|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 7, страницы 921–926
(Mi phts6413)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Особенности катодолюминесцентных спектров квантовых ям AlInGaN, вызванные влиянием фазового распада и внутренних электрических полей
Я. В. Кузнецоваa, В. Н. Жмерикa, Д. В. Нечаевa, А. М. Кузнецовb, М. В. Заморянскаяa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
Аннотация:
Исследованы особенности спектров катодолюминесценции в гетероструктурах AlInGaN, вызванные влиянием фазового распада и внутренних электрических полей, наблюдаемые при варьировании плотности возбуждения катодолюминесценции. Показано, что эволюция вида спектра катодолюминесценции и изменение спектрального положения полос излучения наноразмерных слоев при изменении плотности тока первичного электронного пучка позволяет идентифицировать присутствие фазового распада в слое, а в случае его отсутствия – оценить величину электрического поля в активной области структуры.
Поступила в редакцию: 09.12.2015 Принята в печать: 17.12.2015
Образец цитирования:
Я. В. Кузнецова, В. Н. Жмерик, Д. В. Нечаев, А. М. Кузнецов, М. В. Заморянская, “Особенности катодолюминесцентных спектров квантовых ям AlInGaN, вызванные влиянием фазового распада и внутренних электрических полей”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 921–926; Semiconductors, 50:7 (2016), 904–909
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6413 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i7/p921
|
|