Влияние двух- и трехслойных просветляющих покрытий на формирование фототоков в многопереходных солнечных элементах на основе A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$

Представлены результаты моделирования методом матриц переноса двухслойного, TiO$_{2}$/SiO$_{2}$, и трехслойного, TiO$_{2}$/Si$_{3}$N$_{4}$/SiO$_{2}$, просветляющих покрытий для многопереходных гетероструктурных солнечных элементов InGaP/GaAs/Ge. Экспериментально получено и оптимизировано двухслойное просветляющее покрытие TiO$_{2}$/SiO$_{2}$. С использованием экспериментальных спектральных зависимостей квантового выхода фотоответа солнечного элемента InGaP/GaAs/Ge и оптических характеристик просветляющих покрытий, полученных при моделировании, определены значения плотностей фототоков отдельных каскадов трехпереходного солнечного элемента для условий облучения AM1.5D (1000 Вт/м$^{2}$), а также для случая отсутствия потерь на отражение. В рамках моделирования показано, что оптимизированное трехслойное просветляющее покрытие TiO$_{2}$/Si$_{3}$N$_{4}$/SiO$_{2}$ дает выигрыш в величине плотности фототока на 2.3 мА/см$^{2}$ (AM1.5D) для Ge-субэлемента по сравнению с рассматриваемым вариантом двухслойного просветляющего покрытия TiO$_{2}$/SiO$_{2}$, обеспечивая тем самым рост коэффициента заполнения вольт-амперной характеристики и выходной электрической мощности многопереходного солнечного элемента.