Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 2, страницы 49–51
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.02.50547.18556 (Mi pjtf4888) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Формирование селективного контакта BP/Si с помощью низкотемпературного плазмохимического осаждения

А. С. Гудовскихab, Д. А. Кудряшовa, А. И. Барановa, А. В. Уваровa, И. А. Морозовa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
PDF полного текста (298 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.02.50547.18556
Аннотация: Впервые показана возможность формирования слоев фосфида бора методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения при температуре 250$^\circ$C, а также экспериментально продемонстрирована возможность их использования в качестве дырочного селективного контакта к кремнию для создания солнечных элементов.
Ключевые слова: фосфид бора, кремний, селективный контакт, солнечный элемент.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0791-2020-0004
Представленные в работе исследования осуществлены в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования РФ № 0791-2020-0004.
Поступила в редакцию: 23.09.2020
Исправленный вариант: 13.10.2020
Принята в печать: 13.10.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2021, Volume 47, Issue 1, Pages 96–98
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785021010211
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Гудовских, Д. А. Кудряшов, А. И. Баранов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, “Формирование селективного контакта BP/Si с помощью низкотемпературного плазмохимического осаждения”, Письма в ЖТФ, 47:2 (2021), 49–51; Tech. Phys. Lett., 47:1 (2021), 96–98
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GudKudBar21}
\by А.~С.~Гудовских, Д.~А.~Кудряшов, А.~И.~Баранов, А.~В.~Уваров, И.~А.~Морозов
\paper Формирование селективного контакта BP/Si с помощью низкотемпературного плазмохимического осаждения
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 2
\pages 49--51
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4888}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.02.50547.18556}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44860849}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2021
\vol 47
\issue 1
\pages 96--98
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785021010211}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4888
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i2/p49
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024