, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Терагерцевые лазеры на внутрицентровых переходах доноров V группы в одноосно деформированном кремнии”, Квантовая электроника, 45:2 (2015), 113–120 [K. A. Kovalevsky, N. V. Abrosimov, R. Kh. Zhukavin, S. G. Pavlov, H. -W. Hübers, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, “Terahertz lasers based on intracentre transitions of group V donors in uniaxially deformed silicon”, Quantum Electron., 45:2 (2015), 113–120 ] |
6
|
20. |
Н. А. Бекин, В. Н. Шастин, “Стимулированное излучение на примесно-зонных оптических переходах в полупроводниках”, Квантовая электроника, 45:2 (2015), 105–112 [N. A. Bekin, V. N. Shastin, “Stimulated emission on impurity – band optical transitions in semiconductors”, Quantum Electron., 45:2 (2015), 105–112 ] |
1
|
|
2014 |
21. |
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин, Н. В. Абросимов, А. В. Бобылев, “Терагерцовая внутрицентровая фотолюминесценция
кремния с литием при межзонном возбуждении”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014), 876–880 ; A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, N. V. Abrosimov, A. V. Bobylev, “Terahertz intracenter photoluminescence of silicon with lithium at interband excitation”, JETP Letters, 100:12 (2014), 771–775 |
6
|
|
1993 |
22. |
А. В. Муравьев, И. М. Нефедов, С. Г. Павлов, В. Н. Шастин, “Перестраиваемый узкополосный лазер на межподзонных переходах горячих дырок германия”, Квантовая электроника, 20:2 (1993), 142–148 [A. V. Murav'ev, I. M. Nefedov, S. G. Pavlov, V. N. Shastin, “Tunable narrowband laser that operates on interband transitions of hot holes in germanium”, Quantum Electron., 23:2 (1993), 119–124 ] |
27
|
|
1990 |
23. |
С. В. Демиховский, А. В. Муравьев, С. Г. Павлов, В. Н. Шастин, “Перестройка спектра излучения лазера на $p$-Ge при одноосной
деформации”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2151–2154 |
24. |
Г. М. Генкин, Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, В. Н. Шастин, “Исследование $n$-HgTe в сильных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1616–1617 |
|
1989 |
25. |
А. В. Муравьев, И. М. Нефедов, Ю. Н. Ноздрин, В. Н. Шастин, “Анизотропия валентной зоны и стимулированное излучение горячих дырок
$p$-Ge в скрещенных электрическом и магнитном полях”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989), 1728–1736 |
|
1987 |
26. |
Ю. А. Митягин, А. В. Муравьев, В. Н. Мурзин, Ю. Н. Ноздрин, С. А. Павлов, С. А. Стоклицкий, И. Е. Трофимов, А. П. Чеботарев, В. Н. Шастин, “Тонкая структура спектра стимулированного длинноволнового ИК излучения
$p$-Ge в сильных $\mathbf{E}$ и $\mathbf{H}$ полях”, ЖТФ, 57:9 (1987), 1847–1850 |
27. |
А. В. Муравьев, Ю. Н. Ноздрин, С. А. Павлов, В. Н. Шастин, “Направленное стимулированное излучение лазера на горячих дырках $Ge$”, Письма в ЖТФ, 13:2 (1987), 65–68 |
28. |
А. А. Андронов, Ю. А. Митягин, А. В. Муравьев, В. Н. Мурзин, Ю. Н. Ноздрин, С. А. Павлов, С. А. Стоклицкий, И. Е. Трофимов, А. П. Чеботарев, В. Н. Шастин, “Длинноволновый ИК лазер на горячих дырках в германии”, Квантовая электроника, 14:4 (1987), 702–704 [A. A. Andronov, Yu. A. Mityagin, A. V. Murav'ev, V. N. Murzin, Yu. N. Nozdrin, S. A. Pavlov, S. A. Stoklitskiǐ, I. E. Trofimov, A. P. Chebotarev, V. N. Shastin, “Long-wavelength infrared laser utilizing hot holes in germanium”, Sov J Quantum Electron, 17:4 (1987), 442–443 ] |
1
|
|
1985 |
29. |
А. А. Андронов, В. А. Валов, В. А. Козлов, Ю. Н. Ноздрин, С. А. Павлов, В. Н. Шастин, “Перестраиваемый лазер длинноволнового ИК излучения на горячих дырках германия”, Письма в ЖТФ, 11:16 (1985), 1000–1004 |
|
1983 |
30. |
Г. М. Генкин, Ю. Н. Ноздрин, П. С. Разенштейн, В. Н. Шастин, “Фотонамагничивание магнитного полупроводника CdCr$_{2}$Se$_{4}$”, Физика твердого тела, 25:12 (1983), 3706–3708 |
|
1982 |
31. |
А. А. Андронов, В. И. Гавриленко, О. Ф. Гришин, В. Н. Мурзин, Ю. Н. Ноздрин, С. А. Стоклицкий, А. П. Чеботарев, В. Н. Шастин, “Наблюдение инверсии дырок в $\mathrm{G}$ в скрещенных $E$- и $H$-полях по спонтанному длинноволновому ИК излучению”, Докл. АН СССР, 267:2 (1982), 339–343 |
|