Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 13, страницы 1668–1674
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46885.8937 (Mi phts5647) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Прецизионное химическое травление эпитаксиальных слоев GaP(NAs) для формирования монолитных оптоэлектронных приборов

Д. А. Кудряшовa, А. С. Гудовскихab, А. И. Барановa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
PDF полного текста (1139 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46885.8937
Аннотация: Приводятся результаты исследования применимости различных травителей для целей прецизионного жидкостного травления структур монолитных оптоэлектронных приборов, содержащих слои GaPNAs. Было показано, что травитель на основе иодада калия и соляной кислоты наилучшим образом подходит для данной задачи. Наличие в составе полупроводника азота (до 4%) и мышьяка не оказывает существенного влияния на работу травителя, однако требует проведения дополнительных калибровочных экспериментов по уточнению скорости травления в каждом конкретном случае. В работе представлены примеры практического применения прецизионного травления для измерения характеристик солнечных элементов на основе GaPNAs.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-19-01482
Работа выполнена при поддержке гранта Российского научного фонда (проект № 17-19-01482).
Поступила в редакцию: 18.06.2018
Принята в печать: 02.07.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 13, Pages 1775–1781
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618130092
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. И. Баранов, “Прецизионное химическое травление эпитаксиальных слоев GaP(NAs) для формирования монолитных оптоэлектронных приборов”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1668–1674; Semiconductors, 52:13 (2018), 1775–1781
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KudGudBar18}
\by Д.~А.~Кудряшов, А.~С.~Гудовских, А.~И.~Баранов
\paper Прецизионное химическое травление эпитаксиальных слоев GaP(NAs) для формирования монолитных оптоэлектронных приборов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 13
\pages 1668--1674
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5647}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46885.8937}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903672}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 13
\pages 1775--1781
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618130092}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5647
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i13/p1668
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024