Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 22, страницы 39–48 (Mi pjtf6258)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Исследование электрофизических свойств поверхности пористого GaP(111)

С. А. Масаловa, А. В. Атращенкоab, В. П. Улинa, Е. О. Поповa, А. Г. Колоськоa, С. В. Филипповa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (607 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Проведены измерения локальных электрофизических свойств поверхности пористого GaP с использованием методики туннельной спектроскопии в сверхвысоком вакууме. Обнаружены две области поверхности с различными электрофизическими свойствами. Наблюдался эффект аномальной полевой фотоэмиссии, наиболее вероятной причиной которой является наличие нанокластеров Ga$_{2}$O$_{3}$, GaP и ассоциированных с ними поверхностных состояний акцепторного типа, обладающих высокой плотностью. Для получения интегральных характеристик полевой электронной эмиссии с поверхности образца использовалась компьютеризированная система регистрации с онлайн-обработкой воль-тамперных характеристик.
Поступила в редакцию: 17.06.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 11, Pages 1118–1121
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016110183
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Масалов, А. В. Атращенко, В. П. Улин, Е. О. Попов, А. Г. Колосько, С. В. Филиппов, “Исследование электрофизических свойств поверхности пористого GaP(111)”, Письма в ЖТФ, 42:22 (2016), 39–48; Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1118–1121
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MasAtrUli16}
\by С.~А.~Масалов, А.~В.~Атращенко, В.~П.~Улин, Е.~О.~Попов, А.~Г.~Колосько, С.~В.~Филиппов
\paper Исследование электрофизических свойств поверхности пористого GaP(111)
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 22
\pages 39--48
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6258}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368366}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 11
\pages 1118--1121
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016110183}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6258
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i22/p39
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:27
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024