Температурное падение эффективности мощных синих InGaN/GaN-светодиодов

Температурное падение внешней квантовой эффективности синих InGaN/GaN-светодиодов в максимуме при $j<$ 10 A/cm$^{2}$, усиливающееся с ростом температуры до 400 K, вызвано возрастанием потерь на безызлучательную рекомбинацию при туннелировании носителей заряда с участием ловушек и фононов. С открытием $p$–$n$-перехода при $j>$ 40 A/cm$^{2}$ падение внешней квантовой эффективности в непрерывном и импульсном режимах определяется потерями при неравновесном заполнении делокализованными носителями состояний, связанных с латеральными неоднородностями состава твердого раствора в квантовых ямах вне области объемного заряда, а также потерями на взаимодействие делокализованных носителей с протяженными дефектами.