Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 859–864
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49821.13
(Mi phts5160)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Раскрытие энергетической щели в области точки Дирака при осаждении кобальта на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe$_{2}$

А. К. Кавеевa, А. Г. Банщиковa, А. Н. Терпицкийa, В. А. Голяшовb, О. Е. Терещенкоb, К. А. Кохc, Д. А. Естюнинd, А. М. Шикинd

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
c Институт геологии и минералогии им. В. С. Соболева СО РАН, г. Новосибирск
d Санкт-Петербургский государственный университет
Аннотация: Впервые показано, что субнанометровые покрытия Со, нанесенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe$_{2}$ при температуре 330$^\circ$C, открывают энергетическую щель в спектре топологических поверхностных состояний в области точки Дирака, со смещением положения точки Дирака, вызванным предварительным осаждением адсорбата при комнатной температуре. Ширина щели составляет 21 $\pm$ 6 мэВ. Температурно-зависимые измерения в диапазоне 15–150 K не показали изменения ширины энергетической щели.
Ключевые слова: топологические изоляторы, спинтроника, энергетическая щель в точке Дирака, легирование.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-02-00729
Работа поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований № 17-02-00729.
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 9, Pages 1051–1055
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620090146
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. К. Кавеев, А. Г. Банщиков, А. Н. Терпицкий, В. А. Голяшов, О. Е. Терещенко, К. А. Кох, Д. А. Естюнин, А. М. Шикин, “Раскрытие энергетической щели в области точки Дирака при осаждении кобальта на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 859–864; Semiconductors, 54:9 (2020), 1051–1055
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KavBanTer20}
\by А.~К.~Кавеев, А.~Г.~Банщиков, А.~Н.~Терпицкий, В.~А.~Голяшов, О.~Е.~Терещенко, К.~А.~Кох, Д.~А.~Естюнин, А.~М.~Шикин
\paper Раскрытие энергетической щели в области точки Дирака при осаждении кобальта на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe$_{2}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 859--864
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5160}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49821.13}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154188}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 1051--1055
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620090146}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5160
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p859
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024