|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Прецизионное химическое травление эпитаксиальных слоев GaP(NAs) для формирования монолитных оптоэлектронных приборов
Д. А. Кудряшовa, А. С. Гудовскихab, А. И. Барановa a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова
Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация:
Приводятся результаты исследования применимости различных травителей для целей прецизионного жидкостного травления структур монолитных оптоэлектронных приборов, содержащих слои GaPNAs. Было показано, что травитель на основе иодада калия и соляной кислоты наилучшим образом подходит для данной задачи. Наличие в составе полупроводника азота (до 4%) и мышьяка не оказывает существенного влияния на работу травителя, однако требует проведения дополнительных калибровочных экспериментов по уточнению скорости травления в каждом конкретном случае. В работе представлены примеры практического применения прецизионного травления для измерения характеристик солнечных элементов на основе GaPNAs.
Поступила в редакцию: 18.06.2018 Принята в печать: 02.07.2018
Образец цитирования:
Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. И. Баранов, “Прецизионное химическое травление эпитаксиальных слоев GaP(NAs) для формирования монолитных оптоэлектронных приборов”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1668–1674; Semiconductors, 52:13 (2018), 1775–1781
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5647 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i13/p1668
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 32 | PDF полного текста: | 12 |
|