Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Левинштейн Михаил Ефимович
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 47
Научных статей: 46

Статистика просмотров:
Эта страница:259
Страницы публикаций:2154
Полные тексты:956
Списки литературы:28
главный научный сотрудник
доктор физико-математических наук
Дата рождения: 12.04.1940
E-mail:
Ключевые слова: Тиристоры, диоды, транзисторы Низкочастотный шум Эффект Ганна Карбид кремния.

Основные темы научной работы

Мощные полупроводниковые приборы Низкочастотный шум Горячие электроны

https://www.mathnet.ru/rus/person93345
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2024
1. К. В. Лихачев, А. М. Скоморохов, М. В. Учаев, Ю. А. Успенская, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, И. А. Елисеев, А. Н. Смирнов, Д. Д. Крамущенко, Р. А. Бабунц, П. Г. Баранов, “Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки”, Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024),  367–373  mathnet
2020
2. В. В. Козловский, O. Корольков, К. С. Давыдовская, А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, Н. Слепчук, А. М. Стрельчук, J. Toompuu, “Влияние температуры протонного облучения на характеристики мощных высоковольтных карбид-кремниевых диодов Шоттки”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  35–37  mathnet  elib; V. V. Kozlovsky, O. Korolkov, K. S. Davydovskaja, A. A. Lebedev, M. E. Levinshteǐn, N. Sleptsuk, A. M. Strel'chuk, J. Toompuu, “Influence of the proton irradiation temperature on the characteristics of high-power high-voltage silicon carbide Schottky diodes”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 287–289 8
2019
3. А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, В. В. Козловский, А. М. Стрельчук, Е. И. Шабунина, L. Fursin, “Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1604–1608  mathnet  elib; A. A. Lebedev, M. E. Levinshteǐn, P. A. Ivanov, V. V. Kozlovsky, A. M. Strel'chuk, E. I. Shabunina, L. Fursin, “Effect of irradiation with 15-MeV protons on low frequency noise in power SiC MOSFETs”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1568–1572 6
4. А. А. Лебедев, В. В. Козловский, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, А. В. Зубов, “Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC $p$–$n$-диодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1448–1452  mathnet  elib; A. A. Lebedev, V. V. Kozlovsky, P. A. Ivanov, M. E. Levinshteǐn, A. V. Zubov, “Impact of high energy elctron irradiation on surge currents in 4$H$-SiC JBS Schottky diodes”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1409–1413 1
5. А. А. Лебедев, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Н. Анисимов, П. Г. Баранов, “Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)”, УФН, 189:8 (2019),  803–848  mathnet  elib; A. A. Lebedev, P. A. Ivanov, M. E. Levinshtein, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. N. Anisimov, P. G. Baranov, “SiC-based electronics (100th anniversary of the Ioffe Institute)”, Phys. Usp., 62:8 (2019), 754–794  isi  scopus 15
2017
6. В. С. Юферев, М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, Jon Q. Zhang, John W. Palmour, “Переходной процесс выключения 4$H$-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1243–1248  mathnet  elib; V. S. Yuferev, M. E. Levinshteǐn, P. A. Ivanov, Jon Q. Zhang, John W. Palmour, “Transient switch-off of a 4$H$-SiC bipolar transistor from the deep-saturation mode”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1194–1199 2
7. Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев, М. Е. Левинштейн, С. Н. Юрков, J. W. Palmour, “Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1125–1130  mathnet  elib; T. T. Мnatsakanov, A. G. Tandoev, M. E. Levinshteǐn, S. N. Yurkov, J. W. Palmour, “Current–voltage characteristics of Schottky diodes at high current densities under the injection of minority carriers”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1081–1086 1
8. Т. Т. Мнацаканов, М. Е. Левинштейн, В. Б. Шуман, Б. М. Середин, “О пределе инжектирующей способности кремниевых $p^{+}$–$n$-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  830–834  mathnet  elib; T. T. Мnatsakanov, M. E. Levinshteǐn, V. B. Shuman, B. M. Seredin, “On the limit of the injection ability of silicon $p^{+}$–$n$ junctions as a result of fundamental physical effects”, Semiconductors, 51:6 (2017), 798–802 2
9. С. Н. Юрков, Т. Т. Мнацаканов, М. Е. Левинштейн, А. Г. Тандоев, J. W. Palmour, “Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4$H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  234–239  mathnet  elib; S. N. Yurkov, T. T. Мnatsakanov, M. E. Levinshteǐn, A. G. Tandoev, J. W. Palmour, “Analysis of the impact of non-1D effects on the gate switch-on current in 4$H$-SiC thyristors”, Semiconductors, 51:2 (2017), 225–231
2016
10. М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, Q. J. Zhang, J. W. Palmour, “Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4$H$-SiC JBS-диодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  668–673  mathnet  elib; M. E. Levinshteǐn, P. A. Ivanov, Q. J. Zhang, J. W. Palmour, “Isothermal current–voltage characteristics of high-voltage 4$H$-SiC junction barrier Schottky rectifiers”, Semiconductors, 50:5 (2016), 656–661 1
11. М. Е. Левинштейн, Т. Т. Мнацаканов, С. Н. Юрков, А. Г. Тандоев, Sei-Hyung Ryu, J. W. Palmour, “Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой $n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  408–414  mathnet  elib; M. E. Levinshteǐn, T. T. Мnatsakanov, S. N. Yurkov, A. G. Tandoev, Sei-Hyung Ryu, J. W. Palmour, “High-voltage silicon-carbide thyristor with an $n$-type blocking base”, Semiconductors, 50:3 (2016), 404–410 5
1992
12. Г. М. Гусинский, Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Шум $1/f$, электрические и фотоэлектрические свойства GaAs, подвергнутого облучению ионами высокой энергии”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  543–547  mathnet
13. М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “О разнице между статической и динамической силами трения”, Письма в ЖТФ, 18:5 (1992),  42–46  mathnet
1991
14. Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Природа объемного шума $1/f$ в GaAs и Si (обзор)”, Физика и техника полупроводников, 25:12 (1991),  2065–2104  mathnet
15. Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Температурная зависимость низкочастотного шума в структурно совершенном и подвергнутом деструктивному сжанию GaAs”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  355–358  mathnet
16. М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Релаксация фотопроводимости и шум $1/f$ в GaAs, подвергнутом деструктивному сжатию”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  164–167  mathnet
1990
17. М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Влияние деструктивного одноосного сжатия на шум $1/f$ в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1807–1815  mathnet
18. Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Исследование долговременной релаксации фотопроводимости в Si в связи с проблемой шума $1/f$”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1531–1538  mathnet
19. Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, Д. А. Плоткин, С. Л. Румянцев, “Кинетика спада долговременно́й фотопроводимости в GaAs и модель объемного шума $1/f$ в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  836–843  mathnet
20. Е. Г. Гук, Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Эффект немонотонной зависимости шума $1/f$ от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума $1/f$ в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  813–820  mathnet
1989
21. Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Шум $1/f$ и долговременная релаксация фотопроводимости в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1828–1833  mathnet
22. Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, “Модель объемного шума $1/f$ в лавинно-пролетных диодах”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1187–1192  mathnet
23. Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, “Модель объемного шума $1/f$ в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  283–291  mathnet
1988
24. М. М. Аникин, М. Е. Левинштейн, И. В. Попов, В. П. Растегаев, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, “Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых $p{-}n$-переходах”, Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1574–1579  mathnet
25. С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Исследование субнаносекундного включения арсенид-галлиевых тиристорных структур”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1134–1137  mathnet
26. Е. Г. Гук, Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, “Подавление светом шума $1/f$ в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1120–1122  mathnet
27. Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Перестройка светом шума $1/f$ в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1049–1052  mathnet
28. Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, “Влияние температуры на перестройку светом шума $1/f$ в GaAs”, Письма в ЖТФ, 14:21 (1988),  1978–1982  mathnet  isi
29. С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Визуализация процесса субнаносекундного переключения арсенидгаллиевых диодных структур”, Письма в ЖТФ, 14:16 (1988),  1526–1530  mathnet  isi
30. М. М. Аникин, С. Н. Вайнштейн, М. Е. Левинштейн, A. M. Стрельчук, А. Л. Сыркин, “Об отрицательном температурном коэффициенте напряжения пробоя в карбидкремниевых $p{-}n$ переходах”, Письма в ЖТФ, 14:6 (1988),  545–547  mathnet  isi
1987
31. С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Распространение включенного состояния в арсенид-галлиевых тиристорах”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  129–133  mathnet
32. С. Н. Вайнштейн, В. А. Дмитриев, М. Е. Левинштейн, С. В. Рендакова, “О шнуровании тока в карбидкремниевых Р-П-переходах при пробое”, Письма в ЖТФ, 13:12 (1987),  741–743  mathnet  isi
33. С. Н. Вайнштейн, М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Подавление светом шума $1/f$ в арсениде галлия”, Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  645–648  mathnet  isi
1986
34. С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Сравнительное исследование процесса включения арсенидгаллиевых и кремниевых тиристоров”, ЖТФ, 56:7 (1986),  1343–1347  mathnet  isi
1985
35. М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Шум $1/f$ горячих электронов в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1651–1656  mathnet
36. В. Б. Горфинкель, М. Е. Левинштейн, С. Г. Шофман, “Высокочастотная проводимость Ga$_{x}$In$_{1-x}$Sb в сильных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  131–133  mathnet
1984
37. В. И. Брылевский, М. Е. Левинштейн, И. Г. Чашников, “Динамическая локализация тока в переходном процессе включения тиристоров”, ЖТФ, 54:1 (1984),  124–130  mathnet  isi
38. М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Особенности неустойчивости в условиях отрицательной дифференциальной проводимости при наличии двух сортов носителей”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1577–1582  mathnet
39. А. Г. Астафуров, С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, В. Е. Челноков, “Распространение включенного состояния в GaAs тиристорах большой площади”, Письма в ЖТФ, 10:23 (1984),  1430–1433  mathnet  isi
40. В. М. Ботнарюк, С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Сильноточный быстродействующий коммутатор на основе GaAs динисторной структуры”, Письма в ЖТФ, 10:7 (1984),  385–388  mathnet  isi
1983
41. С. Н. Вайнштейн, И. И. Диакону, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Основные параметры включения арсенид-галлиевых тиристоров”, ЖТФ, 53:3 (1983),  573–575  mathnet  isi
42. М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Шум $1/f$ в условиях сильного геометрического магнитосопротивления”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1830–1834  mathnet
43. Ю. Д. Биленко, М. Е. Левинштейн, М. В. Попова, В. С. Юферев, “Исследование процесса переключения обратно смещенного $p{-}n$-перехода в высокопроводящее состояние с помощью моделировани на ЭВМ”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1812–1816  mathnet
44. С. Н. Вайнштейн, И. И. Диакону, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Распространение включенного состояния в арсенидгаллиевых тиристорах”, Письма в ЖТФ, 9:9 (1983),  546–549  mathnet
45. О. И. Бужинский, И. В. Грехов, М. Е. Левинштейн, В. Г. Сергеев, А. А. Сливицкий, “Лазер на парах меди с поперечным разрядом, коммутируемым полупроводниковыми переключателями со световым управлением”, Квантовая электроника, 10:1 (1983),  186–189  mathnet [O. I. Buzhinskiǐ, I. V. Grekhov, M. E. Levinshteǐn, V. G. Sergeev, A. A. Slivitskiǐ, “Transverse-discharge copper vapor laser utilizing an optically controlled semiconductor switch”, Sov J Quantum Electron, 13:1 (1983), 115–117  isi]
1981
46. В. М. Александров, О. И. Бужинский, И. В. Грехов, М. Е. Левинштейн, А. И. Мошкунов, В. Г. Сергеев, “Многоканальный полупроводниковый коммутатор наносекундного диапазона для возбуждения паров меди поперечным разрядом”, Квантовая электроника, 8:1 (1981),  191–193  mathnet [V. M. Aleksandrov, O. I. Buzhinskiǐ, I. V. Grekhov, M. E. Levinshteǐn, A. I. Moshkunov, V. G. Sergeev, “Multichannel semiconductor nanosecond switch for excitation of copper vapor by a transverse discharge”, Sov J Quantum Electron, 11:1 (1981), 111–113  isi] 1
1992
47. М. Е. Левинштейн, “Первый международный симпозиум по исследованию перспективных полупроводниковых приборов (ISDRS-91)”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1153–1155  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024