|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2006, том 83, выпуск 10, страницы 525–529
(Mi jetpl1310)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Спин-зависимая фотоэмиссия, обусловленная скачком $g$-фактора электронов на интерфейсе $p$-GaAs(Cs,O)-вакуум
Д. А. Орловab, В. Л. Альперовичca, А. С. Тереховca a Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН
b Max-Planck-Institut für Kernphysik, D-69117 Heidelberg, Germany
c Новосибирский государственный университет
Аннотация:
Экспериментально обнаружено, что в присутствии магнитного поля вероятность выхода электронов из $p$-GaAs(Cs,O) в вакуум зависит от знака циркулярной поляризации возбуждающего света. Основной причиной эффекта является скачок $g$-фактора электронов на границе полупроводник – вакуум (от $g^*=-0.44$ в GaAs до $g_0=2$ в вакууме). В результате скачка $g$-фактора величина эффективного электронного сродства оказывается зависящей от взаимной ориентации спина оптически ориентированных электронов и магнитного поля, что и приводит к спин-зависимой фотоэмиссии.
Поступила в редакцию: 04.04.2006
Образец цитирования:
Д. А. Орлов, В. Л. Альперович, А. С. Терехов, “Спин-зависимая фотоэмиссия, обусловленная скачком $g$-фактора электронов на интерфейсе $p$-GaAs(Cs,O)-вакуум”, Письма в ЖЭТФ, 83:10 (2006), 525–529; JETP Letters, 83:10 (2006), 453–457
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1310 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v83/i10/p525
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 210 | PDF полного текста: | 89 | Список литературы: | 59 |
|