|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Д. М. Казанцев, В. Л. Альперович, В. А. Ткаченко, З. Д. Квон, “Максимум в спектре терагерцового фотоотклика квантового точечного контакта”, Письма в ЖЭТФ, 116:2 (2022), 116–122  ; D. M. Kazantsev, V. L. Alperovich, V. A. Tkachenko, Z. D. Kvon, “Spectral maximum in the terahertz photoconductance of a quantum point contact”, JETP Letters, 116:2 (2022), 117–122 |
|
2018 |
| 2. |
D. M. Kazantsev, I. O. Akhundov, V. L. Alperovich, N. L. Shwartz, A. S. Kozhukhov, A. V. Latyshev, “Thermal smoothing and roughening of GaAs surfaces: experiment and Monte Carlo simulation”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 514  ; Semiconductors, 52:5 (2018), 618–621 |
6
|
|
2017 |
| 3. |
А. Г. Журавлев, В. С. Хорошилов, В. Л. Альперович, “Эмиссия электронов из Cs/GaAs и GaAs(Cs,О) с положительным и отрицательным электронным сродством”, Письма в ЖЭТФ, 105:10 (2017), 645–650 ; A. G. Zhuravlev, V. S. Khoroshilov, V. L. Alperovich, “Electron emission from Cs/GaAs and GaAs(Cs,О) with positive and negative electron affinity”, JETP Letters, 105:10 (2017), 686–690   |
13
|
|
2013 |
| 4. |
А. Г. Журавлев, М. Л. Савченко, А. Г. Паулиш, В. Л. Альперович, “Фотоэмиссия из $p$-GaAs(001) с неравновесными слоями цезия”, Письма в ЖЭТФ, 98:8 (2013), 513–517 ; A. G. Zhuravlev, M. L. Savchenko, A. G. Paulish, V. L. Alperovich, “Photoemission from $p$-GaAs(001) with nonequilibrium cesium overlayer”, JETP Letters, 98:8 (2013), 455–459 |
10
|
|
2010 |
| 5. |
А. Г. Журавлев, К. В. Торопецкий, П. А. Половодов, В. Л. Альперович, “Атомные реконструкции и электронные состояния на поверхности GaAs(001) с адсорбированными слоями сурьмы и цезия”, Письма в ЖЭТФ, 92:5 (2010), 351–356 ; A. G. Zhuravlev, K. V. Toropetskiy, P. A. Polovodov, V. L. Alperovich, “Atomic reconstructions and electronic states on the GaAs(001) surface with the adsorbed Sb and Cs layers”, JETP Letters, 92:5 (2010), 315–320 |
1
|
|
2008 |
| 6. |
А. Г. Журавлев, В. Л. Альперович, “Генерация и удаление адатом-индуцированных электронных состояний на поверхности Cs/GaAs(001)”, Письма в ЖЭТФ, 88:9 (2008), 702–706 ; A. G. Zhuravlev, V. L. Alperovich, “Generation and removal of adatom-induced electronic states on the Cs/GaAs(001) surface”, JETP Letters, 88:9 (2009), 611–615 |
5
|
| 7. |
О. Е. Терещенко, К. В. Торопецкий, В. Л. Альперович, “Обратимые сверхструктурные переходы на поверхности GaAs(001) при селективном воздействии йода и цезия”, Письма в ЖЭТФ, 87:1 (2008), 41–44 ; O. E. Tereshchenko, K. V. Toropetskiy, V. L. Alperovich, “Reversible superstructural transitions on the GaAs(001) surface under the selective effect of iodine and cesium”, JETP Letters, 87:1 (2008), 35–38 |
4
|
|
2006 |
| 8. |
Д. А. Орлов, В. Л. Альперович, А. С. Терехов, “Спин-зависимая фотоэмиссия, обусловленная скачком $g$-фактора электронов на интерфейсе $p$-GaAs(Cs,O)-вакуум”, Письма в ЖЭТФ, 83:10 (2006), 525–529 ; D. A. Orlov, V. L. Alperovich, A. S. Terekhov, “Spin-dependent photoemission induced by a jump in the electron g-factor at the p-GaAs(Cs,O)-vacuum interface”, JETP Letters, 83:10 (2006), 453–457 |
3
|
|
2004 |
| 9. |
О. Е. Терещенко, В. Л. Альперович, А. С. Терехов, “Уменьшение энергии связи атомов мышьяка на поверхности GaAs(100)-(2$\times$4)/c(2$\times$8) под влиянием адсорбированного цезия”, Письма в ЖЭТФ, 79:3 (2004), 163–167 ; O. E. Tereshchenko, V. L. Alperovich, A. S. Terekhov, “Decrease in the bond energy of arsenic atoms on the GaAs(100)-(2$\times$4)/c(2$\times$8) surface due to the effect of adsorbed cesium”, JETP Letters, 79:3 (2004), 131–135 |
26
|
|
1990 |
| 10. |
В. Л. Альперович, А. О. Минаев, Н. С. Рудая, А. С. Терехов, “Релаксация импульса фотоэлектронов на поверхности GaAs в эффекте магнитоиндуцированной поляризационно-зависимой фотопроводимости”, Физика твердого тела, 32:7 (1990), 2152–2154 |
| 11. |
В. Л. Альперович, А. О. Минаев, С. П. Мощенко, А. С. Терехов, “Поляризационная зависимость экситонной фотоэдс на границе арсенид галлия$-$металл”, Физика твердого тела, 32:3 (1990), 950–952 |
|
1988 |
| 12. |
В. Л. Альперович, В. И. Белиничер, А. О. Минаев, С. П. Мощенко, А. С. Терехов, “Баллистический фотогальванический эффект на межзонных переходах в арсениде галлия”, Физика твердого тела, 30:10 (1988), 3111–3117 |
1
|
|
1984 |
| 13. |
В. Л. Альперович, С. П. Мощенко, А. С. Терехов, “Термализация фотоэлектронов на границе раздела арсенид галлия–металл. Проявление в спектрах фотоэдс”, Физика твердого тела, 26:12 (1984), 3532–3536 |
|
1983 |
| 14. |
В. Л. Альперович, С. П. Мощенко, А. С. Терехов, “Механизмы влияния магнитного поля на баллистические фототоки”, Физика твердого тела, 25:9 (1983), 2780–2782 |
|
Обратная связь: