Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 4, страницы 501–506
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44342.8391 (Mi phts6184) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния

Г. Г. Зегряa, Г. Г. Савенковb, В. А. Морозовc, А. Г. Зегряa, Н. В. Улинa, В. П. Улинa, А. А. Лукинb, В. А. Брагинd, И. А. Оськинd, Ю. М. Михайловe

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)
c Санкт-Петербургский государственный университет
d Научно-производственное объединение "Поиск", г. Мурино, Ленинградская область
e Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка Московской обл.
PDF полного текста (560 kB) Список цитирования (6)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44342.8391
Аннотация: Исследована чувствительность к воздействию сильноточного электронного пучка энергонасыщенного соединения на основе нанопористого кремния и перхлората кальция. Проведены исследования по возбуждению взрывчатых превращений с помощью высоковольтного разряда смеси пикрата калия с высокодисперсным порошком кремния, легированного бором. Показано, что под действием электронного пучка в исследованном энергонасыщенном соединении возникают режимы взрывчатого превращения (горение и взрыв). Установлена связь режимов взрывчатого превращения с плотностью энергонасыщенного соединения и напряжения пробоя (инициирования) с массовой долей порошка кремния.
Поступила в редакцию: 10.10.2016
Принята в печать: 11.10.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 4, Pages 477–482
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261704025X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Г. Зегря, Г. Г. Савенков, В. А. Морозов, А. Г. Зегря, Н. В. Улин, В. П. Улин, А. А. Лукин, В. А. Брагин, И. А. Оськин, Ю. М. Михайлов, “Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 501–506; Semiconductors, 51:4 (2017), 477–482
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZegSavMor17}
\by Г.~Г.~Зегря, Г.~Г.~Савенков, В.~А.~Морозов, А.~Г.~Зегря, Н.~В.~Улин, В.~П.~Улин, А.~А.~Лукин, В.~А.~Брагин, И.~А.~Оськин, Ю.~М.~Михайлов
\paper Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 4
\pages 501--506
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6184}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44342.8391}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404891}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 4
\pages 477--482
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261704025X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6184
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i4/p501
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:31
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024