Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12, страницы 1469–1476
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46759.39
(Mi phts5662)
 

Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Внутрицентровая релаксация мелких доноров мышьяка в деформированном германии. Инверсия населенностей при оптическом возбуждении

В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация: Проводится расчет скоростей релаксации нижних возбужденных состояний $1s(T)$, $2p_{0}$, $2s$, $3p_{0}$, $2p_{\pm}$ доноров мышьяка в кристалле германия при взаимодействии с длинноволновыми акустическими фононами в зависимости от одноосной деформации сжатия в кристаллографическом направлении [111]. На основе вычисленных времен произведены оценки населенностей состояний при оптическом возбуждении. Теоретически показано, что оптическое возбуждение среды формирует инверсную населенность уровней донора мышьяка и при нулевом значении деформации приводит к возможности реализации четырехуровневой лазерной схемы с излучательным переходом между состояниями $2p$ и триплетным состоянием $1s$. В условиях оптического возбуждения излучением СО$_{2}$-лазера оценочное значение ожидаемого коэффициента усиления в среде при концентрации доноров 2 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-3}$ составляет $\sim$0.35 см$^{-1}$ на частоте 1.98 ТГц в случае, если рабочим переходом является 2$p_{\pm}\to1s(T)$, и 1.25 ТГц, если рабочий переход 2$p_{0}\to1s(T)$.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-42-520064
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (№ 18-42-520064).
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 12, Pages 1573–1580
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618120254
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Внутрицентровая релаксация мелких доноров мышьяка в деформированном германии. Инверсия населенностей при оптическом возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1469–1476; Semiconductors, 52:12 (2018), 1573–1580
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TsySha18}
\by В.~В.~Цыпленков, В.~Н.~Шастин
\paper Внутрицентровая релаксация мелких доноров мышьяка в деформированном германии. Инверсия населенностей при оптическом возбуждении
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1469--1476
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5662}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46759.39}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903636}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1573--1580
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618120254}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5662
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1469
  • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    PDF полного текста:4
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024