Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 1983, том 9, выпуск 7, страницы 435–439 (Mi pjtf1597)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Формирование высоковольтных наносекундных перепадов напряжения на полупроводниковых диодах с дрейфовым механизмом восстановления напряжения

И. В. Грехов, В. М. Ефанов, А. Ф. Кардо-Сысоев, С. В. Шендерей
PDF полного текста (410 kB) Список цитирования (1)
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Грехов, В. М. Ефанов, А. Ф. Кардо-Сысоев, С. В. Шендерей, “Формирование высоковольтных наносекундных перепадов напряжения на полупроводниковых диодах с дрейфовым механизмом восстановления напряжения”, Письма в ЖТФ, 9:7 (1983), 435–439
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GreEfaKar83}
\by И.~В.~Грехов, В.~М.~Ефанов, А.~Ф.~Кардо-Сысоев, С.~В.~Шендерей
\paper Формирование высоковольтных наносекундных перепадов напряжения на
полупроводниковых диодах с~дрейфовым механизмом восстановления напряжения
\jour Письма в ЖТФ
\yr 1983
\vol 9
\issue 7
\pages 435--439
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf1597}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf1597
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v9/i7/p435
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025