Повышение эффективности фильтрации прорастающих дислокаций в темплейтах AlN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$ с фасетированной морфологией поверхности во время их роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Приведены результаты исследования методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии темплейтов AlN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$ с ультратонкими вставками GaN, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что буферные слои AlN с фасетированной морфологией поверхности обеспечивают большее снижение плотности прорастающих дислокаций, чем гладкие слои. Подтверждено фильтрующее действие ультратонких вставок GaN.