Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008, том 87, выпуск 1, страницы 41–44 (Mi jetpl9)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Обратимые сверхструктурные переходы на поверхности GaAs(001) при селективном воздействии йода и цезия

О. Е. Терещенкоab, К. В. Торопецкийab, В. Л. Альперовичab

a Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
PDF полного текста (959 kB) Список цитирования (4)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Экспериментально изучено селективное взаимодействие атомов йода и цезия с поверхностью GaAs(001), которое приводит к уменьшению энергии связи поверхностных атомов галлия и мышьяка, соответственно, благодаря перераспределению электронной плотности в приповерхностной области под влиянием электроотрицательных и электроположительных адсорбатов. Такое селективное взаимодействие позволяет поочередно удалять монослои галлия и мышьяка при адсорбции йода и цезия и последующем прогреве при температуре $T\le450^\circ$C и, тем самым, осуществлять обратимые низкотемпературные переходы между Ga- и As-стабилизированными сверхструктурами, а также атомно-слоевое травление полупроводника с физически предельной, монослойной точностью.
Поступила в редакцию: 15.11.2007
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2008, Volume 87, Issue 1, Pages 35–38
DOI: https://doi.org/10.1007/s11448-008-1009-5
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 61.14.-x, 68.35.Bs, 68.43.-h, 72.80.Ey, 81.15.Ef
Образец цитирования: О. Е. Терещенко, К. В. Торопецкий, В. Л. Альперович, “Обратимые сверхструктурные переходы на поверхности GaAs(001) при селективном воздействии йода и цезия”, Письма в ЖЭТФ, 87:1 (2008), 41–44; JETP Letters, 87:1 (2008), 35–38
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TerTorAlp08}
\by О.~Е.~Терещенко, К.~В.~Торопецкий, В.~Л.~Альперович
\paper Обратимые сверхструктурные переходы на поверхности GaAs(001) при селективном воздействии йода и цезия
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2008
\vol 87
\issue 1
\pages 41--44
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl9}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2008
\vol 87
\issue 1
\pages 35--38
\crossref{https://doi.org/10.1007/s11448-008-1009-5}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000254702000009}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-41749113040}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl9
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v87/i1/p41
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:349
    PDF полного текста:138
    Список литературы:80
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024