Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой $n$-типа

Проанализирована возможность создания высоковольтного тиристора на основе карбида кремния с блокирующей базой $n$-типа. Показано, что тиристорная структура, созданная как “аналог” современной тиристорной структуры с блокирующей базой $p$-типа, т. е. с сохранением толщин слоев структуры и заменой типа легирования слоев, не может быть включена ни при каком уровне входного сигнала. При комнатной температуре структура с приемлемыми параметрами при использовании блокирующей базы $n$-типа может быть реализована только при отсутствии стоп-слоя. В этом случае, однако, блокируемое структурой максимальное напряжение будет приблизительно в 2 раза ниже, чем напряжение, блокируемое тиристором с блокирующей базой $p$-типа с той же толщиной блокирующей базы. При наличии стоп-слоя при комнатной температуре на прямой вольт-амперной характеристике тиристора с блокирующей $n$-базой возникает участок $S$-образного дифференциального сопротивления, обусловленный нарушением и последующим восстановлением нейтральности. При температуре окружающей среды $\ge$ 150$^\circ$C вольт-амперные характеристики тиристора с блокирующей $n$-базой становятся вполне удовлетворительными и при наличии стоп-слоя.