Экспериментальное наблюдение задержанного ударно-ионизационного пробоя полупроводниковых структур без $p$–$n$-переходов

Экспериментально исследована динамика ударно-ионизационного переключения полупроводниковых структур без $p$–$n$-переходов при приложении субнаносекундного высоковольтного импульса. Исследованы кремниевые $n^{+}$–$n$–$n^{+}$-структуры и объемные образцы ZnSe c плоскими омическими контактами. Обнаружено обратимое лавинное переключение в проводящее состояние за время около 200 ps, сходное с хорошо известным явлением задержанного лавинного пробоя обратносмещенных диодных $p^{+}$–$n$–$n^{+}$-структур. Приведено сравнение эксперимента с численным моделированием.