Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Сресели Ольга Михайловна

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 26
Научных статей: 26

Статистика просмотров:
Эта страница:157
Страницы публикаций:1625
Полные тексты:714
Списки литературы:36
доктор физико-математических наук (2001)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)

Научная биография:

Сресели, Ольга Михайловна. Получение и исследование датчиков ЭДС Холла из арсенида галлия : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.00.00. - Ленинград, 1966. - 215 с.

Сресели, Ольга Михайловна. Полупроводники с модифицированной поверхностью - регулярный микрорельеф и квантово-размерные нанокристаллиты : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 2001. - 245 с. : ил.


https://www.mathnet.ru/rus/person71562
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=20577

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. М. В. Байдакова, Н. А. Берт, В. Ю. Давыдов, А. В. Ершов, А. А. Левин, А. Н. Смирнов, Л. А. Cокура, О. М. Сресели, И. Н. Яссиевич, “Модификация структурно-морфологических свойств германия в многослойной нанопериодической структуре Al$_{2}$O$_{3}$/Ge с промежуточными слоями Si при отжиге”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  882–889  mathnet  elib
2020
2. О. М. Сресели, М. А. Елистратова, Д. Н. Горячев, Е. В. Берегулин, В. Н. Неведомский, Н. А. Берт, А. В. Ершов, “Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ и $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ на подложках $p$-Si, отожженных при разных температурах”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1112–1116  mathnet  elib; O. M. Sreseli, M. A. Elistratova, D. N. Goryachev, E. V. Beregulin, V. N. Nevedomskiy, N. A. Bert, A. V. Ershov, “Electrical and photoelectric properties of $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ and $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ multilayer nanostructures on $p$-Si substrates annealed at various temperatures”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1315–1319 1
3. О. М. Сресели, Н. А. Берт, В. Н. Неведомский, А. И. Лихачев, И. Н. Яссиевич, А. В. Ершов, А. В. Нежданов, А. И. Машин, Б. А. Андреев, А. Н. Яблонский, “Квантовые точки “ядро–оболочка” Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  129–137  mathnet  elib; O. M. Sreseli, N. A. Bert, V. N. Nevedomskiy, A. I. Lihachev, I. N. Yassievich, A. V. Ershov, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, B. A. Andreev, A. N. Yablonskii, “Ge/Si core/shell quantum dots in an alumina matrix: influence of the annealing temperature on the optical properties”, Semiconductors, 54:2 (2020), 181–189 4
2019
4. М. А. Елистратова, И. Б. Захарова, Г. В. Ли, Р. М. Дубровин, О. М. Сресели, “Влияние условий кристаллизации на спектральные характеристики тонких пленок тетрафенилпорфирина”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  55–58  mathnet  elib; M. A. Elistratova, I. B. Zakharova, G. V. Li, R. M. Dubrovin, O. M. Sreseli, “The effect of crystallization conditions on the spectral characteristics of tetraphenylporphyrin thin films”, Semiconductors, 53:1 (2019), 51–54 5
2018
5. М. П. Тепляков, О. С. Кен, Д. Н. Горячев, О. М. Сресели, “Транспорт и фоточувствительность в структурах: композитный слой из наночастиц кремния и золота на $p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1071–1075  mathnet  elib; M. P. Teplyakov, O. S. Ken, D. N. Goryachev, O. M. Sreseli, “Transport and photosensitivity in structures: a composite layer of silicon and gold nanoparticles on $p$-Si”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1193–1197 3
6. М. А. Елистратова, Д. С. Полоскин, Д. Н. Горячев, И. Б. Захарова, О. М. Сресели, “Динамика изменения фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  921–925  mathnet  elib; M. A. Elistratova, D. S. Poloskin, D. N. Goryachev, I. B. Zakharova, O. M. Sreseli, “Dynamics of changes in the photoluminescence of porous silicon after gamma irradiation”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1051–1055 1
7. М. М. Соболев, О. С. Кен, О. М. Сресели, Д. А. Явсин, С. А. Гуревич, “Выявление пространственного и квантового ограничения Si-наночастиц, нанесенных методом лазерного электродиспергирования на кристаллический Si”, Письма в ЖТФ, 44:7 (2018),  30–38  mathnet  elib; M. M. Sobolev, O. S. Ken, O. M. Sreseli, D. A. Yavsin, S. A. Gurevich, “Spatial and quantum confinement of Si nanoparticles deposited by laser electrodispersion onto crystalline Si”, Tech. Phys. Lett., 44:4 (2018), 287–290 7
2017
8. М. А. Елистратова, Н. М. Романов, Д. Н. Горячев, И. Б. Захарова, О. М. Сресели, “Влияние гамма-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  507–511  mathnet  elib; M. A. Elistratova, N. M. Romanov, D. N. Goryachev, I. B. Zakharova, O. M. Sreseli, “Effect of gamma irradiation on the photoluminescence of porous silicon”, Semiconductors, 51:4 (2017), 483–487 7
2016
9. О. С. Кен, В. С. Левицкий, Д. А. Явсин, С. А. Гуревич, В. Ю. Давыдов, О. М. Сресели, “Оптические и структурные свойства композитных слоев Si : Au, полученных лазерным электродиспергированием”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  423–430  mathnet  elib; O. S. Ken, V. S. Levitskii, D. A. Yavsin, S. A. Gurevich, V. Yu. Davydov, O. M. Sreseli, “Optical and structural properties of composite Si:Au layers formed by laser electrodispersion”, Semiconductors, 50:3 (2016), 418–425 2
2011
10. О. Б. Гусев, Ю. С. Вайнштейн, Ю. К. Ундалов, О. С. Ельцина, И. Н. Трапезникова, Е. И. Теруков, О. М. Сресели, “Люминесценция аморфных нанокластеров кремния”, Письма в ЖЭТФ, 94:5 (2011),  402–405  mathnet; O. B. Gusev, J. S. Vainshtein, Yu. K. Undalov, O. S. Yeltsina, I. N. Trapeznikova, E. I. Terukov, O. M. Sreseli, “Luminescence of amorphous silicon nanoclusters”, JETP Letters, 94:5 (2011), 370–373  isi  scopus 7
2001
11. Н. Н. Зиновьев, А. В. Андрианов, В. Ю. Некрасов, В. А. Петровский, Л. В. Беляков, О. М. Сресели, Г. Хилл, Д. М. Чемберлен, “Терагерцовая инжекционная электролюминесценция в многопериодных квантово-каскадных структурах AlGaAs/GaAs”, Письма в ЖЭТФ, 74:2 (2001),  105–107  mathnet; N. N. Zinov'ev, A. V. Andrianov, V. Yu. Nekrasov, V. A. Petrovskii, L. V. Belyakov, O. M. Sreseli, G. Hill, J. M. Chamberlain, “Terahertz injection electroluminescence in multiperiod quantum-cascade AlGaAs/GaAs structures”, JETP Letters, 74:2 (2001), 100–102  scopus 5
1991
12. Л. В. Беляков, В. И. Ваксман, Д. Н. Горячев, А. В. Кац, Б. Л. Румянцев, И. С. Спевак, О. М. Сресели, “Резонансные эффекты, обусловленные возбуждением ПЭВ при почти нормальном падении пучка света на синусоидальную поверхность”, ЖТФ, 61:6 (1991),  100–105  mathnet  isi
13. Л. В. Беляков, О. М. Сресели, “Поверхностные электромагнитные волны и фотоприемники (обзор)”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1281–1296  mathnet
1990
14. Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, Б. Д. Румянцев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Узкополосные селективные фотоприемники на основе структур Шоттки”, Письма в ЖТФ, 16:6 (1990),  72–75  mathnet  isi
1989
15. Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, Т. Л. Макарова, Б. Л. Румянцев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Влияние тонкого диэлектрического слоя на свойства ПЭВ на границе металл$-$полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  1966–1970  mathnet
16. Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, Б. Л. Румянцев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Резонансные явления в структурах Шоттки при возбуждении «медленных» поверхностных электромагнитных волн”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  461–465  mathnet
1988
17. Л. В. Беляков, Н. Н. Горобей, Д. Н. Горячев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Влияние распределения поля поверхностного поляритона в системе диэлектрик–металл–полупроводник на фотоответ полупроводника”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  906–910  mathnet
18. Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, Б. Л. Румянцев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Резонансная электролюминесценция структуры металл$-$полупроводник с гофрированной поверхностью”, Письма в ЖТФ, 14:8 (1988),  757–760  mathnet  isi
1987
19. Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, В. И. Емельянов, В. Н. Семиногов, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Резонансное подавление зеркального отражения при возбуждении поверхностных электромагнитных волн на неметаллических периодических структурах”, Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  693–697  mathnet  isi
20. Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Фотоответ структуры металл–полупроводник при возбуждении поверхностных поляритонов светом TE-поляризации”, Письма в ЖТФ, 13:5 (1987),  261–265  mathnet  isi
1986
21. Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, А. В. Саченко, О. М. Сресели, “Аномальный фотоэффект на границе закиси меди с электролитом”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  876–880  mathnet
22. Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Влияние оптических констант полупроводника на положение поляритонного пика фотоответа диодов Шоттки”, Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1145–1149  mathnet  isi
1985
23. Е. Н. Арутюнов, Л. В. Беляков, А. Н. Васильев, Д. Н. Горячев, Ю. В. Ковальчук, В. Е. Мячин, И. А. Соколов, О. М. Сресели, “Исследование особенностей плавления GaAs в условиях двухдлинноволнового лазерного отжига”, ЖТФ, 55:11 (1985),  2144–2148  mathnet  isi
24. Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий, “Фотоответ структуры полупроводник – металл, связанный с возбуждением поверхностных поляритонов”, Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1162–1165  mathnet  isi
1984
25. Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, О. М. Сресели, “Исследование оптических переходов в полупроводниках фотоэлектрохимическим методом”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  752–755  mathnet
1983
26. Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, О. М. Сресели, “Запись голограмм на металле методом фотохимического травления”, Письма в ЖТФ, 9:8 (1983),  471–474  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024