|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Н. М. Шмидт, Е. И. Шабунина, А. Е. Черняков, А. Е. Иванов, Н. А. Тальнишних, А. Л. Закгейм, “Температурное падение эффективности мощных синих InGaN/GaN-светодиодов”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020), 45–48   ; N. M. Shmidt, E. I. Shabunina, A. E. Chernyakov, A. E. Ivanov, N. А. Talnishnikh, A. L. Zakhgeim, “Temperature-dependent decrease in efficiency in power blue InGaN/GaN LEDs”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1253–1256 |
3
|
|
2019 |
| 2. |
В. А. Добров, В. В. Козловский, А. В. Мещеряков, В. Г. Усыченко, А. С. Чернова, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, “Влияние облучения электронами с энергией 0.9 МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4$H$-SiC pin-диодов”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 555–561 ; V. A. Dobrov, V. V. Kozlovsky, A. V. Mescheryakov, V. G. Usychenko, A. S. Chernova, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, “Effect of electron irradiation with an energy of 0.9 MeV on the I–V characteristics and low-frequency noise in 4$H$-SiC pin diodes”, Semiconductors, 53:4 (2019), 545–551 |
3
|
|
2018 |
| 3. |
В. В. Емцев, Е. В. Гущина, В. Н. Петров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, А. П. Карташова, А. А. Зыбин, В. В. Козловский, М. Ф. Кудояров, А. В. Сахаров, Г. А. Оганесян, Д. С. Полоскин, В. В. Лундин, “Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 804–811 ; V. V. Emtsev, E. V. Gushchina, V. N. Petrov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, A. P. Kartashova, A. A. Zybin, V. V. Kozlovsky, M. F. Kudoyarov, A. V. Sakharov, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, V. V. Lundin, “Diversity of properties of device structures based on group-III nitrides, related to modification of the fractal-percolation system”, Semiconductors, 52:7 (2018), 942–949 |
3
|
| 4. |
Н. А. Соболев, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Е. Калядин, К. В. Карабешкин, В. М. Микушкин, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, Е. В. Шерстнев, Н. М. Шмидт, “Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 44–50 ; N. A. Sobolev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. E. Kalyadin, K. V. Karabeshkin, V. M. Mikushkin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, E. V. Sherstnev, N. M. Shmidt, “The effect of dose of nitrogen-ion implantation on the concentration of point defects introduced into GaAs layers”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 574–576 |
3
|
|
2017 |
| 5. |
А. Е. Маричев, Р. В. Левин, А. Б. Гордеева, Г. С. Гагис, В. И. Кучинский, Б. В. Пушный, Н. Д. Прасолов, Н. М. Шмидт, “Релаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm”, Письма в ЖТФ, 43:2 (2017), 3–9 ; A. E. Marichev, R. V. Levin, A. B. Gordeeva, G. S. Gagis, V. I. Kuchinskii, B. V. Pushnii, N. D. Prasolov, N. M. Shmidt, “Stress relaxation in InGaAsP/InP heterostructures for 1064-nm laser radiation converters”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 88–91 |
|
2016 |
| 6. |
В. Н. Петров, В. Г. Сидоров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, H. Helava, Ю. Н. Макаров, “Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III–N наноматериалов и связанные с ней явления”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1195–1201 ; V. N. Petrov, V. G. Sidorov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, H. Helava, Yu. N. Makarov, “On the fractal nature of light-emitting structures based on III–N nanomaterials and related phenomena”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1173–1179 |
8
|
| 7. |
В. В. Емцев, Е. Е. Заварин, М. А. Козловский, М. Ф. Кудояров, В. В. Лундин, Г. А. Оганесян, В. Н. Петров, Д. С. Полоскин, А. В. Сахаров, С. И. Трошков, Н. М. Шмидт, В. Н. Вьюгинов, А. А. Зыбин, Я. М. Парнес, С. И. Видякин, А. Г. Гудков, А. Е. Черняков, В. В. Козловский, “Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом”, Письма в ЖТФ, 42:21 (2016), 39–46 ; V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, M. A. Kozlovskii, M. F. Kudoyarov, V. V. Lundin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, D. S. Poloskin, A. V. Sakharov, S. I. Troshkov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, V. V. Kozlovsky, “Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1079–1082 |
2
|
| 8. |
В. В. Емцев, Е. Е. Заварин, Г. А. Оганесян, В. Н. Петров, А. В. Сахаров, Н. М. Шмидт, В. Н. Вьюгинов, А. А. Зыбин, Я. М. Парнес, С. И. Видякин, А. Г. Гудков, А. Е. Черняков, “Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала”, Письма в ЖТФ, 42:13 (2016), 80–86 ; V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, A. V. Sakharov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, “The relationship between the reliability of transistors with 2D AlGaN/GaN channel and organization type of nanomaterial”, Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 701–703 |
6
|
| 9. |
Н. В. Кузнецова, Д. В. Нечаев, Н. М. Шмидт, С. Ю. Карпов, Н. В. Ржеуцкий, В. Е. Земляков, В. Х. Кайбышев, Д. Ю. Казанцев, С. И. Трошков, В. И. Егоркин, Б. Я. Бер, Е. В. Луценко, С. В. Иванов, В. Н. Жмерик, “Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 57–63 ; N. V. Kuznetsova, D. V. Nechaev, N. M. Shmidt, S. Yu. Karpov, N. V. Rzheutskii, V. E. Zemlyakov, V. Kh. Kaibyshev, D. Yu. Kazantsev, S. I. Troshkov, V. I. Egorkin, B. Ya. Ber, E. V. Lutsenko, S. V. Ivanov, V. N. Zhmerik, “Solar-blind Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$ photodiodes with a polarization-$p$-doped emitter”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 635–638 |
9
|
|
2003 |
| 10. |
И. В. Афанасьев, Г. В. Бенеманская, В. С. Вихнин, Г. Э. Франк-Каменецкая, Н. М. Шмидт, “Осцилляции в спектрах пороговой фотоэмиссии GaN (0001) с субмонослойными Cs покрытиями”, Письма в ЖЭТФ, 77:5 (2003), 270–274 ; I. V. Afanas'ev, G. V. Benemanskaya, V. S. Vikhnin, G. É. Frank-Kamenetskaya, N. M. Shmidt, “Oscillations in the threshold photoemission spectra of GaN(0001) with submonolayer Cs coverages”, JETP Letters, 77:5 (2003), 226–229  |
3
|
|
2001 |
| 11. |
И. Л. Крестников, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Д. А. Бедарев, Е. Е. Заварин, Ю. Г. Мусихин, Н. М. Шмидт, А. Ф. Цацульников, А. С. Усиков, Н. Н. Леденцов, Ж. И. Алфёров, “Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы”, УФН, 171:8 (2001), 857–858 ; I. L. Krestnikov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, D. A. Bedarev, E. E. Zavarin, Yu. G. Musikhin, N. M. Shmidt, A. F. Tsatsul'nikov, A. S. Usikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, “Heterostructures based on nitrides of group III elements: technical processes, properties, and light-emitting devices”, Phys. Usp., 44:8 (2001), 815–816 |
1
|
|
1992 |
| 12. |
С. В. Беляков, Л. А. Бусыгина, А. Т. Гореленок, А. В. Каманин, В. А. Кукатов, А. В. Меркулов, И. А. Мокина, Н. М. Шмидт, Т. А. Юре, “Диффузия Zn в InP и твердые растворы на его основе из полимерных
пленочных диффузантов”, Письма в ЖТФ, 18:13 (1992), 35–38  |
|
1990 |
| 13. |
М. В. Белоусов, А. Т. Гореленок, В. Ю. Давыдов, Р. В. Каржавин, И. А. Мокина, Н. М. Шмидт, И. Ю. Якименко, “Исследование влияния химической обработки InP на скорость
поверхностной рекомбинации методом комбинационного
рассеяния света”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2177–2180 |
| 14. |
А. Дерингас, З. Добровольскис, А. Т. Гореленок, И. А. Мокина, Н. М. Шмидт, “Исследование кинетики фотопроводимости в коротких фоторезисторах на
основе InP : Fe”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2167–2171 |
| 15. |
В. Балинас, А. Т. Гореленок, А. Кроткус, А. Сталненис, Н. М. Шмидт, “Измерение ВАХ InGaAs при помощи пикосекундной электрооптической
стробирующей установки”, Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990), 848–854 |
|
1988 |
| 16. |
Ж. И. Алфров, В. И. Босый, А. Т. Гореленок, А. В. Иващук, Н. Д. Ильинская, М. Н. Мизеров, И. А. Мокина, Д. Н. Рехвиашвили, Н. М. Шмидт, “Барьеры Шоттки и полевые транзисторы на основе
InGaAs/InP”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988), 1807–1810 |
|
1987 |
| 17. |
А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, Д. В. Пуляевский, Д. Н. Рехвиашвили, Н. М. Шмидт, “Исследование времени жизни неосновных носителей в узкозонной области
диодных InGaAsP/InP-структур”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1498–1501 |
| 18. |
Э. Адомайтис, З. Добровольскис, А. Т. Гореленок, М. Игнатавичус, В. И. Корольков, А. Кроткус, В. Поцюнас, Н. М. Шмидт, “Вынос неравновесной плазмы из коротких InP : Fe-фоторезисторов
электрическим полем”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 70–74 |
| 19. |
Л. А. Волков, А. Т. Гореленок, В. Н. Лукьянов, И. А. Рачков, Д. Н. Рехвиашвили, Н. М. Шмидт, С. Д. Якубович, “Измерение АЧХ быстродействующих фотоприемников с использованием гомодинной стекловолоконной схемы получения амплитудных биений оптического сигнала”, Письма в ЖТФ, 13:17 (1987), 1059–1062 |
|
1985 |
| 20. |
Н. Т. Баграев, В. А. Машков, Р. П. Сейсян, В. Л. Суханов, Н. М. Шмидт, “Формирование областей неоднородной компенсации в процессе получения
планарных кремниевых $p{-}n$ переходов”, ЖТФ, 55:10 (1985), 2064–2066 |
| 21. |
В. М. Андреев, А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. Г. Данильченко, Н. Д. Ильинская, В. И. Корольков, Н. М. Сараджишвили, Л. М. Федоров, Н. М. Шмидт, М. С. Богданович, Н. З. Жингарев, Л. Б. Карлина, В. В. Мамутин, И. А. Мокина, “Исследование $pin$-фотодиодов на основе
InGaAsP/InP”, ЖТФ, 55:8 (1985), 1566–1569 |
| 22. |
В. М. Андреев, А. Т. Гореленок, М. З. Жингарев, Л. Е. Клячкин, В. В. Мамутин, Н. М. Сараджишвили, В. И. Скопина, О. В. Сулима, Н. М. Шмидт, “Исследование токов утечки планарных $p{-}n$-переходов в InP
и $p{-}i{-}n$-структур на основе InGaAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 668–673 |
|
1984 |
| 23. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. Г. Данильченко, Н. Д. Ильинская, В. И. Корольков, В. В. Мамутин, И. А. Мокина, Н. М. Сараджишвили, Т. С. Табаров, Н. М. Шмидт, “Фототранзистор на основе
$N{-}p{-}N$ гетероструктур InP-InGaAsP”, Письма в ЖТФ, 10:21 (1984), 1294–1297 |
|
1983 |
| 24. |
Ж. И. Алфров, А. Т. Гореленок, В. Г. Данильченко, А. В. Каманин, В. И. Корольков, В. В. Мамутин, Т. С. Табаров, Н. М. Шмидт, “Высокоэффективный фотодетектор
для ультрафиолетового излучения”, Письма в ЖТФ, 9:24 (1983), 1516–1519 |
|
Обратная связь: