|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Д. Н. Николаев, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, М. И. Кандратов, И. Н. Гордеев, А. Е. Гришин, А. Е. Казакова, П. С. Гаврина, К. В. Бахвалов, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин, “Мощные многомодовые полупроводниковые лазеры (λ = 976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью излучения в перпендикулярной плоскости”, Квантовая электроника, 53:5 (2023), 374–378  [S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, D. N. Nikolaev, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, M. Kandratov, I. Gordeev, A. E. Grishin, A. E. Kazakova, P. S. Gavrina, K. Bakhvalov, P. S. Kop'ev, N. A. Pikhtin, “High-power multimode semiconductor lasers (976 nm) based on asymmetric heterostructures with a broadened waveguide and reduced vertical divergence”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 9 (2023), S976–S983] |
| 2. |
Д. Н. Николаев, И. В. Ломоносов, “Уравнение состояния оксида железа при давлении $\le 1$ ТПа”, ТВТ, 61:2 (2023), 318–320 ; D. N. Nikolaev, I. V. Lomonosov, “Equation of state of iron oxide at a pressure $\le1$ TPa”, High Temperature, 61:2 (2023), 291–293 |
2
|
|
2021 |
| 3. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, H. Leiste, “Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 86–95  ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, H. Leiste, “Structural and spectroscopic studies of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructure layer and protoporous silicon”, Semiconductors, 55:1 (2021), 122–131 |
1
|
| 4. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, И. Н. Арсентьев, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, “Спектроскопические исследования интегрированных гетероструктур GaAs/Si”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 34–40 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, I. N. Arsent'ev, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, “Spectroscopic studies of integrated GaAs/Si heterostructures”, Semiconductors, 55:1 (2021), 44–50 |
3
|
| 5. |
М. И. Кулиш, В. Б. Минцев, С. В. Дудин, Д. Н. Николаев, И. В. Ломоносов, В. Е. Фортов, “Измерения коэффициента пропускания кремния под воздействием излучения интенсивных ударных волн в ксеноне”, ТВТ, 59:6 (2021), 956–959 |
| 6. |
М. И. Кулиш, В. Б. Минцев, С. В. Дудин, Д. Н. Николаев, И. В. Ломоносов, В. Е. Фортов, “Излучение кремния при давлении ударного сжатия $68$ ГПа и в процессе разгрузки в вакуум”, ТВТ, 59:6 (2021), 865–868 |
1
|
| 7. |
Д. Н. Николаев, М. И. Кулиш, С. В. Дудин, В. Б. Минцев, И. В. Ломоносов, В. Е. Фортов, “Ударная сжимаемость монокристаллического кремния в диапазоне давлений $280$–$510$ ГПа”, ТВТ, 59:6 (2021), 860–864 |
5
|
|
2020 |
| 8. |
И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, Д. Н. Николаев, В. В. Шамахов, Д. А. Веселов, Н. А. Рудова, К. В. Бахвалов, В. В. Золотарев, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Одномодовые лазеры (1050 нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 414–419 ; I. S. Shashkin, A. Yu. Leshko, D. N. Nikolaev, V. V. Shamakhov, D. A. Veselov, N. A. Rudova, K. V. Bakhvalov, V. V. Zolotarev, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, P. S. Kop'ev, “Single-mode lasers (1050 nm) of mesa-stripe design based on an AlGaAs/GaAs heterostructure with an ultra-narrow waveguide”, Semiconductors, 54:4 (2020), 489–494 |
5
|
| 9. |
И. С. Шашкин, А. Ю. Лешко, Д. Н. Николаев, В. В. Шамахов, Н. А. Рудова, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, В. А. Капитонов, В. В. Золотарев, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьев, “Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 408–413 |
1
|
|
2019 |
| 10. |
Я. В. Левицкий, М. И. Митрофанов, Г. В. Вознюк, Д. Н. Николаев, М. Н. Мизеров, В. П. Евтихиев, “Изменение люминесцентных характеристик полупроводниковых гетероструктур при ионно-лучевом травлении”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1579–1583 ; Ya. V. Levitskii, M. I. Mitrofanov, G. V. Voznyuk, D. N. Nikolaev, M. N. Mizerov, V. P. Evtikhiev, “Changes in the photoluminescence properties of semiconductor heterostructures after ion-beam etching”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1545–1549 |
2
|
| 11. |
В. В. Шамахов, Д. Н. Николаев, В. С. Головин, Д. А. Веселов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Исследование многомодовых полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры типа зарощенная меза”, Квантовая электроника, 49:12 (2019), 1172–1174 [V. V. Shamakhov, D. N. Nikolaev, V. S. Golovin, D. A. Veselov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Study of multimode semiconductor lasers with buried mesas”, Quantum Electron., 49:12 (2019), 1172–1174   ] |
1
|
|
2018 |
| 12. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, “Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 881–890 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, “Effect of misorientation and preliminary etching of the substrate on the structural and optical properties of integrated GaAs/Si(100) heterostructures produced by vapor phase epitaxy”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1012–1021 |
3
|
| 13. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Федюкин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, Harald Leiste, Monika Rinke, “Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 118–124 ; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, A. V. Fedyukin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Influence of substrate misorientation on the composition and the structural and photoluminescence properties of epitaxial layers grown on GaAs(100)”, Semiconductors, 52:1 (2018), 112–117 |
5
|
|
2017 |
| 14. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Д. Н. Николаев, T. Prutskij, “Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их структурные и морфологические свойства”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1131–1137 ; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, D. N. Nikolaev, T. Prutskij, “Experimental studies of the effects of atomic ordering in epitaxial Ga$_{x}$In$_{1-x}$P alloys on their structural and morphological properties”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1087–1092 |
1
|
| 15. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, И. С. Тарасов, В. В. Шамахов, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 124–132 ; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, I. S. Tarasov, V. V. Shamakhov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Epitaxial Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg alloys with different conductivity types”, Semiconductors, 51:1 (2017), 122–130 |
|
2015 |
| 16. |
Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, Н. В. Воронкова, И. С. Тарасов, “Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера”, Квантовая электроника, 45:7 (2015), 604–606 [D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, N. V. Voronkova, I. S. Tarasov, “Study of the absorption coefficient in layers of a semiconductor laser heterostructure”, Quantum Electron., 45:7 (2015), 604–606 ] |
15
|
| 17. |
Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, В. А. Капитонов, И. С. Тарасов, “Влияние параметров лазерного резонатора на насыщение ватт-амперных характеристик мощных импульсных лазеров”, Квантовая электроника, 45:7 (2015), 597–600 [D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, V. A. Kapitonov, I. S. Tarasov, “Effect of laser cavity parameters on saturation of light – current characteristics of high-power pulsed lasers”, Quantum Electron., 45:7 (2015), 597–600 ] |
20
|
|
2014 |
| 18. |
Д. А. Веселов, В. А. Капитонов, Н. А. Пихтин, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, И. С. Тарасов, “Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (λ = 1.0 – 1.1 мкм) в импульсном режиме генерации”, Квантовая электроника, 44:11 (2014), 993–996 [D. A. Veselov, V. A. Kapitonov, N. A. Pikhtin, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. S. Shashkin, I. S. Tarasov, “Saturation of light – current characteristics of high-power lasers (λ = 1.0 – 1.1 mm) in pulsed regime”, Quantum Electron., 44:11 (2014), 993–996 ] |
40
|
|
Обратная связь: