Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2006, том 83, выпуск 10, страницы 525–529 (Mi jetpl1310)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Спин-зависимая фотоэмиссия, обусловленная скачком $g$-фактора электронов на интерфейсе $p$-GaAs(Cs,O)-вакуум

Д. А. Орловab, В. Л. Альперовичca, А. С. Тереховca

a Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН
b Max-Planck-Institut für Kernphysik, D-69117 Heidelberg, Germany
c Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (729 kB) Список цитирования (3)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Экспериментально обнаружено, что в присутствии магнитного поля вероятность выхода электронов из $p$-GaAs(Cs,O) в вакуум зависит от знака циркулярной поляризации возбуждающего света. Основной причиной эффекта является скачок $g$-фактора электронов на границе полупроводник – вакуум (от $g^*=-0.44$ в GaAs до $g_0=2$ в вакууме). В результате скачка $g$-фактора величина эффективного электронного сродства оказывается зависящей от взаимной ориентации спина оптически ориентированных электронов и магнитного поля, что и приводит к спин-зависимой фотоэмиссии.
Поступила в редакцию: 04.04.2006
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2006, Volume 83, Issue 10, Pages 453–457
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364006100067
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 78.20.Ls, 78.55.Cr, 79.60.-i
Образец цитирования: Д. А. Орлов, В. Л. Альперович, А. С. Терехов, “Спин-зависимая фотоэмиссия, обусловленная скачком $g$-фактора электронов на интерфейсе $p$-GaAs(Cs,O)-вакуум”, Письма в ЖЭТФ, 83:10 (2006), 525–529; JETP Letters, 83:10 (2006), 453–457
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OrlAlpTer06}
\by Д.~А.~Орлов, В.~Л.~Альперович, А.~С.~Терехов
\paper Спин-зависимая фотоэмиссия, обусловленная скачком $g$-фактора электронов на интерфейсе $p$-GaAs(Cs,O)-вакуум
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2006
\vol 83
\issue 10
\pages 525--529
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1310}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2006
\vol 83
\issue 10
\pages 453--457
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364006100067}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000239170800006}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-33746464478}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1310
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v83/i10/p525
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:200
    PDF полного текста:82
    Список литературы:52
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024