Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 938–944
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49836.30
(Mi phts5175)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Электронные состояния доноров V группы в германии: вариационный расчет с учетом короткодействующего потенциала

А. А. Ревинab, А. М. Михайловаab, А. А. Конаковab, В. Н. Шастинb

a Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация: В рамках приближения огибающей функции рассчитаны волновые функции низколежащих $1s(A_{1})$-, $2s$-, $2p_{0}$-, $2p_\pm$-, $3p_{0}$-состояний мелких донорных центров P, As, Sb в германии с учетом короткодействующего потенциала примеси. Последний построен индивидуально для каждой примеси с учетом пространственной дисперсии диэлектрической проницаемости и различия между ионными остовами германия и примесного центра. Уравнение для огибающей решалось с использованием вариационного метода Ритца, при этом выбранные пробные функции орбитально-невырожденных $s$-состояний характеризуются двумя пространственными масштабами: первый, порядка эффективного боровского радиуса донора, отвечающий дальнодействующей части потенциала, и второй, на порядок меньший, моделирующий отклик электрона на короткодействующую часть потенциала донора. Электронная плотность в основном состоянии доноров смещается к ядру, что обусловлено учетом притягивающего потенциала “центральной ячейки”. Огибающие функции $p$-состояний в свою очередь построены так, что являются ортогональными огибающим в основном состоянии для каждого примесного центра, и в отличие от предыдущих работ различны для разных доноров.
Ключевые слова: германий, мелкие доноры, короткодействующий потенциал, приближение огибающей функции.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-20163
Работа поддержана грантом РНФ 19-72-20163.
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2022, Volume 54, Issue 9, Pages 1127–1133
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620090225
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Ревин, А. М. Михайлова, А. А. Конаков, В. Н. Шастин, “Электронные состояния доноров V группы в германии: вариационный расчет с учетом короткодействующего потенциала”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 938–944; Semiconductors, 54:9 (2022), 1127–1133
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RevMikKon20}
\by А.~А.~Ревин, А.~М.~Михайлова, А.~А.~Конаков, В.~Н.~Шастин
\paper Электронные состояния доноров V группы в германии: вариационный расчет с учетом короткодействующего потенциала
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 938--944
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5175}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49836.30}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154203}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2022
\vol 54
\issue 9
\pages 1127--1133
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620090225}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5175
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p938
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:52
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024