|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Е. А. Европейцев, Ю. М. Серов, Д. В. Нечаев, В. Н. Жмерик, Т. В. Шубина, А. А. Торопов, “2D экситоны в множественных одномонослойных квантовых ямах GaN/AlN”, Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021), 507–513   ; E. A. Evropeitsev, Yu. M. Serov, D. V. Nechaev, V. N. Jmerik, T. V. Shubina, A. A. Toropov, “Two-dimensional excitons in multiple GaN/AlN monolayer quantum wells”, JETP Letters, 113:8 (2021), 504–509   |
|
2020 |
| 2. |
I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, E. M. Roginskii, Yu. E. Kitaev, A. N. Smirnov, M. A. Yagovkina, D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, M. V. Smirnov, “Structural and dynamical properties of short-period GaN/AlN superlattices: Experiment and theory”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1397 ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1706–1709 |
| 3. |
А. В. Мясоедов, Д. В. Нечаев, В. В. Ратников, А. Е. Калмыков, Л. М. Сорокин, В. Н. Жмерик, “Повышение эффективности фильтрации прорастающих дислокаций в темплейтах AlN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$ с фасетированной морфологией поверхности во время их роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 26–30 ; A. V. Myasoedov, D. V. Nechaev, V. V. Ratnikov, A. E. Kalmykov, L. M. Sorokin, V. N. Zhmerik, “An increase of threading dislocations filtering efficiency in AlN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$ templates with faceted surface morphology during a growth by molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 543–547 |
1
|
| 4. |
В. В. Ратников, Д. В. Нечаев, А. В. Мясоедов, О. А. Кошелев, В. Н. Жмерик, “Снижение плотности прорастающих дислокаций в темплейтах AlN/$c$-сапфир, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 46:8 (2020), 36–39 ; V. V. Ratnikov, D. V. Nechaev, A. V. Myasoedov, O. A. Koshelev, V. N. Zhmerik, “Decreasing density of grown-in dislocations in AlN/$c$-sapphire templates grown by plasma-activated molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 46:4 (2020), 389–392 |
|
2019 |
| 5. |
V. Yu. Davydov, V. N. Jmerik, E. M. Roginskii, Yu. E. Kitaev, Y. M. Beltukov, M. B. Smirnov, D. V. Nechaev, A. N. Smirnov, I. A. Eliseyev, P. N. Brunkov, S. V. Ivanov, “Boson peak related to Ga-nanoclusters in AlGaN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy at Ga-rich conditions”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1519 ; Semiconductors, 53:11 (2019), 1479–1488 |
1
|
| 6. |
Е. В. Луценко, Н. В. Ржеуцкий, А. В. Нагорный, А. В. Данильчик, Д. В. Нечаев, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Стимулированное излучение, фотолюминесценция и локализация неравновесных носителей заряда в сверхтонких (монослойных) квантовых ямах GaN/AlN”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 535–539 [E. V. Lutsenko, N. V. Rzheutskii, A. V. Nagorny, A. V. Danil'chik, D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, “Stimulated emission, photoluminescence, and localisation of nonequilibrium charge carriers in ultrathin (monolayer) GaN/AlN quantum wells”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 535–539 ] |
4
|
|
2018 |
| 7. |
А. Н. Семенов, Д. В. Нечаев, С. И. Трошков, А. В. Нащекин, П. Н. Брунков, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Особенности селективного роста наноколонн GaN на профилированных подложках $c$-сапфира различной геометрии”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1663–1667 ; A. N. Semenov, D. V. Nechaev, S. I. Troshkov, A. V. Nashchekin, P. N. Brunkov, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, “Features of the selective growth of GaN nanorods on patterned $c$-sapphire substrates of various configurations”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1770–1774 |
3
|
| 8. |
V. N. Zhmerik, T. V. Shubina, D. V. Nechaev, A. N. Semenov, D. A. Kirilenko, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, I. A. Eliseev, G. Posina, S. V. Ivanov, “Site-controlled growth of GaN nanorods with inserted InGaN quantum wells on $\mu$-cone patterned sapphire substrates by plasma-assisted MBE”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 526 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 667–670 |
2
|
| 9. |
E. A. Evropeytsev, A. N. Semenov, D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, V. Kh. Kaibyshev, S. I. Troshkov, P. N. Brunkov, A. A. Usikova, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Metal-semiconductor nanoheterostructures with an AlGaN quantum well and in-situ formed surface Al nanoislands”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 515 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 622–624 |
| 10. |
Т. А. Комиссарова, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Спонтанное формирование кластеров In в эпитаксиальных слоях InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:4 (2018), 42–49 ; T. A. Komissarova, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, “Spontaneous formation of indium clusters in InN epilayers grown by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 149–152 |
1
|
|
2017 |
| 11. |
Д. В. Нечаев, А. А. Ситникова, П. Н. Брунков, С. В. Иванов, В. Н. Жмерик, “Генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре (Al, Ga)N/6$H$-SiC при росте методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 43:9 (2017), 67–74 ; D. V. Nechaev, A. A. Sitnikova, P. N. Brunkov, S. V. Ivanov, V. N. Zhmerik, “Stress generation and relaxation in (Al, Ga)N/6$H$-SiC heterostructure grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 43:5 (2017), 443–446 |
3
|
| 12. |
Д. С. Золотухин, Д. В. Нечаев, С. В. Иванов, В. Н. Жмерик, “Контроль упругих напряжений с помощью оптической системы измерения кривизны подложки при росте гетероструктур III–N методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 43:5 (2017), 60–67 ; D. S. Zolotukhin, D. V. Nechaev, S. V. Ivanov, V. N. Zhmerik, “Monitoring of elastic stresses with optical system for measuring the substrate curvature in growth of III–N heterostructures by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 43:3 (2017), 262–266 |
9
|
|
2016 |
| 13. |
А. А. Торопов, Е. А. Шевченко, Т. В. Шубина, В. Н. Жмерик, Д. В. Нечаев, G. Pozina, С. В. Иванов, “Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300 K”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2180–2185 ; A. A. Toropov, E. A. Shevchenko, T. V. Shubina, V. N. Zhmerik, D. V. Nechaev, G. Pozina, S. V. Ivanov, “AlGaN nanostructures with extremely high quantum yield at 300 K”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2261–2266 |
| 14. |
Я. В. Кузнецова, В. Н. Жмерик, Д. В. Нечаев, А. М. Кузнецов, М. В. Заморянская, “Особенности катодолюминесцентных спектров квантовых ям AlInGaN, вызванные влиянием фазового распада и внутренних электрических полей”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 921–926 ; Ya. V. Kuznetsova, V. N. Zhmerik, D. V. Nechaev, A. M. Kuznetsov, M. V. Zamoryanskaya, “Specific features of the cathodoluminescence spectra of AlInGaN QWs, caused by the influence of phase separation and internal electric fields”, Semiconductors, 50:7 (2016), 904–909 |
1
|
| 15. |
Н. В. Кузнецова, Д. В. Нечаев, Н. М. Шмидт, С. Ю. Карпов, Н. В. Ржеуцкий, В. Е. Земляков, В. Х. Кайбышев, Д. Ю. Казанцев, С. И. Трошков, В. И. Егоркин, Б. Я. Бер, Е. В. Луценко, С. В. Иванов, В. Н. Жмерик, “Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 57–63 ; N. V. Kuznetsova, D. V. Nechaev, N. M. Shmidt, S. Yu. Karpov, N. V. Rzheutskii, V. E. Zemlyakov, V. Kh. Kaibyshev, D. Yu. Kazantsev, S. I. Troshkov, V. I. Egorkin, B. Ya. Ber, E. V. Lutsenko, S. V. Ivanov, V. N. Zhmerik, “Solar-blind Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$ photodiodes with a polarization-$p$-doped emitter”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 635–638 |
9
|
| 16. |
В. В. Ратников, Д. В. Нечаев, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Рентгеновская дифрактометрия темплейтов AIN/$c$-сапфир, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 42:8 (2016), 61–69 ; V. V. Ratnikov, D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, “X-ray diffractometry of AlN/$c$-sapphire templates obtained by plasma-activated molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 419–422 |
2
|
|
2010 |
| 17. |
Г. В. Бенеманская, В. Н. Жмерик, М. Н. Лапушкин, С. Н. Тимошнев, “Электронная структура границы раздела Ва/$n$-AlGaN(0001) и формирование вырожденного 2D электронного газа”, Письма в ЖЭТФ, 91:12 (2010), 739–743 ; G. V. Benemanskaya, V. N. Zhmerik, M. N. Lapushkin, S. N. Timoshnev, “Electronic structure of a Ba/n-AlGaN(0001) interface and the formation of a degenerate 2D electron gas”, JETP Letters, 91:12 (2010), 670–674 |
3
|
|
Обратная связь: