Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2004, том 79, выпуск 3, страницы 163–167 (Mi jetpl2225)  

Эта публикация цитируется в 26 научных статьях (всего в 26 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Уменьшение энергии связи атомов мышьяка на поверхности GaAs(100)-(2$\times$4)/c(2$\times$8) под влиянием адсорбированного цезия

О. Е. Терещенкоab, В. Л. Альперовичab, А. С. Тереховab

a Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Список литературы:
Аннотация: Экспериментально обнаружено уменьшение энергии связи атомов мышьяка на поверхности GaAs(100) под влиянием адсорбированного цезия, проявляющееся в разупорядочении As-стабилизированной поверхности и в снижении на $\sim$100 $^{\circ}$С температуры перехода к Ga-стабилизированной поверхности (100)GaAs(4$\times$2)/c(8$\times$2). Эффект обусловлен перераспределением плотности валентных электронов между атомами мышьяка в верхнем слое и атомами галлия в нижележащем слое вследствие передачи заряда от электроположительного адсорбата в полупроводник. В сочетании с аналогичным эффектом уменьшения энергии связи атомов галлия на Ga-стабилизированной поверхности GaAs при адсорбции электроотрицательных адсорбатов (галогенов) обнаруженный эффект позволяет осуществить атомно-слоевое травление полярной грани GaAs(100).
Поступила в редакцию: 08.01.2004
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2004, Volume 79, Issue 3, Pages 131–135
DOI: https://doi.org/10.1134/1.1719129
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 68.35.Bs, 73.40.-c, 81.15.Ef
Образец цитирования: О. Е. Терещенко, В. Л. Альперович, А. С. Терехов, “Уменьшение энергии связи атомов мышьяка на поверхности GaAs(100)-(2$\times$4)/c(2$\times$8) под влиянием адсорбированного цезия”, Письма в ЖЭТФ, 79:3 (2004), 163–167; JETP Letters, 79:3 (2004), 131–135
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TerAlpTer04}
\by О.~Е.~Терещенко, В.~Л.~Альперович, А.~С.~Терехов
\paper Уменьшение энергии связи атомов мышьяка на поверхности GaAs(100)-(2$\times$4)/c(2$\times$8) под влиянием адсорбированного цезия
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2004
\vol 79
\issue 3
\pages 163--167
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2225}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2004JETPL..79..131T}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2004
\vol 79
\issue 3
\pages 131--135
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1719129}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-14244253071}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2225
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v79/i3/p163
  • Эта публикация цитируется в следующих 26 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024