|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
З. Н. Соколова, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, Л. В. Асрян, “Рабочие характеристики полупроводниковых лазеров на квантовых ямах в зависимости от ширины волноводной области”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1229–1235   |
|
2020 |
| 2. |
Ф. И. Зубов, М. Е. Муретова, А. С. Паюсов, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, Л. В. Асрян, “Паразитная рекомбинация в лазере с асимметричными барьерными слоями”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 296–303 ; F. I. Zubov, M. E. Muretova, A. S. Payusov, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, L. V. Asryan, “Parasitic recombination in a laser with asymmetric barrier layers”, Semiconductors, 54:3 (2020), 366–373 |
4
|
|
2019 |
| 3. |
Л. В. Асрян, “Лазеры на квантовых точках с асимметричными барьерными слоями: близкие к идеальным пороговые и мощностные характеристики”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 522–528 [L. V. Asryan, “Quantum dot lasers with asymmetric barrier layers: Close-to-ideal threshold and power characteristics”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 522–528   ] |
6
|
|
2018 |
| 4. |
Л. В. Асрян, Ф. И. Зубов, Ю. С. Балезина (Полубавкина), Э. И. Моисеев, М. Е. Муретова, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1518–1526 ; L. V. Asryan, F. I. Zubov, Yu. S. Balezina (Polubavkina), È. I. Moiseev, M. E. Muretova, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Violation of local electroneutrality in the quantum well of a semiconductor laser with asymmetric barrier layers”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1621–1629 |
4
|
|
2017 |
| 5. |
З. Н. Соколова, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 998–1003 ; Z. N. Sokolova, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Increase in the internal optical loss with increasing pump current and the output power of quantum well lasers”, Semiconductors, 51:7 (2017), 959–964 |
14
|
| 6. |
Ю. С. Полубавкина, Ф. И. Зубов, Э. И. Моисеев, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, Е. С. Семенова, K. Yvind, Л. В. Асрян, А. Е. Жуков, “Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 263–268 ; Yu. S. Polubavkina, F. I. Zubov, È. I. Moiseev, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, E. S. Semenova, K. Yvind, L. V. Asryan, A. E. Zhukov, “Specific features of waveguide recombination in laser structures with asymmetric barrier layers”, Semiconductors, 51:2 (2017), 254–259 |
2
|
|
2016 |
| 7. |
Л. В. Асрян, Ф. И. Зубов, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1380–1386 ; L. V. Asryan, F. I. Zubov, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Theory of the power characteristics of quantum-well lasers with asymmetric barrier layers: Inclusion of asymmetry in electron- and hole-state filling”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1362–1368 |
11
|
| 8. |
З. Н. Соколова, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 679–682 ; Z. N. Sokolova, K. V. Bakhvalov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Dependence of the electron capture velocity on the quantum-well depth in semiconductor lasers”, Semiconductors, 50:5 (2016), 667–670 |
4
|
| 9. |
З. Н. Соколова, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Пороговые характеристики полупроводникового лазера на квантовых ямах: учёт глобальной электронейтральности структуры”, Квантовая электроника, 46:9 (2016), 777–781 [Z. N. Sokolova, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Threshold characteristics of a semiconductor quantum-well laser: inclusion of global electroneutrality in the structure”, Quantum Electron., 46:9 (2016), 777–781 ] |
6
|
|
2014 |
| 10. |
З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Расчет мощностных характеристик полупроводниковых лазеров с квантовыми ямами при одновременном учете электронов и дырок”, Квантовая электроника, 44:9 (2014), 801–805 [Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Calculation of output characteristics of semiconductor quantum-well lasers with account for both electrons and holes”, Quantum Electron., 44:9 (2014), 801–805 ] |
3
|
|
2013 |
| 11. |
З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Пороговые характеристики полупроводниковых лазеров при нарушении электронейтральности в квантовых ямах”, Квантовая электроника, 43:5 (2013), 428–432 [Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Threshold characteristics of semiconductor lasers under conditions of violation of electroneutrality in quantum wells”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 428–432 ] |
2
|
|
2005 |
| 12. |
Л. В. Асрян, “Спонтанная излучательная рекомбинация и безызлучательная оже-рекомбинация в квантоворазмерных гетероструктурах”, Квантовая электроника, 35:12 (2005), 1117–1120 [L. V. Asryan, “Spontaneous radiative recombination and nonradiative Auger recombination in quantum-confined heterostructures”, Quantum Electron., 35:12 (2005), 1117–1120 ] |
35
|
|
Обратная связь: