|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Nikita A. Leonov, Daniil A. Kozlov, Demid A. Kirilenko, Nikolay A. Bert, Anna O. Pelageikina, Andrey A. Nechitailov, Mikhail B. Alikin, Andrei A. Krasilin, “Formation of a 10$\mathring{\mathrm{A}}$ phase with halloysite structure under hydrothermal conditions with varying initial chemical composition”, Наносистемы: физика, химия, математика, 14:2 (2023), 264–271   |
|
2021 |
| 2. |
М. В. Байдакова, Н. А. Берт, В. Ю. Давыдов, А. В. Ершов, А. А. Левин, А. Н. Смирнов, Л. А. Cокура, О. М. Сресели, И. Н. Яссиевич, “Модификация структурно-морфологических свойств германия в многослойной нанопериодической структуре Al$_{2}$O$_{3}$/Ge с промежуточными слоями Si при отжиге”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 882–889 |
| 3. |
И. П. Сошников, К. П. Котляр, Р. Р. Резник, В. О. Гридчин, В. В. Лендяшова, А. В. Вершинин, В. В. Лысак, Д. А. Кириленко, Н. А. Берт, Г. Э. Цырлин, “Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 785–788 ; I. P. Sotnikov, K. P. Kotlyar, R. R. Reznik, V. O. Gridchin, V. V. Lendyashova, A. V. Vershinin, V. V. Lysak, D. A. Kirilenko, N. A. Bert, G. E. Cirlin, “Specific features of structural stresses in InGaN/GaN nanowires”, Semiconductors, 55:10 (2021), 795–798 |
3
|
|
2020 |
| 4. |
О. М. Сресели, М. А. Елистратова, Д. Н. Горячев, Е. В. Берегулин, В. Н. Неведомский, Н. А. Берт, А. В. Ершов, “Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ и $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ на подложках $p$-Si, отожженных при разных температурах”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1112–1116 ; O. M. Sreseli, M. A. Elistratova, D. N. Goryachev, E. V. Beregulin, V. N. Nevedomskiy, N. A. Bert, A. V. Ershov, “Electrical and photoelectric properties of $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ and $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ multilayer nanostructures on $p$-Si substrates annealed at various temperatures”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1315–1319 |
1
|
| 5. |
О. М. Сресели, Н. А. Берт, В. Н. Неведомский, А. И. Лихачев, И. Н. Яссиевич, А. В. Ершов, А. В. Нежданов, А. И. Машин, Б. А. Андреев, А. Н. Яблонский, “Квантовые точки “ядро–оболочка” Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 129–137 ; O. M. Sreseli, N. A. Bert, V. N. Nevedomskiy, A. I. Lihachev, I. N. Yassievich, A. V. Ershov, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, B. A. Andreev, A. N. Yablonskii, “Ge/Si core/shell quantum dots in an alumina matrix: influence of the annealing temperature on the optical properties”, Semiconductors, 54:2 (2020), 181–189 |
4
|
|
2018 |
| 6. |
I. P. Soshnikov, K. P. Kotlyar, N. A. Bert, D. A. Kirilenko, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “The features of GaAs nanowire SEM images”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 510 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 605–608 |
| 7. |
Я. В. Лубянский, А. Д. Бондарев, И. П. Сошников, Н. А. Берт, В. В. Золотарев, Д. А. Кириленко, К. П. Котляр, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 196–200 ; Ya. V. Lubyanskiy, A. D. Bondarev, I. P. Sotnikov, N. A. Bert, V. V. Zolotarev, D. A. Kirilenko, K. P. Kotlyar, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, “Oxygen nitrogen mixture effect on aluminum nitride synthesis by reactive ion plasma deposition”, Semiconductors, 52:2 (2018), 184–188 |
7
|
|
2017 |
| 8. |
Л. А. Cокура, Я. А. Пархоменко, К. Д. Моисеев, В. Н. Неведомский, Н. А. Берт, “Квантовые точки InSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложке InGaAsSb/GaSb”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1146–1150 ; L. A. Sokura, Ya. A. Parkhomenko, K. D. Moiseev, V. N. Nevedomskiy, N. A. Bert, “InSb quantum dots produced by liquid-phase epitaxy on InGaAsSb/GaSb substrates”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1101–1105 |
8
|
|
2016 |
| 9. |
Р. В. Левин, В. Н. Неведомский, Б. В. Пушный, Н. А. Берт, М. Н. Мизеров, “Сверхрешетки InAs/GaSb, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 42:2 (2016), 79–84 ; R. V. Levin, V. N. Nevedomskiy, B. V. Pushnii, N. A. Bert, M. N. Mizerov, “InAs/GaSb superlattices fabricated by metalorganic chemical vapor deposition”, Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 96–98 |
4
|
|
2013 |
| 10. |
А. В. Емельянов, Е. А. Константинова, П. А. Форш, А. Г. Казанский, М. В. Хенкин, Н. Н. Петрова, Е. И. Теруков, Д. А. Кириленко, Н. А. Берт, С. Г. Конников, П. К. Кашкаров, “Особенности структуры и дефектных состояний в пленках
гидрогенизированного полиморфного кремния”, Письма в ЖЭТФ, 97:8 (2013), 536–540 ; A. V. Emelyanov, E. A. Konstantinova, P. A. Forsh, A. G. Kazanskii, M. V. Khenkin, N. N. Petrova, E. I. Terukov, D. A. Kirilenko, N. A. Bert, S. G. Konnikov, P. K. Kashkarov, “Features of the structure and defect states in hydrogenated polymorphous silicon films”, JETP Letters, 97:8 (2013), 466–469   |
10
|
|
1985 |
| 11. |
Н. А. Берт, В. И. Васильев, С. Г. Конников, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка, В. А. Мишурный, Е. Л. Портной, “Несоответствие периодов решеток и интенсивность фотолюминесценции в гетерокомпозициях $Ga\,In\,Sb\,As/Ga\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985), 193–197 |
|
Обратная связь: