|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Д. А. Ложкина, Е. В. Астрова, А. И. Лихачев, А. В. Парфеньева, А. М. Румянцев, А. Н. Смирнов, В. П. Улин, “Моноокись кремния, карбонизированная фторуглеродом, как композитный материал для анодов литий-ионных аккумуляторов”, ЖТФ, 91:9 (2021), 1381–1392   ; D. A. Lozhkina, E. V. Astrova, A. I. Lihachev, A. V. Parfeneva, A. M. Rumyantsev, A. N. Smirnov, V. P. Ulin, “Silicon monoxide carbonized by fluorocarbon as a composite material for anodes of lithium-ion batteries”, Tech. Phys., 66:11 (2021), 1228–1240  |
4
|
| 2. |
G. G. Zegrya, V. P. Ulin, A. G. Zegrya, N. V. Ulin, V. M. Fraiman, Yu. M. Mikhailov, “Erratum to: Effect of Conductivity Type and Doping Level of Silicon Crystals on the Size of Formed Pore Channels during Anodic Etching in Hydrofluoric Acid Solutions”, Tech. Phys., 66:2 (2021), 367 |
| 3. |
Д. А. Ложкина, Е. В. Астрова, Р. В. Соколов, Д. А. Кириленко, А. А. Левин, А. В. Парфеньева, В. П. Улин, “Формирование кремниевых нанокластеров при диспропорционировании моноокиси кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 373–387 ; D. A. Lozhkina, E. V. Astrova, R. V. Sokolov, D. A. Kirilenko, A. A. Levin, A. V. Parfeneva, V. P. Ulin, “Formation of silicon nanoclusters upon disproportionation of silicon monoxide”, Semiconductors, 55:4 (2021), 423–437 |
5
|
|
2020 |
| 4. |
Е. В. Астрова, В. П. Улин, А. В. Парфеньева, А. В. Нащекин, В. Н. Неведомский, М. В. Байдакова, “Взаимодействие фторуглерода с моноокисью кремния и процессы образования нанонитей SiC”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 753–765 ; E. V. Astrova, V. P. Ulin, A. V. Parfeneva, A. V. Nashchekin, V. N. Nevedomskiy, M. V. Baidakova, “Interaction of fluorocarbon with silicon monoxide and processes of SiC nanowire formation”, Semiconductors, 54:8 (2020), 900–911 |
4
|
| 5. |
Е. В. Астрова, А. В. Парфеньева, А. М. Румянцев, В. П. Улин, М. В. Байдакова, В. Н. Неведомский, А. В. Нащекин, “Влияние термообработки на свойства композитных кремний-углеродных анодов для литий-ионных аккумуляторов”, Письма в ЖТФ, 46:3 (2020), 14–18 ; E. V. Astrova, A. V. Parfeneva, A. M. Rumyantsev, V. P. Ulin, M. V. Baidakova, V. N. Nevedomskiy, A. V. Nashchekin, “The effect of thermal treatment on properties of composite silicon–carbon anodes for lithium-ion batteries”, Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 114–117 |
4
|
|
2019 |
| 6. |
Г. Г. Зегря, В. П. Улин, А. Г. Зегря, Н. В. Улин, В. М. Фрейман, Ю. М. Михайлов, “Влияние типа проводимости и уровня легирования кристаллов кремния на размеры каналов пор, формирующихся в них при анодном травлении в растворах плавиковой кислоты”, ЖТФ, 89:10 (2019), 1575–1584 ; G. G. Zegrya, V. P. Ulin, A. G. Zegrya, N. V. Ulin, V. M. Freiman, Yu. M. Mikhailov, “Effect of conductivity type and doping level of silicon crystals on the size of formed pore channels during anodic etching in hydrofluoric acid solutions”, Tech. Phys., 64:10 (2019), 1492–1500 |
6
|
| 7. |
М. В. Байдакова, Н. А. Германов, С. Н. Голяндин, М. Е. Компан, С. В. Мочалов, А. В. Нащекин, В. Н. Неведомский, С. А. Пульнев, М. К. Рабчинский, В. П. Улин, Н. В. Улин, “Слабоупорядоченный наноструктурированный бисиликат серебра и его коллоидные растворы: получение и свойства”, ЖТФ, 89:6 (2019), 938–947 ; M. V. Baidakova, N. A. Germanov, S. N. Golyandin, M. E. Kompan, S. V. Mochalov, A. V. Nashchekin, V. N. Nevedomskiy, S. A. Pul'nev, M. K. Rabchinskii, V. P. Ulin, N. V. Ulin, “Weakly ordered nanostructured silver disilicate and its colloidal solutions: preparation and properties”, Tech. Phys., 64:6 (2019), 884–892 |
1
|
| 8. |
Е. В. Астрова, В. П. Улин, А. В. Парфеньева, В. Б. Воронков, “Карбонизация нанокристаллического кремния с помощью фторуглерода”, Письма в ЖТФ, 45:13 (2019), 29–32 ; E. V. Astrova, V. P. Ulin, A. V. Parfeneva, V. B. Voronkov, “Fluorocarbon carbonization of nanocrystalline silicon”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 664–667 |
7
|
|
2017 |
| 9. |
С. А. Масалов, Е. О. Попов, А. Г. Колосько, С. В. Филиппов, В. П. Улин, В. П. Евтихиев, А. В. Атращенко, “Жидкометаллический полевой источник электронов на основе пористого GaP”, ЖТФ, 87:9 (2017), 1416–1422 ; S. A. Masalov, E. O. Popov, A. G. Kolosko, S. V. Filippov, V. P. Ulin, V. P. Evtikhiev, A. V. Atrashchenko, “Liquid-metal field electron source based on porous GaP”, Tech. Phys., 62:9 (2017), 1424–1430 |
2
|
| 10. |
Г. Г. Зегря, Г. Г. Савенков, В. А. Морозов, А. Г. Зегря, Н. В. Улин, В. П. Улин, А. А. Лукин, В. А. Брагин, И. А. Оськин, Ю. М. Михайлов, “Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 501–506 ; G. G. Zegrya, G. G. Savenkov, V. A. Morozov, A. G. Zegrya, N. V. Ulin, V. P. Ulin, A. A. Lukin, V. A. Bragin, I. A. Oskin, Yu. M. Mikhailov, “Sensitivity of energy-packed compounds based on superfine and nanoporous silicon to pulsed electrical treatments”, Semiconductors, 51:4 (2017), 477–482 |
6
|
| 11. |
В. П. Улин, Н. В. Улин, Ф. Ю. Солдатенков, “Анодные процессы в условиях химического и электрохимического травления кристаллов кремния в кислых фторидных растворах. Механизм порообразования”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 481–496 ; V. P. Ulin, N. V. Ulin, F. Yu. Soldatenkov, “Anodic processes in the chemical and electrochemical etching of Si crystals in acid-fluoride solutions: Pore formation mechanism”, Semiconductors, 51:4 (2017), 458–472 |
16
|
|
2016 |
| 12. |
С. А. Масалов, А. В. Атращенко, В. П. Улин, Е. О. Попов, А. Г. Колосько, С. В. Филиппов, “Исследование электрофизических свойств поверхности пористого GaP(111)”, Письма в ЖТФ, 42:22 (2016), 39–48 ; S. A. Masalov, A. V. Atrashchenko, V. P. Ulin, E. O. Popov, A. G. Kolosko, S. V. Filippov, “A study of the electrical properties of the porous GaP (111) surface”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1118–1121 |
1
|
|
2013 |
| 13. |
В. Л. Берковиц, В. А. Кособукин, В. П. Улин, А. Б. Гордеева, В. Н. Петров, “Спектроскопия анизотропного отражения света от металлических
нанокластеров, сформированных на поверхности полупроводника”, Письма в ЖЭТФ, 98:10 (2013), 687–692 ; V. L. Berkovits, V. A. Kosobukin, V. P. Ulin, A. B. Gordeeva, V. N. Petrov, “Reflectance anisotropy spectroscopy of metal nanoclusters formed on semiconductor surface”, JETP Letters, 98:10 (2013), 614–618  |
8
|
|
1991 |
| 14. |
Д. А. Винокуров, В. М. Лантратов, М. А. Синицын, В. П. Улин, Н. Н. Фалеев, О. М. Федорова, Я. Л. Шайович, Б. С. Явич, “Свойства и особенности кристаллизации эпитаксиальных слоев GaAs,
выращенных на подложках Si(100) методом двухстадийного осаждения в МОС
гидридном процессе”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 1022–1029 |
|
1989 |
| 15. |
М. М. Соболев, П. Н. Брунков, С. Г. Конников, М. Н. Степанова, В. Г. Никитин, В. П. Улин, А. Ш. Долбая, Т. Д. Камушадзе, Р. М. Майсурадзе, “Механизм компенсации в многослойных структурах на основе
нелегированного GaAs, выращенных из раствора-расплава в Ga”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989), 1058–1065 |
|
1987 |
| 16. |
К. Ю. Кижаев, С. Г. Конников, С. А. Никишин, К. Ю. Погребицкий, В. П. Улин, Н. Н. Фалеев, Л. И. Флакс, “Уширение переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $In\,Ga\,As\,P$, обусловленное упругими напряжениями”, Письма в ЖТФ, 13:3 (1987), 132–136 |
|
1986 |
| 17. |
Ж. И. Алфёров, Б. Я. Бер, Д. З. Гарбузов, К. Ю. Кижаев, В. В. Красовский, С. А. Никишин, Д. В. Синявский, В. П. Улин, “Образование переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $Ga\,As-Al\,As$ в процессе жидкостной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 12:6 (1986), 335–341 |
|
1984 |
| 18. |
Р. С. Вартанян, А. Г. Машевский, М. А. Синицын, В. П. Улин, Б. С. Явич, А. А. Яковенко, “Электрофизические характеристики метастабильных твердых растворов
(Ge$_{2}$)$_{x}$(GaAs)$_{1-x}$ и влияние на них термообработки”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1438–1445 |
|
Обратная связь: