Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 9, страницы 1195–1201 (Mi phts6361)  
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III–N наноматериалов и связанные с ней явления

В. Н. Петровa, В. Г. Сидоровb, Н. А. Тальнишнихc, А. Е. Черняковc, Е. И. Шабунинаa, Н. М. Шмидтa, А. С. Усиковd, H. Helavad, Ю. Н. Макаровde

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
d Nitride Crystals Inc., USA
e ГК "Нитридные кристаллы", С.-Петербург
PDF полного текста (195 kB) Список цитирования (8)
Аннотация: Показано, что в наноматериалах светоизлучающих InGaN/GaN- и AlGaN/GaN-структур в проводящих протяженных дефектах и локальных неоднородностях состава твердых растворов формируется трехмерная фрактально-перколяционная система, которая определяет электрофизические свойства светодиодов, изготовленных на основе этих структур. Геометрия и свойства этой системы нелинейно зависят от степени разупорядоченности наноматериала структур, величины инжекционного тока и скорости выращивания твердых растворов.
Поступила в редакцию: 09.03.2016
Принята в печать: 15.03.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 9, Pages 1173–1179
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616090207
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Н. Петров, В. Г. Сидоров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, H. Helava, Ю. Н. Макаров, “Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III–N наноматериалов и связанные с ней явления”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1195–1201; Semiconductors, 50:9 (2016), 1173–1179
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PetSidTal16}
\by В.~Н.~Петров, В.~Г.~Сидоров, Н.~А.~Тальнишних, А.~Е.~Черняков, Е.~И.~Шабунина, Н.~М.~Шмидт, А.~С.~Усиков, H.~Helava, Ю.~Н.~Макаров
\paper Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III--N наноматериалов и связанные с ней явления
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 9
\pages 1195--1201
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6361}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368987}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 9
\pages 1173--1179
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616090207}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6361
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i9/p1195
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024