Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5, страницы 663–667 (Mi phts6469)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов

Е. В. Никитинаa, А. С. Гудовскихab, А. А. Лазаренкоa, Е. В. Пироговa, М. С. Соболевa, К. С. Зеленцовa, И. А. Морозовa, А. Ю. Егоровc

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (389 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Исследованы гетероструктуры солнечных элементов на основе материалов GaAs/InGaAsN cо сверхрешеткой InAs/GaAsN, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Тестовый солнечный элемент $p$-GaAs/$i$-(InAs/GaAsN)/$n$-GaAs с активным слоем InGaAsN толщиной 0.9 мкм имеет напряжение холостого хода 0.4 В (при освещенности АМ1.5G) и квантовую эффективность $>$ 0.75 на длине волны 940 нм (при нулевых потерях на отражение), что соответствует току короткого замыкания 26.58 мА/см$^{2}$ (АМ1.5G, 100 мВт/см$^{2}$). Высокое значение напряжения холостого хода показывает возможность использования InGaAsN как материала с шириной запрещенной зоны 1 эВ в четырехкаскадных солнечных элементах.
Поступила в редакцию: 07.10.2015
Принята в печать: 16.10.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 5, Pages 652–655
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261605016X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Никитина, А. С. Гудовских, А. А. Лазаренко, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, К. С. Зеленцов, И. А. Морозов, А. Ю. Егоров, “Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 663–667; Semiconductors, 50:5 (2016), 652–655
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NikGudLaz16}
\by Е.~В.~Никитина, А.~С.~Гудовских, А.~А.~Лазаренко, Е.~В.~Пирогов, М.~С.~Соболев, К.~С.~Зеленцов, И.~А.~Морозов, А.~Ю.~Егоров
\paper Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 5
\pages 663--667
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6469}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368891}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 5
\pages 652--655
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261605016X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6469
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i5/p663
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:52
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024