Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Берт Николай Алексеевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 11
Научных статей: 11

Статистика просмотров:
Эта страница:140
Страницы публикаций:835
Полные тексты:344
Списки литературы:52
кандидат физико-математических наук

https://www.mathnet.ru/rus/person82014
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2023
1. Nikita A. Leonov, Daniil A. Kozlov, Demid A. Kirilenko, Nikolay A. Bert, Anna O. Pelageikina, Andrey A. Nechitailov, Mikhail B. Alikin, Andrei A. Krasilin, “Formation of a 10$\mathring{\mathrm{A}}$ phase with halloysite structure under hydrothermal conditions with varying initial chemical composition”, Наносистемы: физика, химия, математика, 14:2 (2023),  264–271  mathnet  elib
2021
2. М. В. Байдакова, Н. А. Берт, В. Ю. Давыдов, А. В. Ершов, А. А. Левин, А. Н. Смирнов, Л. А. Cокура, О. М. Сресели, И. Н. Яссиевич, “Модификация структурно-морфологических свойств германия в многослойной нанопериодической структуре Al$_{2}$O$_{3}$/Ge с промежуточными слоями Si при отжиге”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  882–889  mathnet  elib
3. И. П. Сошников, К. П. Котляр, Р. Р. Резник, В. О. Гридчин, В. В. Лендяшова, А. В. Вершинин, В. В. Лысак, Д. А. Кириленко, Н. А. Берт, Г. Э. Цырлин, “Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  785–788  mathnet  elib; I. P. Sotnikov, K. P. Kotlyar, R. R. Reznik, V. O. Gridchin, V. V. Lendyashova, A. V. Vershinin, V. V. Lysak, D. A. Kirilenko, N. A. Bert, G. E. Cirlin, “Specific features of structural stresses in InGaN/GaN nanowires”, Semiconductors, 55:10 (2021), 795–798 3
2020
4. О. М. Сресели, М. А. Елистратова, Д. Н. Горячев, Е. В. Берегулин, В. Н. Неведомский, Н. А. Берт, А. В. Ершов, “Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ и $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ на подложках $p$-Si, отожженных при разных температурах”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1112–1116  mathnet  elib; O. M. Sreseli, M. A. Elistratova, D. N. Goryachev, E. V. Beregulin, V. N. Nevedomskiy, N. A. Bert, A. V. Ershov, “Electrical and photoelectric properties of $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ and $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ multilayer nanostructures on $p$-Si substrates annealed at various temperatures”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1315–1319 1
5. О. М. Сресели, Н. А. Берт, В. Н. Неведомский, А. И. Лихачев, И. Н. Яссиевич, А. В. Ершов, А. В. Нежданов, А. И. Машин, Б. А. Андреев, А. Н. Яблонский, “Квантовые точки “ядро–оболочка” Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  129–137  mathnet  elib; O. M. Sreseli, N. A. Bert, V. N. Nevedomskiy, A. I. Lihachev, I. N. Yassievich, A. V. Ershov, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, B. A. Andreev, A. N. Yablonskii, “Ge/Si core/shell quantum dots in an alumina matrix: influence of the annealing temperature on the optical properties”, Semiconductors, 54:2 (2020), 181–189 4
2018
6. I. P. Soshnikov, K. P. Kotlyar, N. A. Bert, D. A. Kirilenko, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “The features of GaAs nanowire SEM images”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  510  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 605–608
7. Я. В. Лубянский, А. Д. Бондарев, И. П. Сошников, Н. А. Берт, В. В. Золотарев, Д. А. Кириленко, К. П. Котляр, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, “Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  196–200  mathnet  elib; Ya. V. Lubyanskiy, A. D. Bondarev, I. P. Sotnikov, N. A. Bert, V. V. Zolotarev, D. A. Kirilenko, K. P. Kotlyar, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, “Oxygen nitrogen mixture effect on aluminum nitride synthesis by reactive ion plasma deposition”, Semiconductors, 52:2 (2018), 184–188 7
2017
8. Л. А. Cокура, Я. А. Пархоменко, К. Д. Моисеев, В. Н. Неведомский, Н. А. Берт, “Квантовые точки InSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложке InGaAsSb/GaSb”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1146–1150  mathnet  elib; L. A. Sokura, Ya. A. Parkhomenko, K. D. Moiseev, V. N. Nevedomskiy, N. A. Bert, “InSb quantum dots produced by liquid-phase epitaxy on InGaAsSb/GaSb substrates”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1101–1105 8
2016
9. Р. В. Левин, В. Н. Неведомский, Б. В. Пушный, Н. А. Берт, М. Н. Мизеров, “Сверхрешетки InAs/GaSb, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 42:2 (2016),  79–84  mathnet  elib; R. V. Levin, V. N. Nevedomskiy, B. V. Pushnii, N. A. Bert, M. N. Mizerov, “InAs/GaSb superlattices fabricated by metalorganic chemical vapor deposition”, Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 96–98 4
2013
10. А. В. Емельянов, Е. А. Константинова, П. А. Форш, А. Г. Казанский, М. В. Хенкин, Н. Н. Петрова, Е. И. Теруков, Д. А. Кириленко, Н. А. Берт, С. Г. Конников, П. К. Кашкаров, “Особенности структуры и дефектных состояний в пленках гидрогенизированного полиморфного кремния”, Письма в ЖЭТФ, 97:8 (2013),  536–540  mathnet  elib; A. V. Emelyanov, E. A. Konstantinova, P. A. Forsh, A. G. Kazanskii, M. V. Khenkin, N. N. Petrova, E. I. Terukov, D. A. Kirilenko, N. A. Bert, S. G. Konnikov, P. K. Kashkarov, “Features of the structure and defect states in hydrogenated polymorphous silicon films”, JETP Letters, 97:8 (2013), 466–469  isi  elib  scopus 10
1985
11. Н. А. Берт, В. И. Васильев, С. Г. Конников, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка, В. А. Мишурный, Е. Л. Портной, “Несоответствие периодов решеток и интенсивность фотолюминесценции в гетерокомпозициях $Ga\,In\,Sb\,As/Ga\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  193–197  mathnet  isi

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024