Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2017, том 105, выпуск 10, страницы 645–650
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X17100137 (Mi jetpl5278) 		 
Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

РАЗНОЕ

Эмиссия электронов из Cs/GaAs и GaAs(Cs,О) с положительным и отрицательным электронным сродством

А. Г. Журавлевab, В. С. Хорошиловab, В. Л. Альперовичab

a Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
PDF полного текста (297 kB) Список цитирования (13)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X17100137
Аннотация: Методом спектроскопии квантового выхода фотоэмиссии изучена эволюция вероятностей выхода горячих и термализованных электронов из GaAs(001) с адсорбированными слоями цезия и кислорода при переходе от положительного к отрицательному эффективному электронному сродству. Обнаружен и объяснен минимум вероятности выхода термализованных электронов вблизи нулевого сродства.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-02-00815_а
Работа выполнена при поддержке РФФИ, грант # 17-02-00815.
Поступила в редакцию: 30.03.2017
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2017, Volume 105, Issue 10, Pages 686–690
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364017100149
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Г. Журавлев, В. С. Хорошилов, В. Л. Альперович, “Эмиссия электронов из Cs/GaAs и GaAs(Cs,О) с положительным и отрицательным электронным сродством”, Письма в ЖЭТФ, 105:10 (2017), 645–650; JETP Letters, 105:10 (2017), 686–690
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuKhoAlp17}
\by А.~Г.~Журавлев, В.~С.~Хорошилов, В.~Л.~Альперович
\paper Эмиссия электронов из Cs/GaAs и GaAs(Cs,О) с положительным и отрицательным электронным сродством
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2017
\vol 105
\issue 10
\pages 645--650
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5278}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X17100137}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29276547}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2017
\vol 105
\issue 10
\pages 686--690
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364017100149}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000406124800013}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85025170751}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5278
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v105/i10/p645
    • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024