|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Влияние двух- и трехслойных просветляющих покрытий на формирование фототоков в многопереходных солнечных элементах на основе A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$
С. Б. Мусалиновa, А. П. Анзулевичa, И. В. Бычковa, А. С. Гудовскихb, М. З. Шварцc a Челябинский государственный университет
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Представлены результаты моделирования методом матриц переноса двухслойного, TiO$_{2}$/SiO$_{2}$, и трехслойного, TiO$_{2}$/Si$_{3}$N$_{4}$/SiO$_{2}$, просветляющих покрытий для многопереходных гетероструктурных солнечных элементов InGaP/GaAs/Ge. Экспериментально получено и оптимизировано двухслойное просветляющее покрытие TiO$_{2}$/SiO$_{2}$. С использованием экспериментальных спектральных зависимостей квантового выхода фотоответа солнечного элемента InGaP/GaAs/Ge и оптических характеристик просветляющих покрытий, полученных при моделировании, определены значения плотностей фототоков отдельных каскадов трехпереходного солнечного элемента для условий облучения AM1.5D (1000 Вт/м$^{2}$), а также для случая отсутствия потерь на отражение. В рамках моделирования показано, что оптимизированное трехслойное просветляющее покрытие TiO$_{2}$/Si$_{3}$N$_{4}$/SiO$_{2}$ дает выигрыш в величине плотности фототока на 2.3 мА/см$^{2}$ (AM1.5D) для Ge-субэлемента по сравнению с рассматриваемым вариантом двухслойного просветляющего покрытия TiO$_{2}$/SiO$_{2}$, обеспечивая тем самым рост коэффициента заполнения вольт-амперной характеристики и выходной электрической мощности многопереходного солнечного элемента.
Поступила в редакцию: 20.06.2016 Принята в печать: 29.06.2016
Образец цитирования:
С. Б. Мусалинов, А. П. Анзулевич, И. В. Бычков, А. С. Гудовских, М. З. Шварц, “Влияние двух- и трехслойных просветляющих покрытий на формирование фототоков в многопереходных солнечных элементах на основе A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 89–93; Semiconductors, 51:1 (2017), 88–92
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6263 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i1/p89
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 44 | PDF полного текста: | 12 |
|