|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Э. И. Агеев, В. А. Иудин, Я. Сун, Е. А. Петрова, П. Н. Кустов, В. В. Ярошенко, Ю. В. Михайлова, А. С. Гудовских, И. С. Мухин, Д. А. Зуев, “Гибридные резонансные металлодиэлектрические наноструктуры для локального окрашивания”, Письма в ЖЭТФ, 115:4 (2022), 213–217  ; E. I. Ageev, V. A. Iudin, Y. Sun, E. A. Petrova, P. N. Kustov, V. V. Yaroshenko, Yu. V. Mikhailova, A. S. Gudovskikh, I. S. Mukhin, D. A. Zuev, “Resonant hybrid metalвђ“dielectric nanostructures for local color generation”, JETP Letters, 115:4 (2022), 186–189 |
2
|
|
2021 |
| 2. |
Д. А. Кудряшов, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, А. В. Уваров, И. А. Морозов, А. И. Баранов, А. О. Монастыренко, А. С. Гудовских, “Исследование влияния особенностей конструкции установки магнетронного распыления на электрические и оптические свойства пленок оксида индия-олова”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 360–364  ; D. A. Kudriashov, A. A. Maksimova, E. A. Vyacheslavova, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, A. I. Baranov, A. O. Monastyrenko, A. S. Gudovskikh, “Study of the influence of design features of a magnetron sputtering chamber on the electrical and optical properties of indium-tin oxide films”, Semiconductors, 55:4 (2021), 410–414 |
| 3. |
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. А. Максимова, А. И. Баранов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, А. О. Монастыренко, “Влияние условий формирования пленок In$_{2}$O$_{3}$–SnO$_{2}$ методом магнетронного распыления на время жизни носителей заряда в кремнии”, Письма в ЖТФ, 47:24 (2021), 31–33 |
| 4. |
А. И. Баранов, Д. А. Кудряшов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, К. Ю. Шугуров, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, А. С. Гудовских, “Исследование диодов Шоттки на основе массива кремниевых волокон, полученных сухим криогенным травлением”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 47–50 |
| 5. |
А. И. Баранов, Д. А. Кудряшов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, А. С. Гудовских, “Исследование свойств солнечных элементов на основе селективного контакта MoO$_{x}$/Si с помощью спектроскопии полной проводимости”, Письма в ЖТФ, 47:16 (2021), 24–27 ; A. I. Baranov, D. A. Kudriashov, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, A. A. Maksimova, E. A. Vyacheslavova, A. S. Gudovskikh, “Admittance spectroscopy of solar cells based on selective contact MoO$_{x}$/Si junction”, Tech. Phys. Lett., 47:11 (2021), 785–788 |
3
|
| 6. |
А. В. Уваров, А. И. Баранов, Е. А. Вячеславова, Н. А. Калюжный, Д. А. Кудряшов, А. А. Максимова, И. А. Морозов, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, А. С. Гудовских, “Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения”, Письма в ЖТФ, 47:14 (2021), 51–54 ; A. V. Uvarov, A. I. Baranov, E. A. Vyacheslavova, N. A. Kalyuzhnyy, D. A. Kudriashov, A. A. Maksimova, I. A. Morozov, S. A. Mintairov, R. A. Salii, A. S. Gudovskikh, “Formation of heterostructures of GaP/Si photoconverters by the combined method of MOVPE and PEALD”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 730–733 |
4
|
| 7. |
А. С. Гудовских, Д. А. Кудряшов, А. И. Баранов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, “Формирование селективного контакта BP/Si с помощью низкотемпературного плазмохимического осаждения”, Письма в ЖТФ, 47:2 (2021), 49–51 ; A. S. Gudovskikh, D. A. Kudriashov, A. I. Baranov, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, “A selective BP/Si contact formed by low-temperature plasma-enhanced atomic layer deposition”, Tech. Phys. Lett., 47:1 (2021), 96–98 |
5
|
|
2020 |
| 8. |
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. А. Максимова, А. И. Баранов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, “Применение селективного контакта MoO$_{x}$/$p$-Si для оценки деградации приповерхностной области кремния”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020), 37–40 ; D. A. Kudriashov, A. S. Gudovskikh, A. A. Maksimova, A. I. Baranov, A. V. Uvarov, I. A. Morozov, “Using MoO$_{x}$/$p$-Si selective contact for evaluation of the degradation of a near-surface region of silicon”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1245–1248 |
|
2019 |
| 9. |
А. В. Уваров, К. С. Зеленцов, А. С. Гудовских, “Исследование влияния термического отжига на фотоэлектрические свойства гетероструктур GaP/Si, полученных методом атомно-слоевого плазмохимического осаждения”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1095–1102 ; A. V. Uvarov, K. S. Zelentsov, A. S. Gudovskikh, “Effect of thermal annealing on the photovoltaic properties of GaP/Si heterostructures fabricated by plasma-enhanced atomic layer deposition”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1075–1081 |
2
|
|
2018 |
| 10. |
Д. В. Пермяков, И. С. Синев, С. К. Сычев, А. С. Гудовских, А. А. Богданов, А. В. Лавриненко, А. К. Самусев, “Визуализация изочастотных контуров сильно локализованных волноводных мод в планарных диэлектрических структурах”, Письма в ЖЭТФ, 107:1 (2018), 12–17 ; D. V. Permyakov, I. S. Sinev, S. K. Sychev, A. S. Gudovskikh, A. A. Bogdanov, A. V. Lavrinenko, A. K. Samusev, “Visualization of isofrequency contours of strongly localized waveguide modes in planar dielectric structures”, JETP Letters, 107:1 (2018), 10–14   |
7
|
| 11. |
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. И. Баранов, “Прецизионное химическое травление эпитаксиальных слоев GaP(NAs) для формирования монолитных оптоэлектронных приборов”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1668–1674 ; D. A. Kudriashov, A. S. Gudovskikh, A. I. Baranov, “Precision chemical etching of GaP(NAs) epitaxial layers for the formation of monolithic optoelectronic devices”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1775–1781 |
1
|
| 12. |
В. Ф. Агекян, Е. В. Борисов, А. С. Гудовских, Д. А. Кудряшов, А. О. Монастыренко, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов, “Формирование кристаллических слоев Cu$_{2}$O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 402–408 ; V. F. Agekyan, E. V. Borisov, A. S. Gudovskikh, D. A. Kudriashov, A. O. Monastyrenko, A. Yu. Serov, N. G. Filosofov, “Formation of Cu$_{2}$O and ZnO crystal layers by magnetron assisted sputtering and their optical characterization”, Semiconductors, 52:3 (2018), 383–389 |
4
|
|
2017 |
| 13. |
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. В. Бабичев, А. В. Филимонов, А. М. Можаров, В. Ф. Агекян, Е. В. Борисов, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов, “Наноразмерные пленки Cu$_{2}$O: формирование методом ВЧ-магнетронного распыления, исследование структурных и оптических свойств”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 111–115 ; D. A. Kudriashov, A. S. Gudovskikh, A. V. Babichev, A. V. Filimonov, A. M. Mozharov, V. F. Agekyan, E. V. Borisov, A. Yu. Serov, N. G. Filosofov, “Nanoscale Cu$_2$O films: Radio-frequency magnetron sputtering and structural and optical studies”, Semiconductors, 51:1 (2017), 110–114 |
13
|
| 14. |
С. Б. Мусалинов, А. П. Анзулевич, И. В. Бычков, А. С. Гудовских, М. З. Шварц, “Влияние двух- и трехслойных просветляющих покрытий на формирование фототоков в многопереходных солнечных элементах на основе A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 89–93 ; S. B. Musalinov, A. P. Anzulevich, I. V. Bychkov, A. S. Gudovskikh, M. Z. Shvarts, “Influence of double- and triple-layer antireflection coatings on the formation of photocurrents in multijunction III–V solar cells”, Semiconductors, 51:1 (2017), 88–92 |
4
|
|
2016 |
| 15. |
А. М. Можаров, Д. А. Кудряшов, А. Д. Большаков, Г. Э. Цырлин, А. С. Гудовских, И. С. Мухин, “Численное моделирование характеристик солнечных элементов на основе GaPNAs/Si гетероструктур и GaN нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1543–1547 ; A. M. Mozharov, D. A. Kudriashov, A. D. Bolshakov, G. E. Cirlin, A. S. Gudovskikh, I. S. Mukhin, “Numerical simulation of the properties of solar cells based on GaPNAs/Si heterostructures and GaN nanowires”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1521–1525 |
8
|
| 16. |
Е. В. Никитина, А. С. Гудовских, А. А. Лазаренко, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, К. С. Зеленцов, И. А. Морозов, А. Ю. Егоров, “Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 663–667 ; E. V. Nikitina, A. S. Gudovskikh, A. Lazarenko, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, K. S. Zelentsov, I. A. Morozov, A. Yu. Egorov, “GaAs/InGaAsN heterostructures for multi-junction solar cells”, Semiconductors, 50:5 (2016), 652–655 |
3
|
|
Обратная связь: