|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.
Электронные состояния доноров V группы в германии: вариационный расчет с учетом короткодействующего потенциала
А. А. Ревинab, А. М. Михайловаab, А. А. Конаковab, В. Н. Шастинb a Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
В рамках приближения огибающей функции рассчитаны волновые функции низколежащих $1s(A_{1})$-, $2s$-, $2p_{0}$-, $2p_\pm$-, $3p_{0}$-состояний мелких донорных центров P, As, Sb в германии с учетом короткодействующего потенциала примеси. Последний построен индивидуально для каждой примеси с учетом пространственной дисперсии диэлектрической проницаемости и различия между ионными остовами германия и примесного центра. Уравнение для огибающей решалось с использованием вариационного метода Ритца, при этом выбранные пробные функции орбитально-невырожденных $s$-состояний характеризуются двумя пространственными масштабами: первый, порядка эффективного боровского радиуса донора, отвечающий дальнодействующей части потенциала, и второй, на порядок меньший, моделирующий отклик электрона на короткодействующую часть потенциала донора. Электронная плотность в основном состоянии доноров смещается к ядру, что обусловлено учетом притягивающего потенциала “центральной ячейки”. Огибающие функции $p$-состояний в свою очередь построены так, что являются ортогональными огибающим в основном состоянии для каждого примесного центра, и в отличие от предыдущих работ различны для разных доноров.
Ключевые слова:
германий, мелкие доноры, короткодействующий потенциал, приближение огибающей функции.
Поступила в редакцию: 15.04.2020 Исправленный вариант: 21.04.2020 Принята в печать: 21.04.2020
Образец цитирования:
А. А. Ревин, А. М. Михайлова, А. А. Конаков, В. Н. Шастин, “Электронные состояния доноров V группы в германии: вариационный расчет с учетом короткодействующего потенциала”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 938–944; Semiconductors, 54:9 (2022), 1127–1133
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5175 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p938
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 52 | PDF полного текста: | 20 |
|