|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
П. А. Иванов, А. С. Потапов, Н. М. Лебедева, И. В. Грехов, “Лавинный пробой в 4$H$-SiC диодах Шоттки: вопросы надежности”, ЖТФ, 90:12 (2020), 2133–2138   ; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, N. M. Lebedeva, I. V. Grekhov, “Avalanche breakdown in 4$H$-SiC Schottky diodes: reliability aspects”, Tech. Phys., 65:12 (2020), 2041–2046 |
2
|
|
2019 |
| 2. |
А. Г. Люблинский, Е. И. Белякова, И. В. Грехов, “Численное и экспериментальное исследования оптимизированного $p$-SOS-диода”, ЖТФ, 89:3 (2019), 409–415 ; A. G. Lyublinsky, E. I. Belyakova, I. V. Grekhov, “Numerical and experimental study of an optimized $p$-SOS diode”, Tech. Phys., 64:3 (2019), 373–379 |
|
2018 |
| 3. |
П. А. Иванов, А. С. Потапов, И. В. Грехов, “Влияние частичной ионизации легирующих примесей в 4H-SiC на емкость обратносмещенного $p^{+}$–$i$–$n^{+}$-диода”, ЖТФ, 88:6 (2018), 955–958 ; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, I. V. Grekhov, “Influence of dopant incomplete ionization on the capacitance of a reverse-biased 4H-SiC $p^{+}$–$i$–$n^{+}$ diode”, Tech. Phys., 63:6 (2018), 928–931 |
2
|
| 4. |
П. А. Иванов, И. В. Грехов, “Генерация высоковольтных импульсов карбидкремниевыми дрейфовыми диодами с резким восстановлением (сравнение диодов с базой $n$- и $p$-типа)”, ЖТФ, 88:1 (2018), 89–92 ; P. A. Ivanov, I. V. Grekhov, “Generation of high-voltage pulses by sharp-recovery SiC drift diodes ($n$-base versus $p$-base diodes)”, Tech. Phys., 63:1 (2018), 86–89 |
3
|
| 5. |
В. И. Брылевский, И. А. Смирнова, Н. И. Подольская, Ю. А. Жарова, П. Б. Родин, И. В. Грехов, “Экспериментальное наблюдение задержанного ударно-ионизационного пробоя полупроводниковых структур без $p$–$n$-переходов”, Письма в ЖТФ, 44:4 (2018), 66–73 ; V. I. Brylevsky, I. A. Smirnova, N. I. Podolska, Yu. A. Zharova, P. B. Rodin, I. V. Grekhov, “Experimental observation of delayed impact-ionization avalanche breakdown in semiconductor structures without $p$–$n$ junctions”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 160–163 |
4
|
|
2017 |
| 6. |
Н. И. Подольская, А. Г. Люблинский, И. В. Грехов, “Численное моделирование наносекундного переключения $p$-SOS-диода”, ЖТФ, 87:12 (2017), 1790–1793 ; N. I. Podolska, A. G. Lyublinsky, I. V. Grekhov, “The numerical simulation of the nanosecond switching of a $p$-SOS diode”, Tech. Phys., 62:12 (2017), 1787–1790 |
1
|
| 7. |
И. В. Грехов, А. Г. Люблинский, Е. М. Михайлов, Д. С. Полоскин, А. А. Скиданов, “Исследование процесса выключения интегрального тиристора импульсом базового тока”, ЖТФ, 87:11 (2017), 1682–1686 ; I. V. Grekhov, A. G. Lyublinsky, E. M. Mikhailov, D. S. Poloskin, A. A. Skidanov, “Analysis of integrated thyristor switching-off by a reverse gate pulse current”, Tech. Phys., 62:11 (2017), 1684–1688 |
2
|
| 8. |
И. В. Грехов, А. Г. Люблинский, Ш. А. Юсупова, “Мощный полупроводниковый обостритель импульсов с субнаносекундным быстродействием”, ЖТФ, 87:5 (2017), 793–796 ; I. V. Grekhov, A. G. Lyublinsky, Sh. A. Yusupova, “High-power subnanosecond silicon avalanche shaper”, Tech. Phys., 62:5 (2017), 812–815 |
5
|
| 9. |
И. В. Грехов, А. Г. Люблинский, А. А. Скиданов, “Исследование процесса выключения интегрального тиристора с внешним полевым управлением”, ЖТФ, 87:1 (2017), 155–158 ; I. V. Grekhov, A. G. Lyublinsky, A. A. Skidanov, “Analysis of the process of turning off an integrated thyristor with external MOSFET control”, Tech. Phys., 62:1 (2017), 183–186 |
4
|
| 10. |
М. И. Векслер, Ю. Ю. Илларионов, И. В. Грехов, “Заряд квантовой ямы и распределение напряжения в структуре металл–диэлектрик–кремний при резонансном туннелировании электронов”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 467–471 ; M. I. Vexler, Yu. Yu. Illarionov, I. V. Grekhov, “Quantum-well charge and voltage distribution in a metal–insulator–semiconductor structure upon resonant electron Tunneling”, Semiconductors, 51:4 (2017), 444–448 |
| 11. |
П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, И. В. Грехов, “Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$-диодов в режиме лавинного пробоя”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 390–394 ; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, I. V. Grekhov, “Current–voltage characteristics of high-voltage 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$ diodes in the avalanche breakdown mode”, Semiconductors, 51:3 (2017), 374–378 |
6
|
|
2016 |
| 12. |
И. В. Грехов, А. Г. Люблинский, Е. И. Белякова, “Мощный диодный наносекундный размыкатель тока на основе $p$-кремния ($p$-SOS)”, ЖТФ, 86:3 (2016), 106–109 ; I. V. Grekhov, A. G. Lyublinsky, E. I. Belyakova, “Powerful diode nanosecond current opening switch made of $p$-silicon ($p$-SOS)”, Tech. Phys., 61:3 (2016), 424–427 |
3
|
| 13. |
П. А. Иванов, И. В. Грехов, “Параметры импульсных генераторов с ДДРВ на основе 4H-SiC: влияние эффекта насыщения дрейфовой скорости электронов”, ЖТФ, 86:2 (2016), 85–88 ; P. A. Ivanov, I. V. Grekhov, “Parameters of pulse generators based on 4H : SiC sharp-recovery drift diodes: The influence of electron drift velocity saturation”, Tech. Phys., 61:2 (2016), 240–243 |
4
|
| 14. |
П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, И. В. Грехов, “Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4$H$-SiC вдоль оси $c$”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 900–904 ; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, I. V. Grekhov, “Field dependence of the electron drift velocity along the hexagonal axis of 4$H$-SiC”, Semiconductors, 50:7 (2016), 883–887 |
4
|
| 15. |
М. И. Векслер, И. В. Грехов, “Специфика туннелирования носителей между валентной зоной кремния и металлом в приборах на основе структуры Al/high-$K$-oxide/SiO$_{2}$/Si”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 683–688 ; M. I. Vexler, I. V. Grekhov, “Features of carrier tunneling between the silicon valence band and metal in devices based on the Al/high-$K$-oxide/SiO$_{2}$/Si structure”, Semiconductors, 50:5 (2016), 671–677 |
3
|
| 16. |
М. И. Векслер, Г. Г. Карева, Ю. Ю. Илларионов, И. В. Грехов, “Резонансное туннелирование электронов и связанные с ним зарядовые явления в наноструктурах металл–окисел–$p^{+}$-кремний”, Письма в ЖТФ, 42:21 (2016), 62–69 ; M. I. Vexler, G. G. Kareva, Yu. Yu. Illarionov, I. V. Grekhov, “Resonant electron tunneling and related charging phenomena in metal–oxide–$p^+$-Si nanostructures”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1090–1093 |
1
|
| 17. |
М. С. Иванов, П. Б. Родин, П. А. Иванов, И. В. Грехов, “Параметры карбид-кремниевых диодных обострителей импульсов пикосекундного диапазона”, Письма в ЖТФ, 42:1 (2016), 87–94 ; M. S. Ivanov, P. B. Rodin, P. A. Ivanov, I. V. Grekhov, “Parameters of silicon carbide diode avalanche shapers for the picosecond range”, Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 43–46 |
6
|
|
2005 |
| 18. |
И. В. Грехов, Г. А. Месяц, “Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов”, УФН, 175:7 (2005), 735–744 ; I. V. Grekhov, G. A. Mesyats, “Nanosecond semiconductor diodes for pulsed power switching”, Phys. Usp., 48:7 (2005), 703–712  |
80
|
|
1992 |
| 19. |
М. И. Векслер, И. В. Грехов, А. Ф. Шулекин, “Ударная ионизация в транзисторах с туннельно-тонким МОП-эмиттером”, Письма в ЖТФ, 18:21 (1992), 1–5 |
|
1991 |
| 20. |
И. В. Грехов, С. В. Зазулин, А. Ф. Кардо-Сысоев, “Ударная ионизация в кремнии в слабых полях”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991), 885–892 |
| 21. |
В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. А. Козлов, “Контроль качества интерфейса методом лазерного сканирования при
прямом сращивании кремниевых пластин”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 208–216 |
| 22. |
И. В. Грехов, Е. В. Остроумова, А. А. Рогачев, А. Ф. Шулекин, “Кремниевый Оже-транзистор с туннельным МОП-эмиттером”, Письма в ЖТФ, 17:13 (1991), 44–48 |
|
1990 |
| 23. |
И. В. Грехов, Л. А. Делимова, М. Л. Шубников, “Влияние гидростатического сжатия на рекомбинационные свойства золота
в Si”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2203–2205 |
| 24. |
В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. А. Козлов, “К вопросу о проведении прямого сращивания кремния в условиях
необеспыленной воздушной среды”, Письма в ЖТФ, 16:17 (1990), 61–65 |
| 25. |
И. В. Грехов, В. М. Ефанов, “О возможности генерации стимулированного излучения
с помощью ударно-ионизационных
волн в полупроводниках”, Письма в ЖТФ, 16:17 (1990), 9–14 |
| 26. |
В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. А. Козлов, “Прямая ВАХ диодов, полученных методом
прямого сращивания кремниевых пластин (ПСК)”, Письма в ЖТФ, 16:14 (1990), 6–9 |
| 27. |
И. В. Грехов, С. В. 3азулин, А. Ф. Кардо-Сысоев, “Ударная ионизация глубокого уровня Au в Si”, Письма в ЖТФ, 16:4 (1990), 63–67 |
|
1989 |
| 28. |
В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. А. Козлов, “Формирование $p{-}n$ переходов методом прямого сращивания кремниевых
пластин (ПСК)”, Письма в ЖТФ, 15:18 (1989), 59–63 |
| 29. |
И. В. Грехов, Л. А. Делимова, М. Л. Кожух, O. K. Семчинова, В. В. Третьяков, “Толстые пленки в системе
Y$-$Ba$-$Cu$-$O на подложках BaF$_{2}$”, Письма в ЖТФ, 15:8 (1989), 77–80 |
|
1988 |
| 30. |
И. В. Грехов, Л. А. Делимова, И. К. Мешковский, А. Ф. Новиков, М. Л. Татаринова, В. В. Сологуб, “Электропроводность пористых стекол с углеродистым наполнителем”, Физика твердого тела, 30:6 (1988), 1856–1859 |
| 31. |
В. И. Брылевский, И. В. Грехов, В. М. Ефанов, А. Ф. Кардо-Сысоев, И. Г. Чашников, Д. И. Шеметило, “Эффект быстрого восстановления обратного напряжения
на симметричной $p^{+}pnn^{+}$-структуре”, ЖТФ, 58:11 (1988), 2244–2247 |
| 32. |
Л. С. Берман, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, И. М. Котина, К. Ш. Кушашвили, “Образование и отжиг радиационных дефектов в кремниевых
$p{-}n$ диодах с примесью лития”, ЖТФ, 58:7 (1988), 1436–1439 |
| 33. |
И. В. Грехов, В. М. Ефанов, “О возможности быстрой генерации плотной электронно-дырочной плазмы
большого объема в арсениде галлия”, Письма в ЖТФ, 14:23 (1988), 2121–2124 |
| 34. |
Е. В. Астрова, В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. А. Козлов, А. А. Лебедев, “Сверхвысоковольтные кремниевые $p{-}n$-переходы с напряжением пробоя
выше 20 кВ”, Письма в ЖТФ, 14:11 (1988), 972–975 |
|
1987 |
| 35. |
В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, Г. М. Гусинский, В. А. Козлов, В. О. Найденов, “Оптимизация частотных и статических характеристик силовых
полупроводниковых приборов путем создания локальных зон повышенной
рекомбинации в базовых областях”, ЖТФ, 57:10 (1987), 1925–1929 |
| 36. |
Н. В. Боровикова, В. М. Волле, В. Б. Воронков, В. Н. Глыгало, И. В. Грехов, М. Л. Кожух, “О возможности изготовления низкоомного нейтронно-легированного
кремния на реакторе РБМК-1000”, ЖТФ, 57:6 (1987), 1127–1129 |
| 37. |
И. В. Грехов, С. В. Коротков, К. В. Муковников, Н. С. Яковчук, “Неоднородное распределение тока по площади мощных кремниевых полупроводниковых приборов большого диаметра, обусловленное собственным магнитным полем”, Письма в ЖТФ, 13:21 (1987), 1318–1322 |
| 38. |
Ж. И. Алфёров, И. В. Грехов, В. М. Ефанов, А. Ф. Кардо-Сысоев, В. И. Корольков, М. Н. Степанова, “Формирование высоковольтных перепадов напряжения пикосекундного диапазона на арсенидгалиевых диодах”, Письма в ЖТФ, 13:18 (1987), 1089–1093 |
|
1986 |
| 39. |
А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, С. В. Коротков, К. В. Муковников, “О влиянии электродинамических эффектов на однородность
коммутационных процессов в быстродействующих полупроводниковых приборах
большой мощности”, ЖТФ, 56:9 (1986), 1860–1861 |
| 40. |
В. М. Волле, В. Б. Воронков, В. Н. Глыгало, И. В. Грехов, М. Л. Кожух, В. А. Козлов, “Нейтронно-легированный высокоомный кремний (НЛК)
Получение, свойства”, ЖТФ, 56:6 (1986), 1174–1179 |
| 41. |
И. В. Грехов, Л. С. Костина, А. В. Наливкин, “Мощный прибор ключевого типа — реверсивно-управляемый транзистор (РУТ)”, ЖТФ, 56:2 (1986), 341–345 |
| 42. |
И. В. Грехов, А. Ф. Кардо-Сысоев, И. А. Смирнова, С. В. Шендерей, В. С. Юферев, “Быстрые ионизационные волны в полупроводнике, связанные
с переизлучением”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1335–1337 |
| 43. |
Р. Э. Аязян, И. В. Грехов, Л. С. Костина, О. К. Семчинова, “Основные электрические характеристики гетеродиодов в системе
Si$-$Mg$_{(1-x)}$SiP$_{2(1-x)}$”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 431–434 |
| 44. |
И. В. Грехов, Е. В. Остроумова, “Инжекционная способность МОП-эмиттера с туннельнотонким слоем окисла при больших плотностях тока”, Письма в ЖТФ, 12:19 (1986), 1209–1212 |
|
1985 |
| 45. |
В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. А. Козлов, “Сильноточный микросекундный тиристорный коммутатор, переключаемый
импульсом света”, ЖТФ, 55:8 (1985), 1570–1575 |
| 46. |
А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, Л. А. Делимова, М. Л. Шубников, “Влияние гидростатического сжатия на время жизни неравновесных носителей заряда в кремнии”, Письма в ЖТФ, 11:21 (1985), 1288–1293 |
| 47. |
И. В. Грехов, В. М. Ефанов, А. Ф. Кардо-Сысоев, И. А. Смирнова, “Полупроводниковые мощные субнаносекундные коммутаторы с большим временем удержания в проводящем состоянии”, Письма в ЖТФ, 11:15 (1985), 901–904 |
| 48. |
И. В. Грехов, С. В. Коротков, Л. С. Костина, “Мощный реверсивно включаемый динистор субмегагерцового диапазона”, Письма в ЖТФ, 11:10 (1985), 588–591 |
|
1984 |
| 49. |
И. В. Грехов, А. Е. Отблеск, “Нестационарная локализация тепла и тока в прямосмещенном кремниевом
диоде”, ЖТФ, 54:9 (1984), 1787–1792 |
| 50. |
И. В. Грехов, А. Е. Отблеск, “Определение электрофизических параметров сильно легированных слоев
в $p^{+}{-}s{-}n^{+}$-структуре”, ЖТФ, 54:8 (1984), 1590–1595 |
| 51. |
Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. В. Добровенский, А. И. Шагун, “Возможности повышения термостабильности монокристаллического кремния
для мощных полупроводниковых приборов”, ЖТФ, 54:5 (1984), 917–928 |
| 52. |
Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, Ю. А. Карпов, Б. М. Туровский, “Термостабильность кремния, легированного примесями РЗЭ
при выращивании методом Чохральского”, ЖТФ, 54:1 (1984), 207–208 |
| 53. |
А. М. Аллахвердиев, В. М. Андреев, И. В. Грехов, Л. С. Костина, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, Ш. Ш. Шамухамедов, “Каскадные
Si$-$AlGaAs солнечные фотоэлементы”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 121–125 |
| 54. |
Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, М. Л. Кожух, В. А. Козлов, “Супервысоковольтные $p{-}n$ переходы
на основе нейтронно-легированного
кремния, содержащего редкоземельные элементы”, Письма в ЖТФ, 10:14 (1984), 880–882 |
|
1983 |
| 55. |
И. В. Грехов, А. В. Горбатюк, Л. С. Костина, С. В. Коротков, Н. С. Яковчук, “Мощный переключатель микросекундного диапазона —
реверсивно-включаемый динистор”, ЖТФ, 53:9 (1983), 1822–1826 |
| 56. |
И. В. Грехов, Л. А. Делимова, “О возможности улучшения параметров мощных быстродействующих
кремниевых приборов, подвергнутых облучению
$\gamma$-квантами Co$^{60}$”, ЖТФ, 53:6 (1983), 1143–1146 |
| 57. |
И. В. Грехов, Е. М. Гейфман, Л. С. Костина, “Исследование переходного процесса переключения силового диода
с накоплением заряда”, ЖТФ, 53:4 (1983), 726–729 |
1
|
| 58. |
И. В. Грехов, А. Ф. Кардо-Сысоев, М. В. Попова, С. В. Шендерей, “Начальная стадия развития волн ударной ионизации в перенапряженных
$p{-}n$-переходах”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1380–1385 |
| 59. |
И. В. Грехов, А. Е. Отблеск, “Рекомбинация через глубокие центры
при электронно-дырочном рассеянии
в полупроводниках”, Письма в ЖТФ, 9:20 (1983), 1275–1278 |
| 60. |
А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, А. В. Наливкин, “Транзисторный эффект в двухполюсной $n^{+}pNn^{+}$-структуре при ее
импульсном инжекционном возбуждении”, Письма в ЖТФ, 9:20 (1983), 1271–1275 |
| 61. |
А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, Л. С. Костина, А. В. Наливкин, “Инжекционно-лавинный механизм запуска реверсивно-включаемых
динисторов в субмикросекундном диапазоне”, Письма в ЖТФ, 9:20 (1983), 1217–1221 |
| 62. |
И. В. Грехов, В. И. Земский, И. К. Мешковский, “Сенсибилизация селективных фотоприемников с помощью твердотельных
растворов красителей”, Письма в ЖТФ, 9:11 (1983), 695–698 |
| 63. |
И. В. Грехов, В. М. Ефанов, А. Ф. Кардо-Сысоев, С. В. Шендерей, “Формирование высоковольтных наносекундных перепадов напряжения на
полупроводниковых диодах с дрейфовым механизмом восстановления напряжения”, Письма в ЖТФ, 9:7 (1983), 435–439 |
1
|
| 64. |
И. В. Грехов, А. В. Горбатюк, Л. С. Костина, К. В. Муковников, И. А. Смирнова, “Новый быстродействующий мощный переключатель — инжекционно-полевой
тиристор (ИПТ)”, Письма в ЖТФ, 9:1 (1983), 18–21 |
| 65. |
О. И. Бужинский, И. В. Грехов, М. Е. Левинштейн, В. Г. Сергеев, А. А. Сливицкий, “Лазер на парах меди с поперечным разрядом, коммутируемым полупроводниковыми переключателями со световым управлением”, Квантовая электроника, 10:1 (1983), 186–189 [O. I. Buzhinskiǐ, I. V. Grekhov, M. E. Levinshteǐn, V. G. Sergeev, A. A. Slivitskiǐ, “Transverse-discharge copper vapor laser utilizing an optically controlled semiconductor switch”, Sov J Quantum Electron, 13:1 (1983), 115–117 ] |
|
1981 |
| 66. |
В. М. Александров, О. И. Бужинский, И. В. Грехов, М. Е. Левинштейн, А. И. Мошкунов, В. Г. Сергеев, “Многоканальный полупроводниковый коммутатор наносекундного диапазона для возбуждения паров меди
поперечным разрядом”, Квантовая электроника, 8:1 (1981), 191–193 [V. M. Aleksandrov, O. I. Buzhinskiǐ, I. V. Grekhov, M. E. Levinshteǐn, A. I. Moshkunov, V. G. Sergeev, “Multichannel semiconductor nanosecond switch for excitation of copper vapor by a transverse discharge”, Sov J Quantum Electron, 11:1 (1981), 111–113 ] |
1
|
|
|
|
2021 |
| 67. |
А. М. Сергеев, Ю. Ю. Балега, И. А. Щербаков, Е. Б. Александров, В. М. Андреев, А. Л. Асеев, А. М. Быков, И. В. Грехов, В. В. Гусаров, А. В. Двуреченский, А. В. Иванчик, Е. Л. Ивченко, Н. Н. Казанский, А. А. Каплянский, В. В. Кведер, Н. Н. Колачевский, С. Г. Конников, П. С. Копьев, З. Ф. Красильник, А. Г. Литвак, С. В. Медведев, Ю. В. Наточин, В. Н. Пармон, Э. Е. Сон, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, В. В. Устинов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, А. Н. Алешин, М. В. Архипов, П. Н. Брунков, А. И. Вейнгер, А. К. Вершовский, Е. А. Волкова, С. А. Гуревич, В. К. Гусев, В. А. Дергачев, А. Г. Дерягин, О. В. Дудник, В. В. Жданов, Н. Л. Истомина, А. М. Калашникова, Е. С. Корнилова, Е. В. Кустова, А.А. Лебедев, Е.В. Липатова, А. В. Нащекин, Р. В. Парфеньев, М. П. Петров, Г. В. Скорняков, Е. М. Смирнов, Г. С. Соколовский, А. В. Соломонов, М. Г. Сушкова, Е. И. Теруков, Е. А. Чабан, О. Л. Чагунава, А. П. Шергин, Е. В. Шестопалова, М. Л. Шматов, А. А. Шмидт, В. Л. Шубин, “Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения”, ЖТФ, 91:6 (2021), 893–894 |
|
2020 |
| 68. |
В. М. Агранович, Е. Б. Александров, С. Н. Багаев, И. В. Грехов, А. Г. Забродский, С. В. Иванов, Е. Л. Ивченко, В. В. Кведер, Б. В. Новиков, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, И. А. Щербаков, “Александр Александрович Каплянский (к 90-летию со дня рождения)”, УФН, 190:12 (2020), 1343–1344 ; V. M. Agranovich, E. B. Aleksandrov, S. N. Bagayev, I. V. Grekhov, A. G. Zabrodskii, S. V. Ivanov, E. L. Ivchenko, V. V. Kveder, B. V. Novikov, R. A. Suris, V. B. Timofeev, I. A. Shcherbakov, “Aleksandr Aleksandrovich Kaplyanskii (on his 90th birthday)”, Phys. Usp., 63:12 (2020), 1264–1265 |
|
2019 |
| 69. |
И. В. Грехов, В. Н. Кисель, А. Г. Литвак, Е. А. Микрин, С. А. Никитов, О. Ф. Петров, М. А. Погосян, В. П. Смирнов, А. Н. Старостин, В. Е. Фортов, Б. Ю. Шарков, И. А. Щербаков, “Андрей Николаевич Лагарьков (к 80-летию со дня рождения)”, УФН, 189:10 (2019), 1129–1130 ; I. V. Grekhov, V. N. Kisel', A. G. Litvak, E. A. Mikrin, S. A. Nikitov, O. F. Petrov, M. A. Pogosyan, V. P. Smirnov, A. N. Starostin, V. E. Fortov, B. Yu. Sharkov, I. A. Shcherbakov, “Andrei Nikolaevich Lagarkov (on his 80th birthday)”, Phys. Usp., 62:10 (2019), 1056–1057 |
| 70. |
А. Л. Асеев, Д. А. Варшалович, Е. П. Велихов, И. В. Грехов, Ю. В. Гуляев, А. Е. Жуков, С. В. Иванов, А. А. Каплянский, П. С. Копьев, Г. Я. Красников, Р. А. Сурис, В. Е. Фортов, “Памяти Жореса Ивановича Алферова”, УФН, 189:8 (2019), 899–900 ; A. L. Aseev, D. A. Varshalovich, E. P. Velikhov, I. V. Grekhov, Yu. V. Gulyaev, A. E. Zhukov, S. V. Ivanov, A. A. Kaplyanskii, P. S. Kop'ev, G. Ya. Krasnikov, R. A. Suris, V. E. Fortov, “In memory of Zhores Ivanovich Alferov”, Phys. Usp., 62:8 (2019), 839–840 |
|
2016 |
| 71. |
Е. Б. Александров, Ж. И. Алфёров, А. Л. Асеев, Д. А. Варшалович, И. В. Грехов, Ю. В. Гуляев, А. Г. Забродский, А. А. Каплянский, О. Н. Крохин, В. Б. Тимофеев, А. В. Чаплик, И. А. Щербаков, “Роберт Арнольдович Сурис (к 80-летию со дня рождения)”, УФН, 186:12 (2016), 1381–1382 ; E. B. Aleksandrov, Zh. I. Alferov, A. L. Aseev, D. A. Varshalovich, I. V. Grekhov, Yu. V. Gulyaev, A. G. Zabrodskii, A. A. Kaplyanskii, O. N. Krokhin, V. B. Timofeev, A. V. Chaplik, I. A. Shcherbakov, “Robert Arnoldovich Suris (on his 80th birthday)”, Phys. Usp., 59:12 (2016), 1271–1272 |
|
2009 |
| 72. |
И. В. Грехов, В. Н. Кисель, М. А. Погосян, Ф. Г. Рутберг, А. К. Сарычев, В. П. Смирнов, О. Н. Фаворский, А. И. Федоренко, В. Е. Фортов, В. Ю. Хомич, А. Е. Шейндлин, И. Т. Якубов, “Андрей Николаевич Лагарьков (к 70-летию со дня рождения)”, УФН, 179:8 (2009), 919–920 ; I. V. Grekhov, V. N. Kisel', M. A. Pogosyan, F. G. Rutberg, A. K. Sarychev, V. P. Smirnov, O. N. Favorskii, A. I. Fedorenko, V. E. Fortov, V. Yu. Khomich, A. E. Sheindlin, I. T. Yakubov, “Andrei Nikolaevich Lagar'kov (on his 70th birthday)”, Phys. Usp., 52:8 (2009), 865–866 |
|
Обратная связь: