Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 1983, том 53, выпуск 4, страницы 726–729 (Mi jtf2285)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Исследование переходного процесса переключения силового диода с накоплением заряда

И. В. Грехов, Е. М. Гейфман, Л. С. Костина
Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости переходных характеристик силовых диодов с накоплением заряда (ДНЗ) от их конструктивных параметров и режимов работы. Показано, что приборы на основе высокоомного кремния $n$-типа при достаточно большом обратном напряжении способны формировать импульсы большой длительности с крутым ($<1$ мкс) фронтом.
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Грехов, Е. М. Гейфман, Л. С. Костина, “Исследование переходного процесса переключения силового диода с накоплением заряда”, ЖТФ, 53:4 (1983), 726–729
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GreKos83}
\by И.~В.~Грехов, Е.~М.~Гейфман, Л.~С.~Костина
\paper Исследование переходного процесса переключения силового диода
с~накоплением заряда
\jour ЖТФ
\yr 1983
\vol 53
\issue 4
\pages 726--729
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf2285}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf2285
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v53/i4/p726
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024