Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4$H$-SiC JBS-диодов Шоттки

Прямые импульсные изотермические вольт-амперные характеристики 4$H$-SiC JBS с номинальным блокирующим напряжением 1700 В измерены в температурном диапазоне от -80$^\circ$C до + 90$^\circ$C (193–363 K) вплоть до значений плотностей тока $j$ $\sim$ 5600 А/см$^{2}$ при - 80$^\circ$C и 3000 А/см$^{2}$ при + 90$^\circ$C. При этих измерениях перегрев структуры по отношению к температуре окружающей среды $\Delta T$ не превышал нескольких градусов. При бо́льших значениях плотности тока наблюдается эффективная инжекция неосновных носителей (дырок) в базу структуры, сопровождающаяся появлением $S$-образного дифференциального сопротивления. Измерены также импульсные изотермические вольт-амперные характеристики при температуре 77 K.