Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 8, страницы 1125–1130
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44801.8478 (Mi phts6081) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей

Т. Т. Мнацакановa, А. Г. Тандоевa, М. Е. Левинштейнb, С. Н. Юрковa, J. W. Palmourc

a Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина, Москва, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Wolfspeed, Cree Company, USA
PDF полного текста (173 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44801.8478
Аннотация: Получено аналитическое выражение для вольт-амперной характеристики диода Шоттки при высоком уровне инжекции неосновных носителей заряда. Вплоть до самых высоких значений плотности тока падение напряжения на диоде тем больше, чем выше уровень легирования базы. Проанализирован физический механизм, обусловливающий возникновение этого “парадоксального” результата. Численный расчет с помощью программы, учитывающей полную совокупность нелинейных эффектов, обусловленных высоким уровнем инжекции в базовом слое и сильным легированием эмиттерной области, подтверждает справедливость полученного аналитического результата.
Поступила в редакцию: 30.01.2017
Принята в печать: 15.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 8, Pages 1081–1086
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617080231
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев, М. Е. Левинштейн, С. Н. Юрков, J. W. Palmour, “Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1125–1130; Semiconductors, 51:8 (2017), 1081–1086
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{МnaTanLev17}
\by Т.~Т.~Мнацаканов, А.~Г.~Тандоев, М.~Е.~Левинштейн, С.~Н.~Юрков, J.~W.~Palmour
\paper Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 1125--1130
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6081}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44801.8478}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29938294}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 1081--1086
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617080231}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6081
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i8/p1125
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024