|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 9, страницы 1195–1201
(Mi phts6361)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III–N наноматериалов и связанные с ней явления
В. Н. Петровa, В. Г. Сидоровb, Н. А. Тальнишнихc, А. Е. Черняковc, Е. И. Шабунинаa, Н. М. Шмидтa, А. С. Усиковd, H. Helavad, Ю. Н. Макаровde a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
d Nitride Crystals Inc., USA
e ГК "Нитридные кристаллы", С.-Петербург
Аннотация:
Показано, что в наноматериалах светоизлучающих InGaN/GaN- и AlGaN/GaN-структур в проводящих протяженных дефектах и локальных неоднородностях состава твердых растворов формируется трехмерная фрактально-перколяционная система, которая определяет электрофизические свойства светодиодов, изготовленных на основе этих структур. Геометрия и свойства этой системы нелинейно зависят от степени разупорядоченности наноматериала структур, величины инжекционного тока и скорости выращивания твердых растворов.
Поступила в редакцию: 09.03.2016 Принята в печать: 15.03.2016
Образец цитирования:
В. Н. Петров, В. Г. Сидоров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, H. Helava, Ю. Н. Макаров, “Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III–N наноматериалов и связанные с ней явления”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1195–1201; Semiconductors, 50:9 (2016), 1173–1179
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6361 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i9/p1195
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 51 | PDF полного текста: | 16 |
|