Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2022, том 115, выпуск 5, страницы 315–321
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567822050081
(Mi jetpl6624)
 

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Электронная структура магнитных топологических изоляторов серии Mn(Bi$_{1-x}$Sb$_{x})_2$Te$_4$ при изменении концентрации атомов Sb

Д. А. Глазковаa, Д. А. Естюнинa, И. И. Климовскихab, Т. П. Макароваa, О. Е. Терещенкоcde, К. А. Кохefg, В. А. Голяшовecd, А. В. Королеваa, А. М. Шикинa

a Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 С.-Петербург, Россия
b Национальный исследовательский технологический институт МИСиС, 119049 Москва, Россия
c ЦКП “СКИФ”, Институт катализа им. Г. К. Борескова Сибирского отделения РАН, 630559 Кольцово, Россия
d Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
e Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
f Институт геологии и минералогии им. В. С. Соболева Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
g Кемеровский государственный университет, 650000 Кемерово, Россия
Список литературы:
Аннотация: Собственный магнитный топологический изолятор MnBi$_2$Te$_4$ представляет собой многообещающую платформу для реализации квантового аномального эффекта Холла при повышенных температурах и других уникальных топологических эффектов. Однако для этого запрещенная зона в точке Дирака должна располагаться на уровне Ферми. Одним из широко используемых способов сдвига точки Дирака в область уровня Ферми является частичное замещение атомов Bi атомами Sb. В данной работе представлены результаты исследований электронной структуры остовных уровней и валентной зоны для соединений Mn(Bi$_{1-x}$Sb$_x$)$_2$Te$_4$ при изменении концентрации $(x)$ атомов Sb (от $0$ до $1$). Показано, что с увеличением концентрации атомов Sb точка Дирака сдвигается в сторону уровня Ферми с локализацией на уровне Ферми при $x\approx0.3$. При этом наблюдается “жесткий” сдвиг валентной зоны, включая уровень Mn $3d$, без видимых изменений структуры валентной и зоны проводимости. Концентрационная зависимость сдвига точки Дирака аппроксимируется корневой функцией, что соответствует линейному возрастанию плотности носителей заряда.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 075-15-2020-797 (13.1902.21.0024)
Ministry of Science and Higher Education, Poland 1/SOL/2021/2
Работа выполнена в рамках финансовой поддержки Министерством науки и высшего образования РФ (грант # 075-15-2020-797 (13.1902.21.0024)). Авторы выражают благодарность проекту Министерства образования и науки Польши: “Поддержка исследований и разработок с использованием исследовательской инфраструктуры Национального центра синхротронного излучения SOLARIS” по контракту # 1/SOL/2021/2, а также центру SOLARIS за доступ к установке UARPES, где проводились измерения. Д. Естюнин выражает признательность G-RISC program за поддержку.
Поступила в редакцию: 03.02.2022
Исправленный вариант: 03.02.2022
Принята в печать: 03.02.2022
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2022, Volume 115, Issue 5, Pages 286–291
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364022100083
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Глазкова, Д. А. Естюнин, И. И. Климовских, Т. П. Макарова, О. Е. Терещенко, К. А. Кох, В. А. Голяшов, А. В. Королева, А. М. Шикин, “Электронная структура магнитных топологических изоляторов серии Mn(Bi$_{1-x}$Sb$_{x})_2$Te$_4$ при изменении концентрации атомов Sb”, Письма в ЖЭТФ, 115:5 (2022), 315–321; JETP Letters, 115:5 (2022), 286–291
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GlaEstKli22}
\by Д.~А.~Глазкова, Д.~А.~Естюнин, И.~И.~Климовских, Т.~П.~Макарова, О.~Е.~Терещенко, К.~А.~Кох, В.~А.~Голяшов, А.~В.~Королева, А.~М.~Шикин
\paper Электронная структура магнитных топологических изоляторов серии Mn(Bi$_{1-x}$Sb$_{x})_2$Te$_4$ при изменении концентрации атомов Sb
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2022
\vol 115
\issue 5
\pages 315--321
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl6624}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S1234567822050081}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2022
\vol 115
\issue 5
\pages 286--291
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364022100083}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6624
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v115/i5/p315
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024