|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Влияние гамма-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния
М. А. Елистратоваab, Н. М. Романовac, Д. Н. Горячевb, И. Б. Захароваa, О. М. Среселиb a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Lappeenranta University of Technology, Lappeenranta, Finland
Аннотация:
Исследовано влияние гамма-облучения на люминесцентные свойства пористого кремния, полученного электрохимическим методом. Регистрировались изменения фотолюминесценции между дозами облучения и в течение нескольких дней после последнего облучения. Обнаружено гашение фотолюминесценции при небольших дозах облучения и восстановление ее после дальнейшего облучения. Выявлено сильное окисление пористого кремния после гамма-облучения, продолжающееся в течение нескольких дней после облучения. Предполагается, что изменение спектров и интенсивности фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения обусловлено изменением типа пассивации пористой поверхности: вместо водородной пассивации наблюдается более стабильная кислородная. Для стабилизации спектров фотолюминесценции пористого кремния предложено использовать фуллерен. У образца пористого кремния со слоем термически напыленного фуллерена не обнаружено значительных изменений спектров фотолюминесценции во время облучения и в течение 18 дней после него. Показана стабильность к гамма-облучению и окислению образцов пористого кремния с напыленным слоем C$_{60}$.
Поступила в редакцию: 16.10.2016 Принята в печать: 21.11.2016
Образец цитирования:
М. А. Елистратова, Н. М. Романов, Д. Н. Горячев, И. Б. Захарова, О. М. Сресели, “Влияние гамма-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 507–511; Semiconductors, 51:4 (2017), 483–487
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6185 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i4/p507
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 40 | PDF полного текста: | 14 |
|