|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ и $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ на подложках $p$-Si, отожженных при разных температурах
О. М. Среселиa, М. А. Елистратоваa, Д. Н. Горячевa, Е. В. Берегулинa, В. Н. Неведомскийa, Н. А. Бертa, А. В. Ершовb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Исследованы свойства многослойных наноструктур $\alpha$-Si(Ge)/SiO$_{2}$, осажденных на подложки $p$-Si и отожженных при разных температурах. Общая толщина нанослоя не превышала 300–350 нм. Обнаружено, что, несмотря на образование кристаллов в нанослое, в фотоэлектрических свойствах гетероперехода нанослой–подложка в исследованном диапазоне 300–900 нм не проявляется квантово-размерный эффект. В то же время эффективность фототока (А/Вт) в этом диапазоне становится постоянной. Полученные результаты мы объясняем малой толщиной нанослоя. При приложении достаточно большого запорного смещения электрическое поле перехода нанослой–подложка достигает внешней границы нанослоя, что резко уменьшает поверхностную рекомбинацию носителей. Именно эта рекомбинация обычно подавляет чувствительность фотодетекторов в коротковолновой области спектра. Постоянная в широком спектральном диапазоне эффективность исследованных гетероструктур делает их привлекательными для использования в различных фотоэлектрических приборах.
Ключевые слова:
многослойные наноструктуры, нанокристаллы полупроводника в диэлектрической матрице, нанослой, эффективность фототока.
Поступила в редакцию: 17.06.2020 Исправленный вариант: 25.06.2020 Принята в печать: 25.06.2020
Образец цитирования:
О. М. Сресели, М. А. Елистратова, Д. Н. Горячев, Е. В. Берегулин, В. Н. Неведомский, Н. А. Берт, А. В. Ершов, “Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ и $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ на подложках $p$-Si, отожженных при разных температурах”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1112–1116; Semiconductors, 54:10 (2020), 1315–1319
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5146 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1112
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 37 | PDF полного текста: | 24 |
|