Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 7, страницы 921–926 (Mi phts6413)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Особенности катодолюминесцентных спектров квантовых ям AlInGaN, вызванные влиянием фазового распада и внутренних электрических полей

Я. В. Кузнецоваa, В. Н. Жмерикa, Д. В. Нечаевa, А. М. Кузнецовb, М. В. Заморянскаяa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
Аннотация: Исследованы особенности спектров катодолюминесценции в гетероструктурах AlInGaN, вызванные влиянием фазового распада и внутренних электрических полей, наблюдаемые при варьировании плотности возбуждения катодолюминесценции. Показано, что эволюция вида спектра катодолюминесценции и изменение спектрального положения полос излучения наноразмерных слоев при изменении плотности тока первичного электронного пучка позволяет идентифицировать присутствие фазового распада в слое, а в случае его отсутствия – оценить величину электрического поля в активной области структуры.
Поступила в редакцию: 09.12.2015
Принята в печать: 17.12.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 7, Pages 904–909
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616070125
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Я. В. Кузнецова, В. Н. Жмерик, Д. В. Нечаев, А. М. Кузнецов, М. В. Заморянская, “Особенности катодолюминесцентных спектров квантовых ям AlInGaN, вызванные влиянием фазового распада и внутренних электрических полей”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 921–926; Semiconductors, 50:7 (2016), 904–909
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KuzZhmNec16}
\by Я.~В.~Кузнецова, В.~Н.~Жмерик, Д.~В.~Нечаев, А.~М.~Кузнецов, М.~В.~Заморянская
\paper Особенности катодолюминесцентных спектров квантовых ям AlInGaN, вызванные влиянием фазового распада и внутренних электрических полей
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 7
\pages 921--926
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6413}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368936}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 7
\pages 904--909
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616070125}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6413
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i7/p921
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:30
    PDF полного текста:4
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024