|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Выявление пространственного и квантового ограничения Si-наночастиц, нанесенных методом лазерного электродиспергирования на кристаллический Si
М. М. Соболев, О. С. Кен, О. М. Сресели, Д. А. Явсин, С. А. Гуревич Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Проведены исследования $C$–$V$-характеристик и DLTS-спектров гетероструктур из слоев плотноупакованных аморфных наночастиц Si, нанесенных методом лазерного электродиспергирования на монокристаллические подложки $p$-Si. Наблюдаемые закономерности в поведении $C$–$V$-характеристик и DLTS-спектров, измеренных в темноте и при подсветке белым светом с различными значениями напряжений импульса $U_{b}$ и импульса заполнения $U_{f}$, позволили предположить, что пространственно локализованные аморфные наночастицы Si имеют средний размер – менее 2 nm, что сопоставимо с длиной волны де Бройля электрона, и характеризуются квантовым ограничением. Происходит образование основного и возбужденного состояний квантовых точек, проявляющих эффекты Штарка, электрического диполя и контролируемого метастабильного заполнения при подсветке.
Поступила в редакцию: 10.11.2017
Образец цитирования:
М. М. Соболев, О. С. Кен, О. М. Сресели, Д. А. Явсин, С. А. Гуревич, “Выявление пространственного и квантового ограничения Si-наночастиц, нанесенных методом лазерного электродиспергирования на кристаллический Si”, Письма в ЖТФ, 44:7 (2018), 30–38; Tech. Phys. Lett., 44:4 (2018), 287–290
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5842 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i7/p30
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 32 | PDF полного текста: | 8 |
|