Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2022, том 115, выпуск 4, страницы 213–217
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567822040024 (Mi jetpl6608) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА

Гибридные резонансные металлодиэлектрические наноструктуры для локального окрашивания

Э. И. Агеевa, В. А. Иудинa, Я. Сунa, Е. А. Петроваa, П. Н. Кустовa, В. В. Ярошенкоa, Ю. В. Михайловаa, А. С. Гудовскихb, И. С. Мухинba, Д. А. Зуевa

a Университет ИТМО, 197101 С.-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет им. Ж. И. Алферова РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
PDF полного текста (401 kB) Первая страница Список цитирования (2)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567822040024
Аннотация: В настоящей работе экспериментально и теоретически продемонстрировано лазерно-индуцированное изменение локального цвета за счет изменения формы золото-кремниевых асимметричных наноструктур. Изменение характеристик рассеяния, происходящее вследствие изменения формы, показывает потенциал гибридных металл-диэлектрических наноструктур для приложений цветной печати. За счет изменения формы можно настроить положение резонанса наноструктуры в диапазоне длин волн от 500 до 800 нм, что приводит к разным цветам освещенных наноструктур. Более того, моделирование диаграмм рассеяния гибридных наночастиц до и после изменения формы под воздействием излучения фемтосекундного лазера показывает, что изменение цвета одновременно сопровождается существенной перестройкой диаграммы рассеяния для обоих спектральных пиков.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-79-10259
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (грант # 19-79-10259).
Поступила в редакцию: 03.12.2021
Исправленный вариант: 12.01.2022
Принята в печать: 12.01.2022
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2022, Volume 115, Issue 4, Pages 186–189
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364022040014
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Э. И. Агеев, В. А. Иудин, Я. Сун, Е. А. Петрова, П. Н. Кустов, В. В. Ярошенко, Ю. В. Михайлова, А. С. Гудовских, И. С. Мухин, Д. А. Зуев, “Гибридные резонансные металлодиэлектрические наноструктуры для локального окрашивания”, Письма в ЖЭТФ, 115:4 (2022), 213–217; JETP Letters, 115:4 (2022), 186–189
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AgeIudSun22}
\by Э.~И.~Агеев, В.~А.~Иудин, Я.~Сун, Е.~А.~Петрова, П.~Н.~Кустов, В.~В.~Ярошенко, Ю.~В.~Михайлова, А.~С.~Гудовских, И.~С.~Мухин, Д.~А.~Зуев
\paper Гибридные резонансные металлодиэлектрические наноструктуры для локального окрашивания
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2022
\vol 115
\issue 4
\pages 213--217
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl6608}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S1234567822040024}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2022
\vol 115
\issue 4
\pages 186--189
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364022040014}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6608
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v115/i4/p213
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:59
    Список литературы:15
    Первая страница:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024