Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 10, страницы 1372–1377
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48292.38 (Mi phts5381) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Внутрицентровая релаксация мелких доноров сурьмы в деформированном германии

В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (155 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48292.38
Аннотация: Проводится расчет скоростей релаксации возбужденных состояний $1s(T)$, $2p_{0}$, $2s$, $3p_{0}$, $2p_\pm$, $4p_{0}$, $3p_\pm$ доноров сурьмы в кристалле германия при взаимодействии с длинноволновыми акустическими фононами. Рассмотрено влияние на релаксационные темпы одноосной деформации сжатия кристалла в кристаллографическом направлении [111]. Результаты расчетов сопоставляются с данными измерений времени релаксации неравновесных состояний донорных центров методом пробного импульса. Также проведено сравнение с временами, полученными экспериментально методом исследования субмиллиметровой фотопроводимости.
Ключевые слова: германий, мелкие доноры, релаксация, излучение фононов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-20163
Исследование выполнено в ИФМ РАН за счет гранта Российского научного фонда (проект № 19-72-20163).
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 10, Pages 1334–1339
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619100221
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Внутрицентровая релаксация мелких доноров сурьмы в деформированном германии”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1372–1377; Semiconductors, 53:10 (2019), 1334–1339
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TsySha19}
\by В.~В.~Цыпленков, В.~Н.~Шастин
\paper Внутрицентровая релаксация мелких доноров сурьмы в деформированном германии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1372--1377
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5381}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48292.38}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41174862}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1334--1339
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619100221}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5381
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i10/p1372
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:41
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024