Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 4, страницы 507–511
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44343.8451
(Mi phts6185)
 

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние гамма-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния

М. А. Елистратоваab, Н. М. Романовac, Д. Н. Горячевb, И. Б. Захароваa, О. М. Среселиb

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Lappeenranta University of Technology, Lappeenranta, Finland
Аннотация: Исследовано влияние гамма-облучения на люминесцентные свойства пористого кремния, полученного электрохимическим методом. Регистрировались изменения фотолюминесценции между дозами облучения и в течение нескольких дней после последнего облучения. Обнаружено гашение фотолюминесценции при небольших дозах облучения и восстановление ее после дальнейшего облучения. Выявлено сильное окисление пористого кремния после гамма-облучения, продолжающееся в течение нескольких дней после облучения. Предполагается, что изменение спектров и интенсивности фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения обусловлено изменением типа пассивации пористой поверхности: вместо водородной пассивации наблюдается более стабильная кислородная. Для стабилизации спектров фотолюминесценции пористого кремния предложено использовать фуллерен. У образца пористого кремния со слоем термически напыленного фуллерена не обнаружено значительных изменений спектров фотолюминесценции во время облучения и в течение 18 дней после него. Показана стабильность к гамма-облучению и окислению образцов пористого кремния с напыленным слоем C$_{60}$.
Поступила в редакцию: 16.10.2016
Принята в печать: 21.11.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 4, Pages 483–487
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617040029
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Елистратова, Н. М. Романов, Д. Н. Горячев, И. Б. Захарова, О. М. Сресели, “Влияние гамма-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 507–511; Semiconductors, 51:4 (2017), 483–487
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EliRomGor17}
\by М.~А.~Елистратова, Н.~М.~Романов, Д.~Н.~Горячев, И.~Б.~Захарова, О.~М.~Сресели
\paper Влияние гамма-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 4
\pages 507--511
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6185}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44343.8451}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404892}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 4
\pages 483--487
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617040029}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6185
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i4/p507
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024