|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
С. А. Пономарев, Д. И. Рогило, В. А. Голяшов, Д. А. Насимов, К. А. Кох, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, “Взаимодействие атомов In с поверхностью Bi$_2$Se$_3$(0001) в процессе низкотемпературной адсорбции”, Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024), 606–611   |
| 2. |
С. А. Пономарев, Н. Н. Курусь, В. А. Голяшов, А. Ю. Миронов, Д. И. Рогило, А. Г. Милехин, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, “Фазовый переход $\beta\Longleftrightarrow\beta'$ с температурным гистерезисом в пленках In$_2$Se$_3$”, Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024), 370–375 |
| 3. |
Д. В. Беляев, Ю. Е. Коваленко, А. А. Титов, В. А. Голяшов, О. Е. Терещенко, Р. Г. Чумаков, А. Н. Титов, Т. В. Кузнецова, “Электронная структура янусовских слоев на основе Ti$_{1-y}$Cr$_y$(Se$_{1-x}$S$_x$)$_2$”, Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024), 365–369 |
| 4. |
Е. Р. Закиров, Г. Ю. Сидоров, И. А. Краснова, В. А. Голяшов, С. А. Пономарев, О. Е. Терещенко, И. В. Марчишин, “Пассивация поверхности CdHgTe с использованием низкотемпературного плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения HfO$_2$”, Письма в ЖТФ, 50:16 (2024), 7–10 |
|
2023 |
| 5. |
М. С. Аксенов, В. А. Голяшов, О. Е. Терещенко, “Пассивация фтором границы раздела оксид/InAs(001)”, Письма в ЖТФ, 49:5 (2023), 6–9 |
| 6. |
А. Э. Климов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Д. В. Ищенко, Г. Ю. Сидоров, Н. С. Пащин, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, Е. В. Федосенко, О. Е. Терещенко, “Фоточувствительность полевого транзистора металл-диэлектрик-полупроводник на основе пленки PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон”, Письма в ЖТФ, 49:3 (2023), 22–25 |
|
2022 |
| 7. |
Д. А. Глазкова, Д. А. Естюнин, И. И. Климовских, А. А. Рыбкина, И. А. Головчанский, О. Е. Терещенко, К. А. Кох, И. В. Щетинин, В. А. Голяшов, А. М. Шикин, “Смешанный тип магнитного порядка в собственных магнитных топологических изоляторах Mn(Bi,Sb)$_2$Te$_4$”, Письма в ЖЭТФ, 116:11 (2022), 793–800 ; D. A. Glazkova, D. A. Estyunin, I. I. Klimovskikh, A. A. Rybkina, I. A. Golovchanskiy, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, I. V. Shchetinin, V. A. Golyashov, A. M. Shikin, “Mixed type of the magnetic order in intrinsic magnetic topological insulators Mn(Bi,Sb)$_2$Te$_4$”, JETP Letters, 116:11 (2022), 817–824 |
3
|
| 8. |
Д. А. Глазкова, Д. А. Естюнин, И. И. Климовских, Т. П. Макарова, О. Е. Терещенко, К. А. Кох, В. А. Голяшов, А. В. Королева, А. М. Шикин, “Электронная структура магнитных топологических изоляторов серии Mn(Bi$_{1-x}$Sb$_{x})_2$Te$_4$ при изменении концентрации атомов Sb”, Письма в ЖЭТФ, 115:5 (2022), 315–321 ; D. A. Glazkova, D. A. Estyunin, I. I. Klimovskikh, T. P. Makarova, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, V. A. Golyashov, A. V. Koroleva, A. M. Shikin, “Electronic structure of magnetic topological insulators Mn(Bi$_{1-x}$Sb$_{x})_2$Te$_4$ with various concentration of sb atoms”, JETP Letters, 115:5 (2022), 286–291 |
7
|
|
2021 |
| 9. |
Д. В. Ищенко, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, А. Э. Климов, А. Б. Логинов, Б. А. Логинов, Н. С. Пащин, А. С. Тарасов, Е. В. Федосенко, В. Н. Шерcтякова, “Зависимость топологии эпитаксиальных слоев PbSnTe:In от концентрации In”, ЖТФ, 91:6 (2021), 1040–1044 ; D. V. Ishchenko, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, A. E. Klimov, A. B. Loginov, B. A. Loginov, N. S. Pschin, A. S. Tarasov, E. V. Fedosenko, V. N. Sherstyakova, “Topology of PbSnTe:In layers versus indium concentration”, Tech. Phys., 66:7 (2021), 878–882  |
|
2020 |
| 10. |
А. Э. Климов, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Д. В. Ищенко, Е. В. Матюшенко, И. Г. Неизвестный, Г. Ю. Сидоров, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, О. Е. Терещенко, В. С. Эпов, “Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1122–1128 ; A. E. Klimov, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, D. V. Gorshkov, D. V. Ishchenko, E. V. Matyushenko, I. G. Neizvestnyi, G. Yu. Sidorov, S. P. Suprun, A. S. Tarasov, O. E. Tereshchenko, V. S. Epov, “Features of MIS structures based on insulating PbSnTe:In films with the composition in the vicinity of the band inversion related to their ferroelectric properties”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1325–1331 |
1
|
| 11. |
А. К. Кавеев, А. Г. Банщиков, А. Н. Терпицкий, В. А. Голяшов, О. Е. Терещенко, К. А. Кох, Д. А. Естюнин, А. М. Шикин, “Раскрытие энергетической щели в области точки Дирака при осаждении кобальта на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 859–864 ; A. K. Kaveev, A. G. Banshchikov, A. N. Terpitsky, V. A. Golyashov, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, D. A. Estyunin, A. M. Shikin, “Energy-gap opening near the Dirac point after the deposition of cobalt on the (0001) surface of the topological insulator BiSbTeSe$_{2}$”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1051–1055 |
3
|
|
2019 |
| 12. |
А. С. Тарасов, Д. В. Ищенко, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, А. Э. Климов, Н. С. Пащин, С. П. Супрун, Е. В. Федосенко, В. Н. Шерстякова, О. Е. Терещенко, “Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоев PbSnTe$\langle$In$\rangle$ с составом вблизи инверсии зон”, ЖТФ, 89:11 (2019), 1795–1799 ; A. S. Tarasov, D. V. Ishchenko, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, A. E. Klimov, N. S. Pschin, S. P. Suprun, E. V. Fedosenko, V. N. Sherstyakova, O. E. Tereshchenko, “Modification of the surface properties of PbSnTe$\langle$In$\rangle$ epitaxial layers with composition near band inversion”, Tech. Phys., 64:11 (2019), 1704–1708 |
7
|
| 13. |
А. Э. Климов, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Д. В. Ищенко, Г. Ю. Сидоров, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, В. С. Эпов, О. Е. Терещенко, “Динамика поверхностной проводимости в пленках PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1207–1211 ; A. E. Klimov, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, D. V. Gorshkov, D. V. Ishchenko, G. Yu. Sidorov, S. P. Suprun, A. S. Tarasov, V. S. Epov, O. E. Tereshchenko, “Surface сonductivity dynamics in PbSnTe : In films in the vicinity of a band inversion”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1182–1186 |
2
|
|
2011 |
| 14. |
О. Е. Терещенко, К. А. Кох, В. В. Атучин, К. Н. Романюк, С. В. Макаренко, В. А. Голяшов, А. С. Кожухов, И. П. Просвирин, А. А. Шкляев, “Стабильность поверхности (0001) топологического
изолятора Bi$^2$Se$^3$”, Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011), 500–503 ; O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, V. V. Atuchin, K. N. Romanyuk, S. V. Makarenko, V. A. Golyashov, A. S. Kozhukhov, I. P. Prosvirin, A. A. Shklyaev, “Stability of the (0001) surface of the Bi$^2$Se$^3$ topological insulator”, JETP Letters, 94:6 (2011), 465–468  |
25
|
|
Обратная связь: