Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 3, страницы 402–408
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45629.8682
(Mi phts5905)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Формирование кристаллических слоев Cu$_{2}$O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация

В. Ф. Агекянa, Е. В. Борисовa, А. С. Гудовскихbc, Д. А. Кудряшовb, А. О. Монастыренкоb, А. Ю. Серовa, Н. Г. Философовa

a Санкт-Петербургский государственный университет
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация: Методом магнетронного распыления сформированы пленки оксида меди (I) и оксида цинка толщиной в десятки и сотни нанометров на подложках из кремния и кварцевого стекла. Рост производился при различных температурах подложки и давлениях кислорода в рабочей камере. Образцы пленок исследованы методами рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии и оптическими методами. Установлено, что увеличение температуры подложки приводит к изменению морфологии поверхности пленок оксида меди (I) в сторону образования отчетливо выраженных кристаллитов. Спектры отражения и рамановского рассеяния свидетельствуют о том, что качество таких пленок близко к качеству объемных кристаллов Cu$_{2}$O, полученных методом окисления меди. Что касается ZnO, то повышение температуры подложки и увеличение парциального давления кислорода позволяет получить пленки, в спектрах отражения которых наблюдается резкая экситонная структура, а в спектрах люминесценции – излучение экситонов, связанных на донорах.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 15-08-06645А
Санкт-Петербургский государственный университет 11.52.454.2016
Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ № 15-08-06645А и научной темы 11.52.454.2016 Санкт-Петербургского государственного университета.
Поступила в редакцию: 05.07.2017
Принята в печать: 12.07.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 3, Pages 383–389
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618030028
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Ф. Агекян, Е. В. Борисов, А. С. Гудовских, Д. А. Кудряшов, А. О. Монастыренко, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов, “Формирование кристаллических слоев Cu$_{2}$O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 402–408; Semiconductors, 52:3 (2018), 383–389
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AgeBorGud18}
\by В.~Ф.~Агекян, Е.~В.~Борисов, А.~С.~Гудовских, Д.~А.~Кудряшов, А.~О.~Монастыренко, А.~Ю.~Серов, Н.~Г.~Философов
\paper Формирование кристаллических слоев Cu$_{2}$O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 402--408
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5905}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45629.8682}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739696}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 383--389
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618030028}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5905
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p402
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024